128423. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szelénelektródával ellátott, rekesztőréteges elektródarendszer előállítására
2 128423. a második a szelén vezetővé tételét bevégzi. Kitűnt, hogy ezzel a rekesztőréteg sűrűségét, egyenletességét és tapadását előnyösen befolyásoljuk. 5 Ez az eljárás kiváltképen a rekesztőréteg képződésének ama fajtájánál hagy jelentőségű, melynél a szelén felületi kezelését alkalmazzuk, hogy az anyagot (Ja szelént és, illetve vagy ennek adalékát) a feto lületen nem-vezetővé tegyük. Ilyen eljárást ismertet pl. a 826.933. számú francia szabadalmi leírás. Ekkor igen előnyös, hia egymást követően rekesztőréleget képező több kezelést alkalmazunk, amikoris cél-15 szerű, ha az előző kezelést alacsonyabb hőmérsékleten végezzük, mint az utána következőt. A magas hőmérsékletű kezeléssel tudvalevőleg a szelén mindinkább való átalakulása jár, minthogy a rekesztőréteg 20 alkalmazásának időpontját következetesen akként választjuk, hogy ekkor az Sec -be való átalakulás még nem ment teljesen végbe. Másrészt azonban a rekesztőréteg számára már jó alap keletkezett, mint-25 hogy a felületen a kristályos SeB -szelén mindenesetre már kialakult. A szelén a rekesztőréteg képezéséhez való anyagok befolyásával szemben különösen érzékenynek mutatkozik a más mó-30 dosulatba való átmenetének előhaladása közben. Ha tehát a második kezelést az első kezelésénél magasabb hőmérsékleten alkalmazzuk, biztosak lehetünk abban, hogy a szelén átalakulásának ez az elő-35 haladása bekövetkezik. A következőkben a találmány szerinti elektródarendszer teljes foganatosíiási példáját ismertetjük, mimellett több más rendszabályt is megmagyarázunk, amelye-40 ket a találmány alapgondolatával előnyösen összeköthetünk. Megömlesztett szelénhez a vezetőképesség növelésére adalékot keverünk. Számos ilyen adalék alkalmazható. 0,1—0.2°/o, pl. 45 0.12"/o cirkóniumkloridot adhatunk hozzá. E keveréket folyékony állapotban forgó alumíniumtárcsa közepére visszük fel, amelyet előzetesen jobb tapadás elérése végett érdesítettünk és cink- vagy szénré-50 tegekkel láttunk el. (Lásd egyebek között a 122819. 1. sz. szabadalmi leírást.) A centrifugális erő következtében a szelén a felületen egyenletesen oszlik el (lásd a 125252. 1. sz. szabadalmi leírást). A kelet-55 kezett szelénréteg pl. 80 mikron vastagságú. A szelénréteggel ellátott hordözólemezre most érdesített oly csillámtárcsát fektetünk, amelyet a szelénre néző oldalán előzetesen olyan folyadékkal vontunk be, 60 mely a megfelelő adalékú szelénre való hatása révén rekesztőréteget létesít. E folyadékoknak aránylag magas forrpontúaknak kell lenniök, minthogy a behatás gyakorlatilag 160 C° hőmérsékleten megy vég- 65 be és meg kell akadályoznunk, hogy a folyadék túlgyorsan elgőzölögjön. Kitűnt továbbá, hogy előnyösen alkalmazhatunk oly anyagot, melyben a szelén kissé oldódik. Valószínűleg annak következtében, 70 hogy a szelénrészecskék a felületen oldódnak, a szelénre és adalékaira való behatás jelentékenyen erősebb, úgy hogy az; anyagnak felületi nem-vezetővététele jobban sikerül. Jó eredményeket értünk el 75 lúgosán reagáló anyagokkal. Valószínűleg szerepet játszik mind a cirkóniumkloritf átalakulása cirkóniumoxiddá, mind magára a szelénre való behatás is. Az azonban még nincs kiderítve, hogy a szelénre való 80 behatás pontosan milyen. A behatásra hozandó, ismertetett tulajdonságú am^ag példájaként a chinolint nevezzük meg. A szelénréteget és csillámtárcsát a közöttük levő chinolinnal gyakorlatilag ,160 85 C° hőmérsékletű sajtóban sajtoljuk össze. Ez a kezelés kb'. 5 percig tart. A sajtolófolyamat következtében a szelénréteget még jobban tesszük egyenletes vastagságúvá, és még jobban tömörítjük, minta cen- 90 trifugálófolyamat révén. Egyúttal a chinolin hatására az első rekesztőrétegképződés megy végbe. Mint a 826933. számú francia szabadalmi leírásból kitűnik, korábban ezzel a rekesztőrétegképződéssel beérték 95 és csupán még utókezelést alkalmaztak, hogy a sajtó alatt képződött SeB -t a jól vezető Se c -be A^ezessék át. A találmány alapelve világosan abban érvényesül, hogy most még egy rekesztő- 100 rétegképző kezelést alkalmazunk azon a szelénen, amely a kristályos Se B -módosulatba már átment, azonban a jól vezető kristályos Sec -szelén végleges alakját még fel nem vette, ennek megfelelően, miután 105 az egészet a sajtóból kivettük és a csillámlemezt eltávolítottuk,, a szelénelektróda felületére ismét chinolint viszünk fel. A chinolint célszerűen felfecskendezzük. Ennek révén a felületen jó elosztást kapunk. 110 A sajtó alatt a sajtó nyomása révén kapott szelénfelület és a chinoün közötti benső érintkezés most annak révén létesül, hogy
