198232. lajstromszámú szabadalom • Eljárás 1-20 atomszázalék germánium tartalmú, egykristályos szerkezetű germánium-szilícium vegyeskristály előállítására

(19) Onzigkód:

HU

SZABADALMI

LEÍRÁS

S5501.GAl.ATf TAI.AI.MANY

(11) LaJstromszÁm:

196232 E

(51) Int, Cl.4

(22) Bejelentés napja: 1985.11.10. (21) 4276/85

C 30 B 1/08

w

(40) Közzététel napja: 1988.04.28.

MAGYAR

köztársaság

országos

r S»b*!almi Tír. •

TALÁLMÁNYI

(45) Megadás meghirdetésének dátuma

N'-^l0lAJD0NA

HIVATAL

a Szabadalmi Közlönyben: 1989.08.28.

(72) Feltalálók:

(73) Szabadalmas:

KELETI József

35%

Villamosipari Kutató Intézet,

BEGÁNYI Ervin

25%

Budapest, (HU)

TÖRÖK Tivadar

20%

SZTRÓKAY István Budapest, (HU)

20%

(54) ELJÁRÁS 1—20 ATOMSZÁZALÉK GERMANIUM TARTALMÚ, EGYKRISTÁEYOS SZERKEZETŰ GERMÁNI UM—SZILÍCIUM VEGYES KRISTÁLY ELŐÁLLÍTÁSÁRA.

(57) KIVONAT

Az eljárás abban áll,., hogy az alkotókat a kívánt arányban egy-egy, vagy kevés számú darabban helyezik egy kvarc olvasztóedénybe, indifferens gázatmoszférában, vagy vákuumban összeolvasztják és a kívánt átmérőjű öntőformába öntve megszilárdítják. Ezután a rudat elektronsugaras fűtésű függőzónás berendezésben zónázva tisztítják és/vagy homogenizálják oly módon, hogy a rúd alján az első zóna helyére 3-60 atomszázalék Ge tartalmú GeSi vegyeskristályt, vagy annyi germániumot helyeznek, hogy a kialakuló zóna Ge tartalma által meghatározott liquiduspont a zónázandó rúd Ge tartalma által meghatározott solidusponttal megegyezzen. Végül a tisztított és/vagy homogenizált polikristályos rudat nagyfrekvenciás fűtésű függózónás berendezésben GeSi, vagy Si egykristálymagra ültetve, vákuumban, vagy indifferens gázban egykristállyá húzzák, amelynek során 20 mm/óra értéknél kisebb, célszerűen 5 mm/óra körüli húzássebességet és 0,5 s_1 értéknél nagyobb forgássebességet alkalmaznak.

.4 leírás terjedelme: 5 oldal, — ábra nélkül

HU 198232 B