187201. lajstromszámú szabadalom • Kis hőfoktényezőjű ellenállás és eljárás kis hőfoktényezőjű ellenállás anyag készítésére

o 187201 3 A találmánv tartva kis ellenóilláshőfok-tényezőjű amorf ötvözet, ami precíziós ellenállás, valamint nvú­­lésmérő bélyegként használható. Ismeretes, hogy a precíziós ellenállások hőfokténye­­zöje kisehl) mint 50-l0~,; K és a stabilitása jobb mint ö 1 1000 óirás 150 C alatti terhelés után. Kis ellenállások tartományában (0,1—100 Ohm) po­­likristályos szerkezetű fémötvözet huzalokat használ­nak. l’gyanesak ilvon huzalokból készítenek egysze­rűbb nyúlásmérő bélyegeket is 120—350 Ohm körüli 10 szabványértékben. A vékony dróthúzás azonban meg­drágítja a huzalokat és a képlékenységi követelmény miatt leszűkíti az alkalmazható) ötvözetek körét. Nagyobb ellenállásértékek tartományában (10— 10-’ Ohm) párologtatott vékony fémréteget használnak. 15 Különleges követelményeket is kielégítő nyúlásmérő bélyegeket szintén párologtatott fémrétegből alakíta­nak ki. Általában a huzal és a párologtatott réteg esetében is Cu-Xi alapú, néhány százalék Mn-t és/vagy Cr-ot 20 tartalmazó ötvözeteket használnak. A felhasználható ötvözetek összetételét az a követelmény is korlátozza, hogy az ötvözetnek szilárd oldatnak kell maradnia a kialakítás és megmunkálás során. Példaképpen említ­jük aCu,6-Xi.,Mn1., összetételű „Manganin”-t aminek a 25 hőfoktényezője (a) ± 10 • 10~6/K, 10—30 °C tartomány­ban. A találmány célja új típuséi ellenállás anyag kialakí­tása olcsó és különleges tisztaságot nem igénylő alap­anyagból, egyszerű technológiával, ami kis sorozat- 30 gyártásban is gazdaságos. A találmánnyal megoldandó feladatot ezek után ab­ban jelölhetjük meg, hogy olcsó, könnyen hozzáférhető alapanyagokból, egyszerű gyártási eljárással kis ellen­­álláshőfok-tényezőjű, stabil ellenállásanyagot készít- 35 síink. A találmány alapja az a felismerés, hogy a különböző követelményeknek (a<50-10~s/K, nagy lineáris, ill, négyzetes ellenállásérték, nagy szakítószilárdság és nagy rugalmassági határ stb.) bizonyos összetételű 40 amorf szerkezetű fémötvözetek eleget tesznek. Olva­dékállapotból, megfelelő feltételek mellett, gyorshű­­tött fémüveg szalagokból cseréléssel: míg kémiai re­dukcióval, kontaktusokkal ellátott szigetelő hordozóra történő leválasztással állítjuk elő megfelelő méretben 45 a precíziós ellenállást vagy nyúlásmérő bélyeget. A találmány tehát eljárás kis ellenálláshőfok-ténye­­zőjű amorf ötvözetek készítésére, amelyek a jelenleg alkalmazott anyagoknál olcsóbb és előnyösebb fizikai paraméterekkel rendelkeznek. 50 A találmány szerinti gyorshűtéssel előállított amorf ötvözet átmeneti fém (TM=Fe, C’o, Ni vagy ezek kom­binációja) — metalloid (M= B, P, Si, C vagy ezek kom­binációja) típusú, a szokásos T.M10I, _XMX ~(10<x<30) összetételben, ahol az átmeneti fémet 5—12 at %-ban 55 Ti és/vagy V, és/vagy Cr és/vagy Mn és/vagy Zr és/vagy Mo és/vagy W elemekre cseréljük le. Az amorf szer­kezetet termikus úton úgy stabilizáljuk, hogy a gyors­­hűtött szalagot 100—300 °C-on, 1—2 óráig hőkezeljük. A találmány továbbá abban van, hogy a kis hőfokté- 60 nyezőjű, 15—22 at %-ban P-t tartalmazó Ni-P amorf réteget kémiai redukcióval kisebb, mint 100 nm vas­tagságban állítjuk elő, felismerve és kihasználva az el­lenállás-hőfiik-tén vező csökkenését a vastagság csökke­nésével. \ találmány szerinti ellenállásokat a gyorshűtött amorf szalagokból a jelenleg alkalmazott huzalhoz ha­sonlóan, a szokásos módon megfelelő hordozóira csévél­jük, attól függően, hogy ellenállást vagy nyúlásmérő bélyeget kívánunk kialakítani. Kémiai redukcióival az amorf ötvözetet ellenállás, ill. nyúlásmérő bélyeg céljára 0,1—0,2 mm vastag hor­dozóira (pl. kerámia, üveg vagy poliimid) állítjuk elő. A találmányt részletesebben rajz alapján ismertet­jük, amelvcn a találmány szerinti amorf fémötvözet ellenálláshőfok-tényezőjének koncentráció, ill. vastag­ság függése látható néhány konkrét esetben, valamint a találmány szerinti ellenállás egy példakénti kiviteli alakja. A rajzon az /. ábra a találmány szerinti gyorshűtött ötvözet el­­lenállás-höfoktényezőjének koneentrációfiig­­gését; a 2. ábra a találmány szerinti kémiai redukcióval le­választott Xi-P réteg ellenállás-hőfokténye­­jének vastagságfüggését, a ■3. ábra a találmány szerinti kémiai redukcióval le­választott amorf fémötvözetből készült el­lenállás, ill. nyiilásmérő bélyeg példakénti kiviteli alakját szemlélteti. Az. 1. ábra a találmány szerinti átmeneti fém-metal­­loid amorf ötvözetek ellenállás-hőfoktényezőjét mu­tatja be az adalék átmeneti fémkoncentráció függvé­nyében példaként két ötvözet FeS0_xC’r-B,.JC1 és Xiá0_xMnxP20 esetében. Bár a ferromágneses Fe alapú ötvözet esetében negativ hőfoktényezőt nem lehet el­érni, de ötvözéssel megfelelően kicsivé (kisebb mint 10-lO^/K) tehető. A nem ferromágneses Xi alapú amorf fémötvözet hőfoktényezője negatív értékű is le­het, ha a (Un koncentráció 12 at%-ot meghalad, így a hőfoktényező elvileg zérussá (kisebb mint 1 - 10~n/K) is tehető. Xagy előnye még a Xi alapú amorf fémötvö­zeteknek, hogy a rézzel szembeni relatív termofeszült­­sógiik kiesi (kisebb mint 1 uV/K), így a rézhuzal kon­taktusoknál fellépő parazita termofeszültség is kicsi. A kis ellenálláshőfok-tényezőjű, nagyobb terhelhető­­sógű, etalonként is használható ellenállások a megszo­kott módon, kerámia alapanyagon csévéléssel állítha­tok elő. A hordozó —■ jó hővezetésű kerámia — henger­re helikoidálisan csévéljük fel a 0,1—10 mm széles 15—30 um vastag amorf szalagot. A lapos szalag jobb h ikontaktust biztosít a hordozóval, mint a huzal alak, így alacsonyabb üzemi hőmérsékleten nagyobb teljesít­ményt lehet elérni. Az alkalmazható legnagyobb áram­sűrűség 10—15 A/mm- körüli érték, amelynél az amorf szalag nem melegszik fel az átkristálvosodási hőmérsék­letre (300—500 °C). A találmány szerinti gyorshűtött amorf szalagból készült nyúlásmérő bélyeg azzal az e’őnvös tulajdonsággal rendelkezik, hogv az érzékenv­. ' -JÄ . 11 OÍ, s<-ge: A = — :y=2,b, ami 20 %-kal nagyobb, mint a szokásos kristályos anyagoké. Az amorf szalag különösen jó nyúlásmérő bélyegként, mert szakadásig lineáris ellenállásváltozást mutat. A 2. ábra a találmány szerinti kémiai redukcióval le­választott Xi-P réteg ellenállás-hőfoktényezőjét inu-2

Next

/
Oldalképek
Tartalom