202993. lajstromszámú szabadalom • Eljárás homodiszperz fényképészeti emulzió előállítására
1 HU 202993 B 2 A találmány tárgya eljárás többszörös héjszerkezetű, homodiszperz ezüst-halogenid kristályokat tartalmazó fényképészeti emulzió előállítására. Az ezüst-halogenid fényképészeti emulziók hagyományos, egysugaras lecsapással történő előállításakor a szabad halogenidionok koncentrációjának állandó változása miatt heterodiszperz kristályok keletkeznek. Ilyenkor a fotográfiai tulajdonságok alapvetően a részecskék méret szerinti eloszlásától függenek. Ezt a technológiai tényezők ki6 változása is erősen befolyásolja, ami a fényérzékeny anyag jellemzőinek ismételhetőségét rontja. A granulometriai tulajdonságok állandósága az ezüst-halogenid kristályok lecsapásának speciális technológiájával biztosítható [E. Moisar - E. Klein: Berichte der Bunsenges. Phys. Chem., 67 (1963 ) 949], E módszerrel a kristályokat a szabad halogenidion-koncentráció au tematikával szabályozott, állandó értéke mellett, kettős lefolyatással csapjuk le; ekkor homodiszperz részecskék keletkeznek. Az ilyen kristályok előállításához rendszerint inert (aktiv anyagokat csak néhány milliomod részben tartalmazó) zselatinokat alkalmaznak, s a fotográfiai tulajdonságokat mesterségesen adagolt érzékenyitő- és gátlóanyagok segítségével szabályozzák. A fotográfiai jellemzők befolyásolhatók ún. mag/héj szerkezetű kristályokkal is. [E. Moisar - S. Wagner: Berichte der Bunsenges. Phys. Chem., 67 (1963) 356, illetve 1 169 290. számú német szövetségi köztársaság beli szabadalmi leírás]. Ezek úgy készülnek, hogy meghatározott méretű kristályra, a magra, ettől eltérő összetételű réteget, héjat vagy héjakat visznek fel, szabályozott kettős lefolyatással. így például a 3 935 014. számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírás szerint AgBr magra AgCl héjat építenek, vagy ezüst-bromid magra, csökkenő kloridtartalommal három Ag(Cl, Br) héjat visznek fel. Egy másik megoldás szerint Ag(Br, I) magra AgBr héjat választanak le (3 206 313. számú amerikai egyesült államokbeli leirás). A héjvastagság változó. Ha a központi magon egy héj foglal helyet, mint a legtöbb esetben, a héj viszonylag vastag; például a 3 761 276. Bzámú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leirás szerint 0,2-0,5 /um. Több héj esetén a vastagság 0,1 /um, vagy kevesebb, mint például az egyesült királyságbeli 2 095 853A. számú bejelentésben: 0,01-0,1 um határok között található. Az egyes héjak felülete kémiailag érzékenyíthetó [3 317 322. számú amerikai egyesült államokbeli szabadalmi leírás, G. Junkers és társai: J. Phot. Sei., 22 (1974) 174]. A kettős lefolyatás alatt a kristályokba Pb24 vagy Cd24 ionok [C. R. Berry - D. C. Skillman. Phot. Sei. Eng., 11 (1967) 411], illetve egyéb többértékü ion, mint a Fe2+, Ru34, Rh34, Pd24, Os34, Ír34, Pt44 és Bi34 ionok építhetők be, amelyek direkt-pozitlv és fordítós emulziókban a belső érzékenységet növelik (J. W.. Mitchell: Phot. Sei. Eng., 27 (1983) 81]. Mag/héj szerkezetű lapkristályokba iridium, ólom, arany, kadmium, cink és erbium bevitelét írják le (2 110 831 A. számú egyesült királyságbeli bejelentés). E találmány célja az emulziók fotográfiai tulajdonságai szabályozásának tökéletesítése. A találmány alapja az a felismerés, hogy többszörös héjszerkezet kialakításával, amelyben egy-egy héj vastagsága kisebb, mint 0,01 pm, s a teljes héjszerkezet vastagsága nem éri el a Debye-távolságot, - a héj kémiai összetételének változtatásával tetszőlegesen szabályozható a kristály peremrétegében a tértöltés-eloszlés. Ez azért nagyfontosságú, mert a legújabb kutatások szerint [N. Starbov - J. Malinovski: Phot. Sei. Eng., 32 (1984) 245] a rácsközi ezüstion közvetlen résztvevője a látenskép-képzódési folyamatnak, s jelenléte döntő mind a már befogott elektron semlegesítése, mind az ezüst-centrumok előhívható méretű aggregátummá történő növekedése szempontjából. A belső látenskép eloszlása nagyon jól követi a rácsközi ezüstionok eloszlását a tértöltés rétegben, s a felület alatti tartományban a fotogerjesztett elektronok befogásának és semlegesítésének valószínűsége arányos a tértöltés récsközi ionjainak koncentrációjával. A találmány alapja az a felismerés is, hogy a tértöltés-eloszlást elsősorban a héjakba különböző koncentrációkban bevitt fémionokkal, illetve jodidionokkal célszerű szabályozni. A találmány alapja az a felismerés is, hogy a héjak összetételének változtatásával jelentősen befolyásolható a kristályok felületi érzékenyíthetősége. A találmány további alapja az a felismerés, hogy a héjba In34 és/vagy La34 ionokat beépítve, egyéb fémionnál kedvezőbb fotográfiai hatás érhető el. Az In34 és La34 ionok lecsapásakor történő alkalmazását a 190 408 számú magyar szabadalmi leírásban ismertettük. Ott azonban nevezett ionok az ezüst-nitrát beadagolásának teljes időtartama alatt jelen vannak, igy azok a keletkezett heterodiszperz kristályok egész térfogatában oszlanak el. A találmány szerinti eljárásban állandó pAg mellett, szabályozott kettős lefolyatással, homodiszperz ezüst-halogenid kristályokat csapunk le és növesztünk meg a szükséges méretig, a feleslegben levő ionokat szükség szerint eltávolítjuk, a kristályokat adott esetben kémiai érzékenyitéBnek vetjük alá, majd az emulziót ellátjuk a szükséges adalékanyagokkal, oly módon, hogy a kiindulási oldatok összetételének és az ezüst-nitrát ill. halogénsó mennyiségének alkalmas változtatásával L>0,180 um méretű (ahol L a kristályvetület területével megegyező területű kör átmérője), egy központi magból, s legalább 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 3
