161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére
161065 ? 8 anyag esetében, amelyet kisellenállású állapotból nagyellenállású állapotba hozunk, rövid időtartalmú, vagy amplitúdójú energia impulzusok közlésével. A 9. ábra a találmány tárgyának egy további vázlatos kiviteli alakját mutatja, ahol az emlékező anyagból levő réteg vagy film normális kisellenállású állapotában van, míg a réteg egyes meghatározott részeit nagyellenállású szigetelő állapotukba hoztuk sugár alakjában közölt energia segítségével és villamos töltést vittünk a rétegre vagy filmre, mégpedig a rétegnek vagy filmnek azon részeire, amelyek nagyellenállású, szigetelő állapotban vannak; itt dorzselektromos részecskék tapadnak a rétegen vagy filmen levő villamos töltésekhez és a rátapadt dorzselektromos részecskéket át visszük és rögzítjük egy felvevő felületen, például papíron vagy hasonlón. A 10. ábra a 9. ábrán szemléltetett dob felületének egy részét mutatja metszetben, nagyobb léptékben és példaképpen magyarázza azt a módot, ahogy a töltést a réteg vagy film felületére felvihetjük. A 11. ábra a 10. ábrához hasonló kép, de a filmet vagy réteget normálisan nagyellenállású szigetelő állapotában mutatja. A 12. ábra alkalmazkodó emlékező anyag fénymoduláló eszközként való használatát szemlélteti, ha monokromatikus fényt bocsátunk rajta keresztül és az anyag fényáteresztő jellemzője változik azáltal, hogy változó energia tartalmú áramimpulzusokat közlünk vele. A 13. ábra egy sorozat görbét mutat, amelyek az alkalmazkodó emlékező anyagból levő réteg fényátbocsátó jelleggörbéit mutatják; a réteggel változó energiatartalmú áramimpulzusokat közöltünk azáltal, hogy a rajta átvezetett fény hullámhosszát változtattuk. Az abszcisszára a hh hullámhosszat, az ordinátára a fényátbocsátás %-át vittük fel. A 14. ábra alkalmazkodó emlékező anyagnak fénymoduláló eszközként való alkalmazását mutatja, ha monokromatikus fényt irányítunk rajta keresztül és az anyag fényreflexiós jellemzője változik azáltal, hogy változó energia tartalmú áramimpulzusokat közlünk vele; végül a 15. ábra alkalmazkodó emlékező anyagból levő rétegnek változó fényeltérítő eszközként való alkalmazását ábrázolja; itt a változó fényeltérítést az anyag törésmutatójának változása idézi elő, amely a rajta átbocsátott áramimpulzusok energia tartalmának változásával változik. Amint az 1. és 3. ábrán látható, az emlékező félvezető anyagból levő filmet vagy réteget általánosan 10 hivatkozási számmal jelöljük; az 1. ábrán 10A mutatja a réteg stabil nagyellenállású szigetelő állapotban levő részét, míg a 3. ábrán 10C szemlélteti a rétegnek stabil kisellenállású vezető állapotban levő részét. Az emlékező félvezető 10 anyag alkalmas arra, hogy diszkrét részei reverzibilisen változzanak stabil nagyellenállású szigetelő állapot és stabil kisellenállású vezető állapot között. A film vagy réteg emlékező félvezető anyaga előnyösen polimer anyag, amely normálisan stabil módon a kettő közül bármelyik állapotban lehet. Erre a célra nagyszámú különböző összetételű anyag használható. Például az emlékező félvezető anyag tellurt és germániumot tartalmazhat, még pedig kb. 85 atom% tellurt és 15 atom% germániumot, némi oxigénnel és/vagy kénnel együtt. Egy másik öszszetétel a következő lehet: GeisAsis Sejo. További alkalmas összetételek: Geis Tesi S2 és P2 vagy Sb2 és Gei5 Segt S2 és P 2 vagy Sb2. További öszszetételek, amelyek szintén felhasználhatók a találmány tárgyával kapcsolatban, olyan emlékező anyagokból lehetnek, amelyeket Stanford R. Ovshinsky feltaláló 3 271 591 lajstromszámú USA szabadalmi leírása ismertet (engedélyezve 1966. szeptember 6-án); az ilyen anyagokat az említett szabadalmi leírásban többször Hi-Lo anyagoknak nevezik. A filmek vagy rétegek anyagösszetételének és vastagságának kellő megválasztásával a kisellenállású és nagyellenállású állapotban a kívánt ellenállásokat kaphatjuk. Az emlékező félvezető anyagok alkatrészei zárt edényben hevíthetők és keverhetők homogenizálás céljából, majd ingotként lehűthetők. Az ingotból vákuumban való lecsapatással vagy párologtatással vagy valamely hasonló módszerrel alakíthatók ki rétegek vagy filmek. Az 1. és 3. ábrán az emlékező félvezető anyagból levő 10 filmet vagy réteget úgy ábrázoltuk, hogy a 11 alapra van felvive, amely villamosan vezető anyagból, például hőálló fémből készült, amelyek közé a wolfram, tantál, molibdén, kolumbium vagy hasonló tartozik, vagy egyéb fémből van, mint például rozsdamentes acélból, nikkelből, krómból vagy hasonlókból. Hogy a 10A film vagy réteg stabil nagyellenállású állapotát meghatározott diszkrét részein kisellenállású állapotra változtassuk, amint azt 13C hivatkozási jel jelzi, villamos energiát közlünk a 10 film vagy réteg diszkrét részeivel, amint az az 1. ábrán látható. Itt 12 elektródot táplálunk 14 feszültségforrásról 15 vezetéken keresztül és ezáltal a 10A rétegen keresztül a 12 elektród és 11 alap között feszültséget állítunk elő. Amikor meghatározott küszöbértéknél nagyobb feszültséget alkalmazunk a 12 elektród és a 11 alap között kisellenállású vezető szál vagy útvonal jön létre és ezen kisellenállású útvonal kialakításánál a rajta keresztül folyó áram következtéiben hő termelődik és az útvonalban levő félvezető anyag hőmérséklete legalább az átalakulási hőmérsékletre növekszik. Az a körülmény, ihogy a hőmérséklet egy időre az átalakulási hőmérséklet fölé növekszik, egyebek között abban az irányban hat, hogy a félvezető anyag helyileg rendezett körzetei és/vagy elszigetelt kötései az említett útvonalban rendezettebb állapot irányában változnak meg. Itt elegendő energia szükséges, azaz elegendő áramnak kell folynia ebben az útvonalban elég hosszú időtartamon keresztül, például kb. egy millimásodpercen át, hogy fenntartsa a hőmérsékletet az 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 4
