156555. lajstromszámú szabadalom • Eljárás Ge és Si epitaxiális egykristály zártrendszerű, szakaszos leválasztására

156555 Találmányunk harmadik eljárási módját a 4. ábra szemlélteti. Lényege az, hogy egymásután kettő, de esetleg több reaktort is működtethetünk, ezáltal termelésünk gazdaságosabb lesz. Ebben az esetben szükségtelenné válik az 1000— 1300 C°-os szilíciumtöltetes kemence is, mert az 1 reaktorban levő 3 grafithordozó sziliicizálásakoir keletkező sósav + hi drogéngáz-keverék a 2 reaktorban már felhasználható, mint leépítő keverék, mely hivatva van a mechanikai megmunkálásból származó károsodott réteg eltávolítására és hibátlanabb, tökéletesebb epitaxiális film létrehozására. A sailícium-szubsztrátumokat 4 számmal jelöljük, a fűtést 5 számmal. A beáramló hidrogéngázt 6 számmal, a szilícium-halogénöket tartalmazó párologtató edényt 7 számmal, az áramlás sebességét mérő rotamétert 8 számmal jelöljük. A 9 számmal két kétíuratú csapot, a 10 számokkal pedig három darab hároimfuíaitú csapot jelölünk, melyekkel a gázáramlás irányát szabályozzuk. Ezzel az új megoldással tehát kettő, vagy több reaktor időben eltolt működtetése esetén, mindig rendelkezünk á fiilmjnövesztés után kilépő, a károsodott réteg eltávolítására alkalmas sósav -f- hidrogéngáz-eleggyel. A sósav 1 : 100 arányú hígítása esetén, percenként 0,5—2 /x-t lehet a felületiből eltávolítani, de a hőmérséklet emelésével ezt az ütemet meg leihet gyorsítani. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás Ge és Si epitaxiális egykristály leválasztásánál a reaktoron belül a károsodott 10 15 20 25 30 réteg halogénsavas felületleépítésére, Ge—Si halogén bonitásárvtal az epitaxiális réteg növesztése előtt, azzal jellemezive, hogy a rétegnövesztésre alkalmazott reaktorban és/vagy az epitaxiális réteg előállítására alkalmas Ge, illetve Si halogén vegyületét előállító Ge és Si forrás és a reaktor között, hidrogén egyidejű adagolása mellett píirolízissel halogénsavat szabadítunk fel és ezzel a félvezető felületen levő károsodott rétegeket eltávolítjuk. 2. Az 1, igénypont szerinti eljárás foganato-, sítása azzal jellemezve, hogy a halogén és hidrogéngáz keverékét Ge, illetve Si rögöket tartalmazó tölteten vezetjük át és a Ge és Si rögökkel többszörösen ütköztetjük. 3. Az 1. és 2. igénypontok szerinti eljárás foganatosítani módja azzal jellemezve, hogy a soriban első reaktorba bevitt Ge, illetve Si halogént a hőátadásra szolgáló grafittesttel ütköztetjük, és a grafittest hevítésével balogénsav gázt állítunk. elő. 4. A 2. és 3. igénypontok szerinti eljárás foganatosítása módja azzal jellemezve, hogy a leépítés alatt mitnd a töltetet, minid a lapkákat fűtjük, majd a növesztés alatt a töltet fűtését kikapcsoljuk. 5. Berendezés az 1—4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítására, azzal. jellemezve, hogy az első hőzóna és a második hőzóna reaktor sorosan van kapcsolva. 4 rajz, 4 ábra Figyelembe vett nyomtatvány: 1,004.245 számú angol szabadalmi leírás. A kiadásért íele!: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7007082. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3