161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

ii zását azáltal, hogy nagy amplitúdójú és rövid időtartamú energiaimpulzusokat közlünk a félvezető anyag diszkrét részeivel. Utalva a 7. ábrára, megjegyezzük, hogy ha a 5 szaggatott vonalú Cl' görbével példakénti feltüntetett félvezető anyagok nagyellenállású HR állapotban vannak, amely lényegileg rendezetlen és általánosan amorf állapot és ha megakarjuk változtatni, vagy be akarjuk állítani azt a kis- 10 ellenállású LR állapotra, a szóban forgó és energiatartományba bevont anyag diszkrét részeire fokozatosan növekvő energiaimpulzusokat adva egészen az El' energiatartományig, a HR ellenállás értékben ennél az anyagnál nem követke- 15 zik be lényeges változás. Ha azonban az El' energia szintet meghaladjuk, az érintett félvezető anyag ellenállása hirtelen meredeken csökkenni kezd kis ellenállású LR állapotába, amelyet E2' energiaszintnél ér el, ami valamivel na- 20 gyobb, mint az El' energiaszint. Ebben az összefüggésben ezen félvezető anyagoknál gyors változás következhet be a félvezető anyag helyileg rendezett körzetei és/vagy elszigetelt kötései állapotában az El' és E2' energiaszintek között és 25 ez gyors változást idéz elő a lényegileg rendezetlen és általánosan amorf nagyellenállású HR állapotból a rendezettebb kisellenállású LR állapotba. Példaképpen, egy tipikus félvezető anyagnál az ellenállás értéke megváltozhat kb. 30 10ü ohm-ról kb. 10

2

ohmra kb. 1 millimásodperc időtartamú áramimpulzus hatására, amelynek amplitúdója kb. 5 milliaimper, vagy ezzel egyenértékű sugárenergia impulzus nyomán, vagy valamely hasonló módon. Továbbá azt találtuk, 35 hogy ha az energiaimpulzuslban levő energia nagyobb, mint az itt említett, akkor a félvezető anyag ellenállásértéke kisellenállású állapotában tovább fog csökkenni — amint azt a C3' görbe szemlélteti a 7. ábrán — egy alacsonyabb LRA 40 ellenállás értékre, ahol az áram vagy az egyenértékű energia amplitúdója kb. 50 milliamper lehet. Ez a megnövelt energia amplitúdó még rendezettebb állapotot és/vagy nagyobb méretű geometriai alakzatot okozhat a kisellenállású útiban, 45 amely a félvezető anyagon át vezet, és még kisebb LRA ellenállás értéket biztosít. Ilyen módon a kisellenállás érték végül is meghatározható az energiaimpulzus energia amplitúdójával, amely megváltoztatja a félvezető anyagok diszk- 50 rét részeinek nagyellenállású állapotát és kisellenállású állapotukba hozza azokat. Rátérve a 8. ábrára, megjegyezzük, hogy a félvezető anyagok, amelyeket példaképpen a C2!

55 görbe képvisel, kisellenállású LR állapotukban vannak, amely rendezettebb állapot és ha meg akarjuk változtatni ezt, vagy vissza akarjuk állítani őket a nagyellenállású HR állapotba és fokozatosan növekvő energiaimpulzusokat köz- 60 lünk az energia tartományba bevont anyaggal, akkor egészen El' szintig nem lesz lényeges változás az anyag LR ellenállásában. Ha azonban az energiaszint El' értéket túllépjük, az érintett félvezető anyag ellenállása hirtelen meredeken nö- 65 12 vekedni kezd nagyellenállású HR állapotáig, amelyet E2' energiaszintnél ér el, amely valamivel nagyobb, mint az El' energiaszint. Ezzel kapcsolatban gyors változás következhet be a félvezető anyag helyileg rendezett körzetei és/vagy elszigetelt kötései állapotában az El' és E2' energiaszintek között, ami a kisellenállású rendezettebb LR ellenállású állapot gyors megváltozására vezet, a lényegileg rendezetlen és általános amorf nagyellenállású HR ellenállás-állapotba, amely a hirtelen hűléssel be van fagyasztva. Példaképpen, egy tipikus félvezető anyagnál az ellenállás kb. 102 ohm értékről kb. 10

6

ohm értékre változtatható kb. 2 mikromásodperc időtartamú áramimpulzus segítségével, amelynek amplitúdója kb. 100 milliamper, vagy ezzel egyenértékű másfajta energiaimpulzus segítségével, amely például sugár energia, vagy más hasonló energia lehet. Továbbá azt találtuk, hogy ha az energiaimpulzusban levő energia nagyobb, mint az itt említett, akkor a félvezető anyag ellenállás értéke nagyellenállású állapotában tovább növekszik — amint azt C4' görbe jelzi — és nagyobb HRA ellenállás értéket vesz fel, amint azt a 8. ábra mutatja, ahol az áram vagy az egyenértékű energia amplitúdója kb. 1 amper lehet. Ez a megnövelt energia amplitúdó egy még rendezetlenebb és általánosan amorf állapotot idézhet elő és/vagy további változásokat okozhat a félvezető anyagon át vezető útvonal geometriai alakzatában és ezáltal még nagyobb HRA ellenállásértéket biztosít. Ilyen módon a nagyellenállás érték végső fokon meghatározható azoknak az energiaimpulzusoknak energia amplitúdójával, amelyek a félvezető anyagok diszkrét részeinek kisellenállás értékét nagyellenállás értékre változtatják. A memória tulajdonságú félvezető anyagok között vannak olyanok, amelyeknél viszonylag nagy az energia szintkülönbség azon szint között, amelynél az érintett anyag ellenállás értéke változni kezd és azon szint között, amelynél a végső ellenállás értékét eléri; ezen energiaszinteket az El és E2 hivatkozási jelek jelölik a 7. és 8. ábrán, míg az ilyen anyagokra vonatkozó görbéket a 7., illetőleg 8. ábrán Cl, ill. C2 hivatkozási (jelekkel jelöltük. Az ilyen anyagokat a továbbiakban „alkalmazkodó" emlékező anyagoknak nevezzük. Lehetséges, hogy ezeknél az emlékező félvezető anyagoknál a helyileg rendezett körzetek és/vagy elszigetelt kötések változásának üteme, amellyel az anyagok lényegileg rendezetlen és általánosan amorf nagyellenállású állapotuk és rendezettebb kisellenállású állapotuk között változnak, lassúbb, mint más emlékező félvezető anyagoknál és hogy az átalakulási hőmérsékletek, amelyeknél ezek a változások 'bekövetkeznek, nem olyan élesek vagy kifejezettek. Ennék eredményeként a Cl és C2 görbék a 7. és 8. ábrán az El és E2 energiaszintek között laposabb dőlésűek, mint a szaggatott vonalú Cl' és C2' görbék, amelyek más emlékező félvezető anyagokhoz tartoznak. Utalva a 7. ábrára, ahol az alkalmazkodó em-6