175322. lajstromszámú szabadalom • Eljárás amplitudómaszk, struktúrával rendelkező fázismaszk előállítására
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS 175322 Nemzetközi osztályozás: G 11 B 7/00 G 03 C 5/00 w Bejelentés napja: 1977. II. 3. (ZE—454) Elsőbbsége: Német Demokratikus Köztársaság: 1976. IV. 30. (WP G 03 c/192 613) ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI Közzététel napja: 1979. XII. 28. HIVATAL Megjelent: 1981. II. 28. Feltalálók: Hansel Hartmut oki. fizikus, Neulobeda, Dr. Polack Wulf, oki. fizikus, Jena, Német Demokratikus Köztársaság Szabadalmas : VEB Carl Zeiss Jena, Jéna, Német Demokratikus Köztársaság Eljárás amplitudómaszk struktúrával rendelkező fázismaszk előállítására 1 A találmányunk tárgya eljárás amplitúdómaszk struktúrával rendelkező fázismaszkok előállítására optikai tároló és optikai jelfelismerés maszkjai számára, amelynél fotolitografikus és rápárologtatási eljárások kerülnek felhasználás- 5 ra. Ismeretesek olyan eljárások, amelyek során az amplitúdó- és fázismaszkot több különálló tartóra helyezik, majd egymáshoz képest mechanikailag és optikailag pozícionálják. Ezen eljárások 10 hátránya, hogy csak kevés, általában két maszk pozícionálható egymáshoz képest nagyobb optikai ráfordítás nélkül kis tűrésen belül. Nagyobb megvilágítási szögnél és az elhajlási jelenségek által fellépő hibák kiküszöbölésére na- 15 gyón finom struktúrájú tárgyakat egymáshoz képest nagyon kis távolságban kell pozícionálni. A két maszk ilyen kis távolságban való pozicionálása a tartók és a rétegek korlátozott sík jellege és a feltapadó porok miatt a réteg károsodásához 20 vezet. Amennyiben az optikai felépítésben különválasztott fázis- és amplitúdómaszkot alkalmaznak, akkor mindkét elem egymáshoz képest való beállításakor az optikai felépítésben lényeges beállítási ráfordítás lép fel. Továbbá harmadik in- 25 formációhordozó réteg bevitele (például analóg mformáció feldolgozásnál) nehéz, mivel az információhordozó réteg vastagsága nagyobb, mint a határos optikai rendszer mélységélesség tartománya. Ezen kívánt síkban történő optikai le- 30 175322 2 képezés műszaki és gazdasági ráfordítása magas. Célunk, hogy találmány szerinti megoldásunk segítségével a különválasztott fázis- és amplitúdómaszkok által fellépő nehézségeket a beállítás és az optikai leképzés során kiküszöböljük. Célunk találmány szerinti megoldásában olyan eljárást hozunk létre amplitúdómaszkstruktúrával rendelkező fázismaszkok előállítására optikai tároló vagy optikai jelfelismerés maszkjai számára, amelyek segítségével az elhajlás vagy ferde fénybeesés által létrejött hibákat és a struktúrák károsodását megakadályozzuk, a jelentős beállítási ráfordítást az optikai felépítésből áthelyezzük. A találmány szerinti eljárásunk során először önmagában ismert fotolitografikus eljárással amplitúdómaszkstruktúrát viszünk fel a tartóra, majd az amplitúdómaszkstruktúrára felvitt fotolakk-rétegbe fázismaszkstruktúra negatívját pontosan pozícionálva bepréseljük. Ezután a fázismaszkstruktúra negatívját meghatározott vastagságú optikai késleltetőréteggel vonjuk be. A fázismaszkstruktúra pozitívját oly módon állítjuk elő, hogy a negatív struktúra lakkját kioldjuk és krómsablon formájában kiképzett amplitúdómaszkstruktúra pozitívja marad vissza. Az optikai késleltetőréteg a teljes felületen egyenlő vastagságúra képezhető ki. Ily módon a maszk mindazon helyein, amelyek fázismaszk-
