161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

5 161065 6 citást, a dielektromos állandót, a refrakciót, a felületi reflexiót, az abszorpciót, valamint az elektromágneses energia, például a fény vagy hasonló átbocsátását, valamint a részecske szórási és egyéb hasonló tulajdonságokat. Az emlékező félvezető anyaggal közölt energia, amellyel annak kiválasztott diszkrét részeit megváltoztatjuk és visszaváltoztatjuk, különböző fajtájú lehet; lehet például villamos energia, feszüliség vagy áram, sugárenergia, mint amilyen az elektromágneses energia, sugárzó hő, villanó lámpa fénye, lézer sugár energiája, vagy hasonló, részecske sugár energia, például elektron vagy proton sugár energia, továbbá nagyfeszültségű szikrakisülés, vagy hasonló energiája, vagy pedig hevített huzal vagy meleg levegő áram, vagy hasonló energiája. Ezek a különböző fajta energiák könnyen modulálhatók és ezáltal különböző időtartamú és intenzitású keskeny diszkrét energia lüktetéseket kapunk, amelyek az emlékező félvezető anyag azon diszkrét részeiben, amelyeket érnek, megfelelő mértékű változásokat és visszaalakításokat hoznak létre azáltal, hogy meghatározott mennyiségű lokalizált hőt állítanak elő meghatározott időtartamra és ezáltal előállítják a modulációnak megfelelő információ mintázatot az emlékező félvezető anyagból levő filmben vagy rétegben. Az emlékező félvezető filmben vagy rétegben ilyen módon előállított információ mintázat tartósan megmarad mindaddig, amíg azt szándékoltan le nem töröljük onnan, úgyhogy az minden időben hozzáférhető visszanyerési célokra. A találmány tárgya éppen ezért különösen előnyös különböző memória alkalmazások számára. Egyes emlékező anyagoknál, ha változtatjuk a különböző említett energiafajták energia tartalmát, amellyel az emlékező félvezető anyag kiválasztott diszkrét területeit beállítjuk és visszaállítjuk, az ellenállás nagysága és az említett egyéb tulajdonságok is megfelelően változtathatók, A tárolt információ visszanyerése a filmről vagy rétegről különböző módokon történhet. Például úgy nyerhetjük vissza az információt, hogy meghatározzuk az emlékező félvezető anyagból levő film vagy réteg ezen részeinek villamos ellenállását, kapacitását, dielektromos állandóját, fénytörési együtthatóját, felületi reflexióját, fény abszorpcióját és fényáteresztő képességét, valamint részecske-szóró tulajdonságait, vagy azáltal, hogy detektáljuk a filmet vagy réteget, vagy pedig villamos töltéseket viszünk a filmre vagy rétegre, minthogy a film vagy réteg villamosan töltött lehet azon részein, amelyek nagyellenállású vágy szigetelő állapotban vannak. Ezen utóbbi esetben dörzsvillamovagy niás módon töltött tinta Vagy pigmens tartalmú részecskék tapaszthatók a film vagy réteg villamosan töltött részeire; ezek azután átvihetők és rögzíthetők egy felvevő felületen, például papíron vagy hasonlón, vagy pedig az emlékező félvezető anyagból levő filmen vagy rétegen levő töltések átvihetők más töltésfelvevő felületre, amely viszont felveszi dörzsvillamos vagy másképpen töltött tinta vagy pigmens tartalmú részecskéket. Ahol az emlékező réteg diszkrét részei szigetelő vagy nagyellenállású tulajdonságainak foka változik a találmány tárgyának nyomdászati alkalmazásánál, ott a töltés, amely ezekhez a részekhez tapad és a nyomdatermék tónusa vagy színezete megfelelően változtatható. Elektronsugár is használható információ visszanyerési célokra, ha a sugarat az emlékező anyagból levő film vagy réteg különböző részeinek állapotával összhangban reflektáltatjuk. A fent ismertetett emlékező anyagból levő film vagy réteg lap vagy szalag lehet, vagy görgő, henger, dob vagy hasonló kerülete mentén lehet rögzítve, ahogy az éppen szükséges. A találmány tárgyának további részleteit, előnyeit és jellemzőit az alábbiakban rajz alapján ismertetjük részletesebben. Az 1. ábra vázlatosan szemlélteti az emlékező félvezető anyagból levő filmet vagy réteget, amely itt általában nagyellenállású állapotában van; itt az energiát villamos energiaként közöljük az anyaggal és ezáltal a film vagy réteg azon meghatározott diszkrét részeit, amelyekkel az energiát közöljük, stabil nagyellenállású állapotukból stabil kisellenállású állapotukba hozzuk. A 2. ábra az 1. ábrához hasonló kivitelt mutat, itt azonban az energiát sugár, például lézer sugár, elektron sugár vagy hasonló alakjában közöljük. A 3. ábra emlékező félvezető anyagból levő filmet vagy réteget mutat vázlatosan, amely általánosan kisellenállású állapotban van; itt az energiát villamos energiaként közöljük, és ezáltal a film vagy réteg meghatározott diszkrét részeit stabil kisellenállású állapotukból stabil nagyellenállású állapotukba alakítjuk át. A 4. ábra a 3. ábrához hasonló kivitelt mutat, azzal a különbséggel, hogy az energiát sugár, például lézer sugár, elektron sugár vagy más hasonló természetű sugár hordozza. Az 5. ábra vázlatosan szemlélteti az információ visszanyerés egy módját az emlékező anyag olyan rétegéről vagy filmjéről, amilyent az 1. és 2. ábrán szemléltettünk; itt az információt azáltal nyerjük vissza, hogy a réteg vagy film diszkrét részeinek villamos ellenállását vagy más tulajdonságát mérjük. A 6. ábra a 3. és 4. ábrán bemutatott emlékező anyagból levő rétegen vagy filmen tárolt információ visszanyerésének módját mutatja; itt a réteg vagy film diszkrét részeinek kapacitását mérjük. A 7. ábra R ellenállás változását szemlélteti a közölt E energia függvényében, logaritmikus léptékben, két különböző emlékező félvezető anyagnál, amikor azok nagy ellenállású állapotból kisellenállású állapotba kerülnek; erre a célra itt hosszú időtartamú és kis amplitúdójú energia impulzusokat alkalmazunk. A 8. ábra az R ellenállás változását mutatja a közölt E energia függvényében, logaritmikus léptékben, két különböző emlékező félvezető 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 3