159333. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szigelő rétegnek szigetelő réteggel való összekötésére
5 159333 dául 100—300 vagy több mikroaimper/cm2 értékről egy nagyon kis értékre. A kitűzött célnak leginkább kis áram felel meg. Minél nagyobb a feszültség és ennek megfelelően az áram, annál kevesebb időre van szükség, és fordítva. Gyakorlati felhasználások folyamán az áramsűrűség- általában 3-—20 mikroamper/ ,'mm2 között, a folyamat ideje pedig 1—3 perc között van. A következőkben szervetlen szigetelőnek másik szervetlen szigetelőhöz való találmány szerinti erősítésére jellemző példákat ismertetünk. Az eljárás foganatosítására, az 1. ábráin vázlatosan szemléltetett elrendezést használjuk. Az, egyik példánál a 10 szigetelő lényegében alkáliamentes keményüveg, a 12 alaptest pedig bórszilikát üveg volt, amelyen SiO elpánologtatásával tapadó sziliciumszuboxid bevonatot hoztunk létre. A szigetelő 0,05 mm vastag, az alaptest pedig 0,5 mm vastag volt. A sziliciuimszuboxid film vastagsága szokásosan használt módon 2000 és 5000 angstrom között volt. Az egységet 600 C° és 700 C° közötti hőfokra hevítettük fel. Az anyagrétegekből álló egységre egyenáramú 16 áramforrást kapcsoltunk. A negatív pólust a szigetelőre kötöttük és 1000 volt körüli kis áramot keltő feszültséget alkalmaztunk. A szigetelő és a 11 szigetelőréteg között körülbelül 3 perc alatt jó kötést kaptunk. A szigetelő üveganyaga lényegében szimmetrikus feszültség eloszlási karakterisztikájú. Hasonló eredményeket kaptunk akkor, ha fordított feszültséget alkalmaztunk. 10 szigetelőként kvarcüveget alkalmazva szintén hasonló eredményeket kaptunk. Egy másik példánál mind a 10 szigetelő, mind a 12 alaptest 0,25 mm vastag bórszilikát üveg volt, amelyek közé a 12, alaptesten sziliciumszuboxid réteget alkalmaztunk. Az egységet körülbelül 500 C°-ra hevítettük fel és a feszültséget egy egyenáramú forrásról körülbelül 3 percig kapcsoltuk az egységre. A 10 szigetelő eleimet negatívnak választva körülbelül 20 mikröamper/mm^s áramot kaptunk. Egy olyan példánál, amelynél a 12 alaptest fémes molibdén volt, amely SiO rápárolagtatásával létrehozott körülbelül 5000 angstrom vastagságú 11 szigetelő réteget tartott, és a 10 szigetelő 0,25 mm vastag bórszilikát üveg volt, a szigetelőket körülbelül 500 C° hőmérsékletre hevítettük és a kötést kb. 20 imikroamper/mm2! nagyságú egyenáramnak kb. 3 percig való alkalmazása révén értük el. A bórszilikát üveget választottuk negatívnak. Kötést értünk el általában hasonló körülmények között azzal az eltéréssel, hogy a 12 alaptest molibdén helyett nikkel volt. Az egyik műveletnél a sziHciumszuboxid réteg körülbelül 2000 angstrom Vastag és a másik esetben körülbelül 8500 angstrom vastag volt. Egy további példánál a 12 alaptest 0,25 mm vastag sziliicium volt, amelyen körülbelül 2000 angstrom vastagságú tapadó szilieiumnitrid réteget formáltunk ki. A 10 szigetelő 0,25 mm vastag bórszilikát üveg volt, amelyet körülbelül 500 C°-ra hevítettünk föl. Egyenáramú áramforrást kapcsoltunk az egységre, a 10 szi-5 getelőt negatívnak választottuk és körülbelül 1 percig körülbelül 3 mikraamper/mmá erősségű áramot bocsátottunk keresztül. A. 2. ábrán a találmány alkalmazására olyan 10 példa látható, amelynél egy hálózatot, illetve áramkört tokozás jelleggel zárunk el a környezettől és tömítetten zárt vezető csatlakozóvégeket is létesítünk. A találmány szerinti eljárásnak ennél a foganatosítási módjánál a 40 15 üveglapot vékony, filmszerű 41, 42 és 43 áramkörök fölé erősítjük, amelyeket a rajz vázlatosan szemléltet. Ezek az áramkörök a 44 alaptesten valamilyen jól ismert módon erősíthetők meg. A 45 sziliciumszuboxid filmet, illetve 20 réteget az áramkörök fölé SiO párologtatása révén juttatjuk, és a 40 szigetelő üveglapot a 45 sziliciumszuboxid filmhez a találmányunk szerinti eljárás révén erősítjük. A 41, 42 és 43 áramkör-elemeknek kinyúló 41a, 42a, illetve 25 43a vezető csatlakozóvégei vannak. Jól látható, hogy az áramkörök hermetikusan el vannak zárva és a burkolt, védett áramköröket vezető csatlakozóvégek kötik össze a külső környezettel. Találmányunk elvi alapjainak alkalmazása 30 révén nagyon sok hasonló felhasználásra van lehetőség. A használt szigetelő anyagok és a 40 szigetelő 45 sziliciumszuboxid réteghez való kötésének feltételei a körülményektől függően vál-35 fázhatnak, és a kötés az 1. ábrával kapcsolatban előzőkben ismertetett példák valamelyikének megfelelően hajtható végre. így összeköthető sziliciumszuboxid réteggel ellátott alaptest és bórszilikát üvegből való felső szige-40 telő is. A rajz 3. ábráján a 30 és 31 üvegtestek érintkező felületei síkok és a 32 áramforrás áramköre a réteges egységen keresztül zárul. A 33 tartólap a rétegekből álló egység melegítésére 45 is szolgál és e célból a 33 tartólapba elektromos ellenállás-fűtőtest építhető be, aniely a 34 és 35 érintkezőkön keresztül csatlakozik egy fel nem rajzolt áramforráshoz. Az üvegtestek más módon is félhevíthetők, így például in-50 dukoiós hevítéssel vagy az egységnek kemencébe helyezése révén. A 32 áramforrás alkalmas arra, hogy az összetett egységen áramot vezessen keresztül, és e célból az áramforrásnak 36 csatlakozópontja a. 33 tartólapon levő 55 37 csatlakozóponttal van összekötve, az áramforrás másik, 38 csatlakozópontja padiig a 30 üvegtest felső felületével a 39 érintkezőn keresztül van összeköttetésben. A 39 érintkező a 30 üvegtesttel közvetlenül érintkezhet, Vagy 60 ha ez kívánatos, ezek között körülbelül 1 mm nagyságú kis távolság lehet, aminek révén" a 39 érintkező és 30 üvegtest között nagy villamos térerősség jön létre, ez ionizálja a levegőt, és a légrésen és egységen kis áram folyik 65 keresztül. Az áramforrás a legtöbb esetben elő-3
