161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

Í61Ó65 Ö 10 átalakulási hőmérséklet felett olyan időtartamon keresztül, amely lehetővé teszi ezen hatás létrejöttét és stabilizálását, úgyhogy a kisellenállású állapot befagy és azután is megmarad, hogy az áram megszűnik és a vezető útvonal lehűl, amint 5 azt a 13C hivatkozás mutatja. A 14 energiaforrás ezen feszültség alkalmazására vezérelt impulzusforrás lehet, amely alkalmas megfelelő alakú, elégséges szélességű feszültségimpulzusok előállítására, amint azt 16 hivatkozási szám 10 jelzi, vagy lehet olyan forrás, amely többé vagy_ kevésbé folyamatos feszültséget állít elő. A 12 elektród egyik irányban elmozgatható a 10 réteghez képest és a 10 réteg ettől eltérő irányban mozgatható el a 12 elektródhoz képest, úgyhogy az elektródot a 10 réteghez viszonyítva az X és Y irányokban is tudjuk mozgatni. Ilyen módon a 10 rétegben kisellenállású folyamatos mintázatú tartomány alakítható; ki, ha a feszültség forrás energiáját folyamatosan közöljük a 10 réteggel, vagy kialakíthatunk kisellenállású tartományokból megszakításos mintázatot a 10 rétegben, ha a feszültségforrás impulzusokból álló kimenőjelet ad. Ennek megfelelően a 10A réteg meghatározott diszkrét részei nagyellenállású állapotukból kisellenállású állapotukba hozhatók, és ezáltal a rétegben információkat állítunk elő és azokat tároljuk. Minthogy ä 10A réteg 13C része kisellenállású állapotban van, ebben az állapotában marad imindaddig, amíg azt szándékoltan vissza nem állítjuk nagyellenállású állapotába. Ezért a 10A rétegben az információ tárolása tartós. A 2. ábrával kapcsolatban az energiát 18 sugár alakjában közöljük; a sugár lehet például lézer sugár, elektron sugár, vagy egyéb hasonló sugár, amelynek energiáját vezérelt 19 impulzusforrás állíthatja elő, amelynek impulzus sorozatát 20 hivatkozási jellel jelzett görbe szemlélteti. A 18 sugár a 10A réteg részeit legalább az átalakulási hőmérsékletre hevíti és az így igénybevett részek eközben állapotukat kisellenállásúra változtatják. A 20 impulzusok időtartama eléggé hosszú, például millimásodperc körüli, úgyhogy kisellenállású állapot jön létre és az befagy a 10A rétegnek albban a diszkrét 13C részében, amelyet a sugár ért. Valamennyi egyéb tekintetben a 2. ábra szerinti elrendezés hasonlít az 1. ábra szerinti elrendezéshez .és ennek megfelelően további részletezés nem szükséges. Elég, ha annyit mondunk, hogy mindkét esetben a félvezető 10A réteg meghatározott diszkrét 13C részei stabil nagyellenállású állapotukból stabil kisellenállású állapotukra változnak a mindenkor szükséges mintázatoknak megfelelően. A3, ábrán a vezető 11 alapon levő félvezető 10 rétegnél a 10C hivatkozási jel azt jelöli, hogy ez a réteg kezdetben kisellenállású állapotában van. Itt 22 áramforrásra 15 vezető útján 12 elektród van kötve, amelynek segítségével a kezdetben kisellenállású állapotban levő 10C réteg kiválasztott diszkrét 13A részeit nagyellenállású állapotba hozzuk. Ebben az esetben nagyámplitudójú 23 áramimpulzusokat juttatunk a 12 elektródra rövid, például mikromásodperc körüli nagyságrendű időtartamra és ezek rövid idő alatt fölmelegítik a 12 elektród és a 11 alap között levő anyagot akkora hőmérsékletre, amelynek következtében nagy ellenállású állapot jön létre a szalag 13A részén. A rövid időtartamú 23 áramimpulzusok viszonylag elég távol vannak egymástól, így amikor az áramimpulzusok megszakadnak, elégséges idő áll rendelkezésre a melegített diszkrét rétegrészek számára, hogy azok hirtelen lehűljenek és nagyellenállású állapotukban befagyjanak a 13A helyen. Itt is, mint az előzőkben, a 12 elektród és a 10 réteg egymáshoz képest elmozgatható és ezáltal a réteg tetszőleges meghatározott részén olyan mintázat állítható elő, amelynek állapota a réteg egyéb részeinek állapotától különbözik, nevezetesen lényegileg nagy ellenállású állapot állítható elő. Ilyen módon a 3. ábra szerinti elrendezés lényegileg az ellentettje az 1. ábra szerinti elrendezésnek. A 4. ábra a 3. ábrához hasonló, de abban különbözik attól, amiben a 2. ábra különbözik lényegileg az 1. ábrától. A 4. ábrán a 10C réteg kisellenállású állapotának 13A nagyellenállású állapotra való változtatásához az energiát 25 sugár, például lézer sugár, elektron sugár vagy egyéb hasonló sugár energiája szolgáltatja. A 25 sugarat impulzus üzemben működteti a vezérelt 26 sugárgenerátor, amely 27 hivatkozási számmal jelzett rövid időtartamú sugárimpulzusokat állít elő. Ha bármilyen állandó energiatartalmú villamos vagy más fajta energiaiimpulzusokat használunk a 10 rétegnek nagyellenállású és kisellenállású állapotok között történő átállítására és visszaállítására, akkor a réteg érintett részeinek a nagy-, ill. kisellenállás-értékei általában állandóan azonosak. (Az áramimpulzus energia tartalma: az áramimpulzus amplitúdójának négyzete, szorozva azzal az ellenállással, amelyen keresztül az áram folyik, valamint szorozva az áramfolyás időtartamával.) A legtöibb alkalmazásnál az anyag ellenállás értékei a nagyellenállású és kisellenállású állapotból több nagyságrenddel különböznek egymástól, úgyhogy a nagyellenállású állapot valóiban szigetelő állapotnak tekinthető és a kisellenállású állapot valóban olyan állapot, amelyben az anyag érintett részei vezetőként működnek (azaz jelentéktelen ellenállásuk lehet). A már említett 3 271 591 számú USA szabadalomban ismertetett számos emlékező félvezető anyagnak minden gyakorlati célra csak két stabil ellenállás állapota van, amint azt a 7. ábrán a szaggatott Cl' vonal és a 8. ábrán a C2' szaggatott vonal mutatja. A 7. ábra a félvezető anyagot nagy ellenállású állapotában mutatja és az ellenállás értékének kisellenállású állapotra való változását kis amplitúdójú és hosszú időtartamú impulzus energiák közlése esetén, míg a 8. á(bra a félvezető anyagot kisellenállású állapotában mutatja, és az ellenállás értéknek a nagyellenállású állapotba válto-10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 5