161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére
13 161065 14 lékező anyag, amelyet Cl hivatkozási jel jelöl, nagyellenállású HR állapotában van, amely lényegileg rendezetlen és általánosan amorf állapot és olyan energiaimpulzust közlünk vele, amelynek energiája kisebb, mint El, akkor nincs 5 lényeges változás a HR ellenállás értékben. Ha azonban az El energiaszintet túllépjük, az anyag ellenállása lassan csökkeni kezd a Cl görbe mentén. Meghatározott mennyiségű energia közléssel az eredményként kapott ellenállás állapot 10 a Cl görbe mentén előre megválasztható és összhangba hozható a kívánt ellenállás értékkel a HR és LR ellenállásértékek között. Ezzel kapcsolatban a félvezető anyag helyileg rendezett körzeteiben és/vagy elszigetelt kötéseiben változás 15 következhet be az El és E2 energiaszintek között és az ilyen változás mértéke összhangban van azzal a bizonyos energiaszinttel, amelyet az anyag diszkrét részével közöltünk és ezáltal megválasztott fokú változást idéz elő, kiindulva 20 a lényegileg rendezetlen és általánosan amorf, nagyellenállású HR állapotból a rendezettebb kisellenállású LR állapot felé, amely be van fagyasztva. Példaképpen egy tipikus alkalmazkodó emlékező félvezető anyagnál az ellenállás meg- 25 Változtatható kb. 106 ohm ellenállás értékről kb. 102 ohm ellenállás értékre olyan áramimpulzus segítségével, amelynek időtartama kb. 1 millimásodperc és amplitúdója kb. 5 milliamper, vagy ezzel egyenértékű sugárenergia impulzus- 30 sal vagy valamely hasonló fajta energiaimpulzussal. Hogy közbenső ellenállás értéket kapjunk a Cl götfbe mentén a HR és LR ellenállás \ értékek között, a közölt energia 10~9 és 10~ B joule értékek között lehet és a megfelelő ener- 35 giát az impulzus időtartam és amplitúdó megfelelő megválasztásával határozzuk meg. Mint a többi félvezető anyagokban, ebben a félvezető anyagban is tovább csökkenthető az ellenállás értéke LRA értékre, amint azt a C3 görbe mu- 40 tatja, ahol az áram vagy az egyenértékű energia amplitúdója kb. 50 milliamper lehet. Rátérve most a 8. ábrára, ahol az alkalmazkodó emlékező anyag kisellenállású LR állapotban van, amely a rendezettebb állapot és olyan energia impulzust közlünk vele, amelynek értéke El-nél kisebb, akkor nincs lényeges változás az LR ellenállás értékben. Ha azonban az El energiaszintet túllépjük, az anyag ellenállasa lassan növekedni kezd a C2 görbe mentén. Adott kiválasztott mennyiségű energia alkalmazásánál az eredményként kapott ellenállás állapot a C2 görbe mentén előre megválasztható és összehangolható a kívánt ellenállás értékkel az LR és HR értékek között. Ezzel kapcsolatban a félvezető anyag helyileg rendezett körzeteiben és/vagy elszigetelt kötéseiben változás történhet az El és E2 energiaszintek között, aminek következtében a rendezettebb és kisellenállású LR állapotból a lényegileg rendezetlen és általánosan amorf állapot felé történik változás, amelyet hirtelen hűtéssel befagyasztunk. Az ilyen változások mértéke összhangban van a közölt energia szintjével és megválasztott fokú változtatást hozunk létre a rendezettebb állapotból a lényegileg rendezetlen és általánosan amorf állapot felé és ezt befagyasztjuk. Példaképpen, egy tipikus alkalmazkodó emlékező félvezető anyagnál az ellenállás megváltoztatható kb. 102 ohm ellenállás értékről kb. 10B ohm értékre olyan áramimpulzus alkalmazásával, amelynek időtartama 2 mikrömásodperc és amplitúdója kb. 100 milliamper, vagy ezzel egyenértékű más energia impulzus segítségével, amely például sugárenergia vagy hasonló lehet. Hogy közbenső ellenállás értéket kapjunk a C2 görbe mentén, az LR és HR ellenállás értékek között, a közölt energia kb. 10-8 és kb. 10~5 joule között lehet és a megfelelő energiát az impulzus időtartam és az amplitúdó megfelelő megválasztásával határozzuk meg. Ugyanúgy, mint a többi félvezető anyagoknál, a félvezető anyag ellenállás értéke tovább növelhető HRA értékre, amint azt a C4 görbe mutatja; itt az áram vagy az egyenértékű energia amplitúdója 1 amper körüli lehet. Ilyen módon hosszú időtartamú és kis amplitúdójú, előre megválasztott energia értékű energia impulzusok közlésével egy nagyellenállású alkalmazkodó emlékező anyag kiválasztott diszkrét részeinek ellenállás értéke szelektíven csökkenthető egy kívánt értékre és rövid időtartamú, nagy amplitúdójú és előre megválasztott energia értékű energia impulzusok közlésével az alkalmazkodó emlékező anyag kisellenállású diszkrét részeinek ellenállás értéke szelektíven növelhető egy kívánt értékre. Azt is megállapítottuk, hogy ezen memória anyagokkal egymás után közölt energiamennyiségek hatásai halmozódnak, úgyhogy adott mennyiségű energia egymás utáni közlése kb. azonos hatású lesz, mintha egyetlen egyszer közölnénk olyan energiát, amelynek ugyanez a teljes energiatartalma. Az alkalmazkodó emlékező anyag összetétele tág tartományban változhat. Ezek az anyagok a IV és/vagy VI csoportba tartozó félvezető anyagokat képező kalkogén üvegeken (oxigén, kén, szelén, tellur, szilícium, germánium, ón) túl, kis molekulasúlyú V csoportba tartozó anyagokat tartalmaznak, mint amilyen a foszfor. Ha a foszfort nagyobb molekulasúlyú V csoportbeli elemmel (arzénnal, antimonnal stb.) helyettesítjük, az ellenállás-energia-göribe meredekebbé válik. A 10 rétegben tárolt információ az emlékező félvezető anyagból különböző módon nyerhető vissza. Az 5. ábra a visszanyerés egy módját szemlélteti; ez egy tulajdonság-érzékelő eszközt tartalmaz, mint amilyen á 29 elektród, amely a félvezető 10 réteg közelében van elhelyezve és össze van kötve 30 vezeték útján 31 mérőeszközzel vagy hasonló más eszközzel. A 31 mérőeszköz és a tulajdonság érzékelő 29 eszköz úgy működik, hogy érzékeli például a villamos ellenállást, a dielektromos állandót, vagy a réteg valamely más változó sajátosságát, mint amilyen a fényreflexió, vagy fénytörési tulajdonság. Ilyen módon, ha a tulajdonság érzékelő 29 eszköz olyan elektród, amely érintkezik a réteg egy ré-10 15 20 25 30 \ 35 40 45 50 55 60 7
