187201. lajstromszámú szabadalom • Kis hőfoktényezőjű ellenállás és eljárás kis hőfoktényezőjű ellenállás anyag készítésére
4 187201 5 tatja a 1 (.‘választási idő, mint a vastagság mértéke, függvényében. A vastagság csökkentésével nemcsak a négyzetes ellenállás növekszik, hanem a fajlagos ellenállás is, aminek a növekedése korrelált a hőfoktényező csökkenésével. A vastagság mérés pontatlansága miatt a leválasztási időt alkalmasabb használni, annál is inkább, mivel ez egyben az egyik technológiai paraméter. Kísérletileg kimutatható, hogy pl. a szokásos szulfátos Xi-P fürdőből, pH= 3 esetén 1 percnél kisebb leválasztási időnél 20-10—értéknél kisebb hőfoktényezőjű ellenállásréteget kapunk, melynek négyzetes ellenállása vastagságtól függően 10-—105 Ohm közötti érték. A 3. ábra a találmány szerinti kémiai redukcióval leválasztott amorf fémötvözetből készült ellenállás egy példakénti kiviteli alakját szemlélteti sík poliimid 11 hordozó esetén. Vékonyrétegek leválasztásakor a reprodukálhatóságot a réteg homogenitása biztosítja. E célból a 11 hordozót aktiválás után előmelegítettük 90 ,JC-ra egy gyenge leválasztó fürdőben, ami csak nyomokban tartalmazott Xi-t (kisebb, mint 10-3 s %) és a 20 hipofoszfit redukáló szer mennyisége is csak 1/4-e a szokásosnak (1—2 s %). így ez a fürdő egyben reaktiválta az aktiválás utáni mosás közben esetleg oxidált részeket. Példaként a szokásos szulfátos fürdőből pH=3 érték mellett, 90 °C-on, 30 s-ig választottuk le az amorf Xi-P 12 réteget a hordozó egyik oldalára. Az elkészült ellenállást 13 kivezetésekkel ellátni, azaz kontaktálni kell (pl. elektrolitikus réz bevonással,stb.) és a pontos értéket a szokásos módon beállítani. összefoglalva: A találmány szerinti eljárással olcsón, jó minőségű, kis hőfoktényezőjű ellenállást lehet előállítani kis sorozatok esetén is. A találmány szerinti amorf ellenállás anyagok további előnyös tulajdonsága, hogy kis ellenállás-hőfoktényezőjük —50.. . + 200 °C hőmérséklet tartományban érvényes, szemben a polikristályos (pl. manganin, konstantán) anyagokkal, amelyek csak a szobahőmérséklet körül kis hőfoktényezőjűek. Szabadnim i igénypontok 1. Kis hőfoktényezőjü ellenállás, melynek hordozó szerve, ellenállásrétege és kivezetései vannak, azzal jeli e m ez v e, hogy a hordozó (11) szerven, a két kivezetés (13) között 20-10_6/K-nél kisebb hőfoktényezőjű amorf fémötvözet ellenállás rétege (12) van. 2. Az 1. igénypont szerinti ellenállás kiviteli alakja, 5 azzal jellemezve, hogy a viszonylag kis ellenállású (10 Ohm—1000 Ohm) és 20-10_,!/K-nél kisebb hőfoktényezőjű, gyorshűtéssel előállított fémüveg szalag átmeneti fém (Fe, Co, Xi) — metalloid (P, B, Si, C) alapösszetételű és 5—12 %-ban titánt és/vagy vaná-10 diumot, és/vagy krómot és/vagy mangánt és/vagy zirkóniumot és/vagy molibdént és/vagy wolframot tartalmaz. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti ellenállás kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy hordozó (11) 15 szervre, jó hővezetésű kerámia hengerre, a jobb hőátadás — nagyobb teljesítmény biztosítása végett, lapos fémüveg szalag van tekercselve és forrasztással vagy ponthegesztéssel kontaktéivá a kerámia henger végeire illesztett rézsapkákhoz. 4. Az 1. igénypont szerinti ellenállás kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a viszonylag nagy ellenállású (1—100 kOhm), 20-lÖ_6/K-nél kisebb hőfoktényezőjű előnyösen Xilon_xI\. (15< x<22) összetételű kémiai redukcióval előállított réteg vastagsága maxi-25 műm 100 nm. 5. Az 1. vagy 4. igénypont szerinti ellenállás kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a hordozószerv poliimid lemez, melynek két végén kontaktálás céljára rézfólia van, az ellenállásréteg a hordozószerv felületén 30 és a rézfóliákon egyenletesen van kialakítva. 6. Eljárás az 1. vágj’ 3. igénypont szerinti 20-10-e/K- nél kisebb hőfoktényezőjű ellenállás anyag kialakítására, azzal jellemezve, hogy a megfelelő összetételű előöntecset olvadékállapotból síköntéssel 20 pm-35 nél vékonyabb és 1 mm-nél keskenyebb szalagformában amorf állapotba gyorshűtjük. 7. Eljárás az 1., 4. vagy 5. igénypont szerinti 20-10_6/K-nél kisebb hőfoktényezőjű ellenállásanyag kialakítására, azzal jellemezve, hogy a megfe-40 lelő összetételű 2,7—4 pH-jú, szulfátos fürdőből, hipofoszfit redukáló szerrel 70—90 °C-on, poliimid hordozóra 100 nm-nél vékonyabb amorf állapotú Xi-P réteget választunk le. 2 rajz (3 ábra) Kiü.líWrt f+l«*l: r Koz^siz-ijisáp Konyvki:«<l<'i 3
