156555. lajstromszámú szabadalom • Eljárás Ge és Si epitaxiális egykristály zártrendszerű, szakaszos leválasztására
156555 Szabadallmi osztály: 40 d 3/00 Nemzetközi osztály: C 22 f 3 00 Deci mái osztályozás: 669.2/.8—172
/
