167184. lajstromszámú szabadalom • Elektronikus eszköz és eljárás annak gyártására

9 167184 10 szubsztrátum felületéhez. Hasonlóképpen az 52 elektródákat is ellátjuk vezető csatornákkal azokon a helyeken, ahol előzőleg a 48-ashoz hasonló nyílások száma és elhelyezése a tervezés követel­ményei szerint változhat, és nem kritikus a jelen találmány szempontjából. Továbbá a második szintű fémréteg 62-vel jelölt tartományát, vagyis a második elektróda-sorozat egyik tagját közvetlenül az első szintű 52 fémelektróda mellett állítjuk elő, úgyhogy az utóbbitól csak egy vékony 60 oxidréteg különíti el. Ez a megoldás több jelentős előnnyel jár. Az első az, hogy egy olyan eljárást biztosít, amely egymástól rendkívül szűk távolságra, mintegy 3000 Á-re, vagy annál is közelebbre levő elektródák előállítására alkalmas. A találmány szerinti megoldás másik előnye, hogy a szomszédos 62 és 52 elektródákat egyenletes vastagságú 46 szigetelő réteg választja el a 44 félvezető anyagtól. Ennek következtében a találmány szerinti töltés­csatolt eszközt azonos amplitúdójú óra-impulzusok­kal működtethetjük. A 8a—8e ábrákkal illusztrálva a szorosan egymás mellé helyezett elektródák előállítási eljárásának egy másik változatát ismertetjük. Ismét egy 44 szilícium szubsztrátumból indulunk ki, amelyet 46 szigetelő réteggel vonunk be. A 44 szubsztrátumra készítendő kontaktushoz pl. egy 48 lyukat hagyunk. A 46 szigetelő réteget és a 48 nyílást rágőzöléssel viszonylag vékony 64 alumíniumréteg­gel borítjuk be. A 64 réteget pl. 1000 Ä vastagságúra készíthetjük, bár ez a vastagság nem kritikus. Ezután a 64 alumíniumréteget a 64a gyűjtősín és az első szintű 64c fémelektróda alakja szerint mintázzuk. A 48 nyíláshoz vezető leendő kontaktus helyét 66 védőréteggel, pl. KMER-rel vonjuk be. Amint már az előbbiekben kifejtettük, védőréteget borítunk azokra a helyekre is, ahol az első szintű 64 fémelektródák kontaktusai részére (a leendő szigetelő rétegen keresztül) nyílásokat kívánunk biztosítani. A 64a gyűjtősínre elektromos feszültséget adunk, és az említett McMahon-féle szabadalmi bejelentésben leírt anódos oxidáló eljárással a 64 alumínium elektródák felületén egy viszonylag vékony alumíniumoxid réteget képe­zünk. A 68 alumíniumoxid réteg vastagsága pl. 3000 Á nagyságrendű lehet. Ezután a 64a gyűjtősín kivételével az elsző szintű 64 alumíniumréteg teljes felületét bevonjuk egy 69 védőréteggel, pl. KMER-rel. Majd a fedetlenül hagyott gyűjtősínt teljes keresztmetszetében alumíniumoxiddá alakít­juk. Az eljárás során eddig kialakult struktúrát a 8dábra szemlélteti. A következő lépésekben eltávo­lítjuk a 69 védőréteget, egy második szintű 70 alumíniumréteget gőzölünk a már meglévő rétegek fölé, és azt a második elektróda-sorozat alakjára mintázzuk. Amint a 8e ábrán látható, a második szintű fémréteg a 48 nyíláson át a 70a tartományban érintkezik a 44 szubsztrátum felüle­tével. Ezenkívül a 70b elektródarész alapfelülete azonos síkban fekszik az első szintű 64c fémelektródáéval, és tőle csak a 68 oxidréteg vastagsága választja el. Ennek az eljárásnak előnye, hogy az első szintű elektródákat egyetlen fémező lépés keretében alakítja ki. Most rátérünk a 9. ábrasorozatra, és a jelen találmány szerinti eljárás egy további változatát ismertetjük. Az első 72 alumíniumréteget ezúttal is a 46 szigetelő réteg felszínére választjuk el oly 5 módon, hogy az a 48 nyíláson át érintkezésbe kerüljön a 44 félvezető szubsztrátum felületével. A 72 első alumíniumréteg pl. 10 000 Á vastagságúra készíthető, és a 72a gyűjtősín, a 44 félvezető anyaggal érintkező 72b tartomány és az első szintű 10 72c fémelektróda alakjára mintázandó. A következő lépésben a 72a gyűjtősínt és a 72b érintkező tartomány egy részét valamilyen 74 védőréteggel, pl. KMER-rel vonjuk be. A 72a gyűjtősínre feszültséget kapcsolunk, és a 72 alumíniumréteg 15 fedetlen részeit anódosan oxidálva létrehozzuk az általában 76-tal jelölt oxidréteget. Ekkor a 72a gyűjtősín fölötti 74 védőbevonatot eltávolítjuk, és a 72a gyűjtősínt lemaratjuk a szakemberek által ismert maratószerek valamelyikével. Az eljárás ezen 20 pontjáig kialakult struktúrát a 9e ábra szemlélteti. Ezután a még meglévő 74 védőréteg foltokat eltávolítjuk és egy második 78 alumíniumréteget gőzölünk az eddigi struktúra felszínére. Ezt az alumíniumréteget a második szintű elektródák 25 alakja szerint mintázzuk, illetve maratjuk. A máso­dik szintű alumíniumréteg 78a tartománya az első szintű 72b alumíniumrétegen és a 48 nyíláson át kontaktust biztosít a 44 félvezető szubsztrátum felületéhez. A második szintű 78b fémelektróda és 30 az első szintű 72c fémelektróda szorosan egymás mellé kerülnek, és csak a 76 oxidréteg különíti el őket egymástól. Ennek a módszernek az az előnye, hogy a gyűjtősínt nem szükséges teljesen átoxidál­ni, hanem annak eltávolítását inkább valamely 35 megfelelő maratószer segítségével oldhatjuk meg. Végül a 10. ábrasorozat keretében a találmány szerinti eljárásnak még egy változatát ismertetjük. Az első szintű 72 alumíniumréteget most is pl. 40 5000 Á vastagságúra párologtatjuk, bár ezen rétegvastagságnak nincs meghatározó szerepe. Ezt az alumíniumréteget a 72a gyűjtősín, a 44 félvezető anyaggal a 48 nyíláson át érintkező 72b tartomány (elektróda) és az első szintű 72c 45 fémelektróda alakja szerint mintázzuk. Ekkor a 72a gyűjtősínt és a nyílást fedő 72b tartományt 74 védőréteggel, pl. KMER-rel fedjük be. Ezután a 72 első alumíniumréteg fedetlenül maradt részén 76 anódikus oxidréteget képezünk. Ekkor a 72a 50 gyűjtősín és a 72b tartomány feletti védőréteget eltávolítjuk, és egy második 80 alumíniumréteggel vonjuk be az egész struktúrát. A 80 alumíniumréte­get a második szintű elektróda-sorozat előírt alakjára mintázzuk. Ebben a mintázó lépésben a 55 fedetlen gyűjtősínt a második szintű alumínium­réteg egyéb felesleges részeivel együtt végig lemaratjuk. Ennek az eljárásnak az az előnye, hogy kevesebb lépést igényel, mivel a gyűjtősínt külön erre a célra szolgáló lépés nélkül távolítja el. 60 A 11. ábrán bemutatjuk a vázlatos elrendezését egy egymásba illeszkedő elektróda-rendszerrel bíró felületi hullámú 82 átalakítónak, amelynek első 84 elektródarendszere a második 86 elektróda-rendszer 65 hézagaiba illeszkedik.; Az átalakító középső műkö-5

Next

/
Oldalképek
Tartalom