175322. lajstromszámú szabadalom • Eljárás amplitudómaszk, struktúrával rendelkező fázismaszk előállítására

175322 4 3 struktúrával rendelkeznek, azonos az optikai kés­leltetés. Optikai késleltetőrétegként ceroxidot alkalma­zunk. A találmány szerinti megoldásunk segítségével egy tartón elhelyezett fázis- és amplitúdómaszk­­struktúrát hozunk létre és két struktúra közötti távolság a molekulatávolságok nagyságrendjébe esik. A két struktúra egymáshoz képest történő beállítása és pozicionálása az optikai felépítésen kívül lehetséges. A továbbiakban a találmány tárgyát példakén­­ti kiviteli alak kapcsán rajz alapján ismertetjük részletesebben. Az 1. ábra a találmány szerinti eljárás első lé­pését szemlélteti. A 2. ábra a találmány szerinti eljárás második lépését láttatja. A 3. ábra a találmány szerinti eljárás harma­dik lépését szemlélteti. A 4. ábrán a találmány szerinti eljárás negye­dik lépése látható. Az 5. ábra a találmány szerinti eljárás ötödik lépését szemlélteti. Az 1. ábrán látható 1 hordozót önmagában is­mert fotolitografikus eljárással krómsablonként kiképzett 2 amplitútódmaszkstruktúrával látjuk el. A krómsablonként kiképzett 2 amplitúdó­­maszkstruktúrát következő lépésben (2. ábra) 3 fotolakkréteggel vonjuk be. A 3. ábrán a 3 foto­­lakkrétegbe bepréselt fázismaszkstruktúra 4 ne­­gatívja látható, amelyet optikai 5 késleltetőréteg­gel vonunk be (4. ábra). Ezt követően a fázis-1 maszkstruktúra 4 negatívjának lakkját kioldjuk, a lakk feletti optikai 5 késleltetőréteg részeket kitörjük és ily módon a 2 amplitúdómaszkstruk­­túrán a fázismaszkstruktúra 6 pozitív ja marad 5 vissza. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás amplitúdómaszkstruktúrájú fázis- 10 maszkok fotolitografikus és rápárologtatási eljá­rásokkal történő előállítására optikai tároló vagy optikai jelfelismerés maszkjai számára, azzal jel­lemezve, hogy először önmagában ismert fotoli­tografikus eljárással hordozóra (1) amplitúdó-15 maszkstruktúra a negatívját (4) pontosan pozí­cionálva az amplitúdómaszkstruktúrára (2) fel­vitt fotolakkrétegbe (3) bepréseljük, majd a fá­zismaszkstruktúra negatívját (4) meghatározott vastagságú optikai késleltetőréteggel (5) bevon- 20 juk és a fázismaszkstruktúra pozitívj át (6) a ne­gatív (4) lakkjának kioldásával állítjuk elő. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosí­­tási módja, azzal jellemezve, hogy az amplitúdó­­maszkstruktúrát (2) krómsablonként képezzük 25 ki. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítá­­si módja, azzal jellemezve, hogy az optikai kés­leltetőréteget (5) a teljes felületen egyenlő vas­tagságúra képezzük ki. 30 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az optikai késleltetőrétegként (5) ceroxidot alkalmazunk. :, 5 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 80.427.66-42• Alföldi Nyomda, Dcfcrcceo —- Felelős vezető: Bcakő Istvdn igazgató 2

Next

/
Oldalképek
Tartalom