161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

161065 19 20 egymással: az elsők az emlékező anyagnak legalább egyes részeit nagyellenlálású szigetelő állapotba hozzák, majd a másodikak azokat rögzített kisellenállású állapotukba állítják vissza. A visszaállító P2 áramimpulzusokat megfelelő feszültségimpulzusok állítják elő, amelyek túlhaladják az emlékező anyag küszöbfeszültség szintjét. Amint fentiekben (jeleztük, a P2 áramimpulzusok értékét elég nagyra és időtartamukat elég hosszúra (például 100 millimásodpercre vagy ennél hosszabbra) választjuk a példaként ismertetett anyagnál úgy, hogy az emlékező anyagból levő réteget minimális értékű kisellenállású állapotába állítjuk vissza, függetlenül a visszaállításra kerülő réteg nagyellenállású állapotától. Minden fénnyel való megvilágítás, amely a memória tulajdonságú 10 réteget éri, összhangban lesz azzal a változással, amely a rétegnek változó fényáteresztő, fényvisszaverő stb. tulajdonságaiban bekövetkezett. A 12. ábrán az emlékező anyag egy alkalmazását mutattuk be, ahol a 10 rétegen átbocsátott fény mennyiséget változtatjuk meg, úgyhogy a réteg fénymoduláló eszközként hat. Adott hullámhosszúságú monokromatikus 80 fényforrás fényét 82 lencse az emlékező anyag 10 rétegén fókuszálja. A 10 rétegen áthaladó 83 fénysugarat 84 lencse fókuszálja 88 fénydetektor eszközön, amely fényérzékeny film vagy más fényérzékeny közeg 86 felülete lehet, amelyen a modulált fénysugarat rögzítjük vagy kijelezzük. A 13. ábra a 10 réteg „átv" százalékos fényáteresztő karakterisztikájának változását mutatja a réteget megvilágító fény h. h. hullámhossz változásának függvényében. Amint ábrázoltuk, olyan fényt, amelynek hullámhossza Ll érték alatt van, nem bocsát át a 10 réteg, míg az L2 hullámhosszúság feletti fényt maximális mértékben átbocsátja a 10 réteg; végül az olyan fényt, amelynek hullámhossza Ll és L2 között van, fokozódóan növekvő mértékben ereszti át a réteg a hullámhossz növekedésével. Egy adott hullámhossz, mint például Ll' esetében a fényáteresztés mértéke a 10 rétegen át függ attól, hogy mennyire változtattuk meg az alkalmazkodó emlékező anyag helyileg rendezett körzeteit és/vagy elszigetelt kötéseit a fényáteresztés helyén. Ezt az esetet példaképpen mutatja a 13. ábrán a C9, C10 és Cll görbékből álló sorozat. Ezek a 10 rétegen keresztül történő fényáteresztés változását mutatják, az áthaladó fény hullámhosszának függvényében azokon a helyeken, amelyeken a helyileg rendezett körzeteket és/ vagy az elszigetelt kötéseket fokozódó mértékben megváltoztattuk a növekvő nagyellenállású állapotok irányában. Az Ll' hullámhossznál az emlékező anyag fényáteresztő karakterisztikáját a C9, C10 és Cll görbék által képviselt ellenállás állapotban a fokozatosan csökkenő mennyiségű fényáteresztő TI, T2 és T3 %-os értékek mutatják. Az emlékező anyagból levő réteg fényvisszaverő tulajdonsága is változik az anyag helyileg rendezett körzetei és/vagy elszigetelt kötései változásával. Ilyen módon a 14. ábra az emlékező anyag 10 rétegét mutatja, amelyen fényáteresztő vezető 74—74 elektródok vannak és ezek impulzus moduláló 78 eszközzel vannak összekötve, amint azt fent ismertettük. A monokromatikus 80' fényforrás 83' fénysugarat irányít megfelelő Szög alatt a 10 rétegre és fénydetektor 88' eszköz felfogja és méri a 10 réteg által visszavert fényt. A 15. ábra az emlékező anyag 10 rétegének fénytörésben beálló változásán alapuló alkalmazását szemlélteti, amely a helyileg rendezett körzetekben és/vagy az elszigetelt kötésekben bekövetkező változások következtében áll elő. Itt a monokromatikus 80" fényforrás úgy van elhelyezve, hogy 83" fénysugarat irányít megfelelő szög alatt a 10 rétegre, úgyhogy a fénysugár bizonyos fokban elhajlik, attól függően, hogy a memória anyag 10 rétege milyen állapotban van. Az átlátszó vezető 74—74 rétegekhez, ugyanúgy, amint azt a 12. és 14. ábrán bemutatott kiviteli alakoknál láthattuk, impulzus moduláló 78 eszköz van kötve. Az impulzusok megváltoztatják a réteg állapotát, amint azt már az előzőkben ismertettük. Az a szög, amely alatt a 83' fénysugár elhagy-" ja az emlékező anyag 10 rétegét, változni fog és ennek megfelelően a 88 réteg vagy film 86 felületének különböző részeit fogja súrolni, vagy különböző 88 regisztráló vagy detektor eszközre jut. Megjegyezzük, hogy a fentiekben ismertetett találmány számos különböző kiviteli alakban valósítható meg a találmány körén belül. Például a találmány tárgyának egy tágabb értelmezése szerint az emlékező anyagból készült rétegre, amely egy dobon van elhelyezve, töltést viszünk fel és ezen töltéseket átvisszük a nyomtatásra kerülő felületre és erre a felületre juttatjuk a dörzselektromos vagy más festékrészecskéket. Egy másik változatnál, amelyik a találmány tárgyának tágabb értelmezésén belül van, sokszög keresztmetszetű dob alakzatot használunk, amelynek palástján több lapos felület van, amelyeket emlékező anyagból levő réteg borít, úgyhogy az információ könnyen vihető fel a rétegre azáltal, hogy a teljes energia mintázatot egyidejűleg vetítjük a dobfelület egy lapos részére és ilyenkor nincs szükség arra, hogy a dobot letapogassuk. Ahol elektronsugarat használunk arra, hogy a félvezető anyagból levő filmben vagy rétegben a diszkrét részeket kialakítsuk, az elektronsugár olyan eszközként is felhasználható, amely a filmet vagy réteget és/ vagy annak diszkrét részeit <villamosan feltölti. Ahelyett, hogy a réteget vagy filmet letapogatnánk olyan energiával, amely a félvezető anyag rétegében vagy filmjében információ alakzatot hoz létre, keresztpontos rács is használható, amelyhez kapcsoló áramkör csatlakozik, amely az energiát a réteg vagy film diszkrét részeire 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 10