161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

17 161065 18 tor egyenletesen juttatja a töltéseket a rétegnek viszonylag nagyellenállású részeire, addig az időpontig, amíg a rétegnek ebbe a folyamatba bevont része eléri a dörzselektromos 56 részecskék 54 tartályát, a töltés részbeni elszivárgás következtében lecsökkenhet, azaz kisebb töltési sűrűségre csökkenhet, és ennek mértéke az ellenállásnak függvénye. Az emlékező anyag rétegen a dörzselektromos részecskék sűrűség-mintázata összhangban lesz tehát a réteg különböző részei fölött levő töltés sűrűség változásával és a 60 nyomtató felületen levő nyomtatás tónusa és színezete ennek megfelelően változik. A 10. ábra olyan találmány szerinti kiviteli alakot mutat, amelynél az 50 villamos töltés generátor úgy van kialakítva, hogy az alkalmazkodó emlékező anyag 10 rétegén levő töltés kezdetben arányos az illető réteg részek ellenállásával. Ilyen esetben feltételezzük, hogy a 10 réteg viszonylag kis ellenállású, a 10C hivatkozási jellel jelölt részeken, míg a 10 réteg 13A részei viszonylag nagyellenállású állapotra vannak átalakítva a 44 sugár segítségével; ezek elhanyagolható szivárgást mutatnak és ilyen módon ideálisan, mint viszonylag szivárgásmentes szigetelők jelentkeznek olyan diszkrét kondenzátoroknál, amelyeket a réteg nagyellenállású állapotban levő 13A részei alkotnak. Amint azt fent tárgyaltuk, a 44 sugár energiájának változása az alkalmazkodó emlékező anyag 10 rétegének diszkrét 13A részein különböző fokú ellenállást vagy szigetelést állít elő. A diszkrét nagyellenállású 13A részek teljesen átterjedhetnek a 10C félvezető anyagon és nagyobb vagy kisebb mértékben rendezetlenek lehetnek, énnek megfelelően, nagyobb vagy kisebb ellenállásuk lehet, és ez attól a sugárenergia mennyiségtől függ, amelyet közöltünk az anyaggal, vagy csak részben nyúlnak be a félvezető anyagba, mégpedig különböző mélységekig, amint azt a 10. ábra mutatja és ez a mélység a közölt sugárenergia mennyiségétől függ, de előfordulhat együttesen mindkét eset is. Minden esetben a diszkrét 13A részek diszkrét kondenzátorokat alkotnak a 3 dob és a 10 réteg vagy film külső felülete között és ezeknek nagy kapacitásuk és nagy ellenállásuk van a 10C réteg vagy film többi részének kis ellenállásához képest és a nagyellenállás és kapacitás változó mértékű, a közölt energiától függően, amelyet a kialakításánál használtunk. A 13A részek által alkotott diszkrét kondenzátorok 52 helyen feltölthetők 50 töltőgenerátor útján és természetesen a kondenzátorokon kialakuló töltés arányos a kondenzátorok kapacitásával és azzal a feszültséggel, amelyet feltöltésükre alkalmazunk. Más szavakkal, a 13A részek által alkotott diszkrét kondenzátorok változó mértékben tölthetők fel a különböző diszkrét kondenzátorok ellenállásától és kapacitásától függően és ilyen módon, a félvezető 10 rétegen a dörzselektromos részecskék sűrűség mintázata vezérelhető úgy, hogy megfelelő tónust és színezetet biztosítsunk a 9. ábra szerinti készülékkel való nyomtatásnál. A 11. ábra a 10. ábrához hasonló elrendezést mutat, de hatásában annak fordítottja. Itt a félvezető anyagból levő 10 réteg vagy film normálisan viszonylag nagyellenállású állapotban van, amint azt 10A helyen jeleztük és elhanyagolható elszivárgású szigetelő, amelynek viszonylag nagy kapacitása van. A 10 réteg kiválasztott 13C részei viszonylag kisellenállású állapotban vannak a fent tárgyalt sugárenergia segítségével történt átalakítás következtében; a sugár energiáját olyan mennyiségekben közöljük, hogy az különböző fokú ellenállást vagy vezetőképességet állít elő ezen réteg diszkrét 13C részeiben. A diszkrét kisellenállású 13C részek kiterjedhetnek a 10A félvezető anyag teljes vastagságára és többé-kevésbé rendezettek lehetnek és ennek következtében kisebb vagy nagyobb ellenállást mutatnak, attól a sugárenergiamennyiségtől függően, amelyet ezekkel a részekkel közöltünk, vagy csak a rétegvastagság egy részéig terjedhetnek, amint azt all. ábra mutatja; ez attól függ, hogy mekkora volt az a sugár energia, amelyet közöltünk az anyaggal, de előfordulhat mindkét állapot is. A diszkrét 13C részek kisellenállású útvonalat alkotnak a nagyellenállású 10A rétegben, amelynek ellenállás értékei előre megválaszthatok, amint azt a fentiekben ismertettük, úgyhogy előre megállapíthatók a 10A réteg azon diszkrét részeinek ellenállás- 'és kapacitás-értékei, amelyek a diszkrét 13C részeket tartalmazzák. A 10A réteg vagy film 52 helyen 50 töltőgenerátor útján tölthető a fent ismertetett módon és a töltések változnak a diszkrét 13C részeken a 10A réteg vagy film más részeinek töltéséhez képest. Ilyen módon a dörzselektromos részecskék sűrűség-mintázata a félvezető 10 rétegen vezérelhető, úgyhogy ezálal a 9. ábrán bemutatott készülék segítségével a nyomtatványon megfelelő színezetet és tónust hozunk létre. Általánosan szólva: ha minden körülmény egyébként azonos, akkor all. ábra szerinti nyomtatvány a 10. ábra szerintinek a negatívja lesz. Rátérve most a 12. és 13. ábrákra, ezek az alkalmazkodó emlékező anyagok használatának egy másik alkalmazását szemléltetik. Amint előzőleg jeleztük, az emlékező félvezető anyagok fényáteresztő, fényvisszaverő, fénytörő és fényszóró tulajdonságai változtathatók a velük közölt energia változtatásával, amely fokozódóan változtatja annak helyileg rendezett körzeteit és/vagy elszigetelt kötéseit. A 12. ábra a memória tulajdonságú félvezető anyag 10 rétegét mutatja, amelynek két oldalán fényáteresztő vezető 74—74 rétegek vannak. Ezek a vezető rétegek 76—76 vezetők útján öszsze vannak kötve 78 impulzus moduláló eszközzel, amely a rajzon látható impulzussorozatot tud előállítani; az impulzussorozat váltakozva, rövid időtartamú változó amplitúdójú nagyáramú Pl, Pl' stb. impulzusokat tartalmaz és rögzített kisáramú nyújtott visszaállító P2 impulzusokat; ezen kétfajta impulzusok váltakoznak 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 9