161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

MAGTAR N£PKOZTARSASAO (»SZAGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1969. VIII. 15. (EE—1704) Amerikai Egyesült Államokbeli elsőbbsége: 1968. VIII. 22. (754.607 (1—6., 8—15., 17—23. igénypontok) és 1969. I. 15. 791.441 (7—16., 24—58. igénypontok) Közzététel napja: 1972. II. 28. Megjelent: 1974. II. 28. 161065 Nemzetközi osztályozás: G 11 c 13/00 "X Feltaláló: Ovshinsky Stanford Robert mérnök, Beomfield Hills, Michigan, Amerikai Egyesült Államok Tulajdonos: Energy Conversion Devices Inc., Troy, Michigan, Amerikai Egyesült Államok Eljárás és berendezés információ tárolására és visszanyerésére A találmány tárgya eljárás, valamint berendezés információ tárolására és visszanyerésére. A találmány szerint olyan emlékező tulajdonságú félvezető anyagból — a továbbiakban emlékező félvezető anyagból — levő filmet vagy réteget használunk, amelynek diszkrét részei reverzibilisen változtathatók stabil nagyellenállású vagy szigetelő állapot és stabil kisellenállású vagy vezető állapot között. Az emlékező félvezető anyagból levő film vagy réteg normálisan vagy stabil nagyellenállású vagy szigetelő állapotában lehet, vagy pedig stabil kisellenállású vagy vezető állapotában, aszerint, hogy mi szükséges. Föltételezve, hogy a film vagy réteg stabil nagyellenállású állapotában van, ennek diszkrét részei stabil kisellenállású állapotba hozhatók azáltal, hogy energiát közlünk velük; az energia közlés energia-impulzusok alakjában történhet, ahol az impulzusok időtartama elég hosszú (például 1—100 millimásodperc vagy ennél hoszszabb) ahhoz, hogy létrehozza a kisellenállású állapotba való átalakulást, és hogy ezek a részek ebben az állapotban befagyjanak. Az ilyen diszkrét részek visszaalakíthatok stabil nagyellenállású állapotukba azáltal, hogy ismét energiát közlünk velük; ez az energia azonban rövid időtartamú (például 10 mikromásodperces vagy rövedebb) energiaimpulzusokból állhat, amelyek biztosítják a nagyellenállású állapotába való visszaalakulást és abban az állapotban váló befagyást. Ha viszont a film vagy réteg stabil kisellenállású állapotában van, ennek diszkrét részei 5 stabil nagyellenállású állapotba hozhatók, ha ezen részekkel energiát közlünk, amely rövid időtartamú (például 10 mikromásodperces vagy rövidebb) energiaimpulzusokból állhat, amelyek visszaalakítják a részeket nagyellenállású álla-10 potukba és lehetővé válik az anyagnak ezen állapotban való befagyasztása. Az ilyen diszkrét részek visszaalakíthatok stabil kisellenállású állapotukba, ha velük energiát közlünk, amely elég hosszú (például 1—100 millimásodperces 15 vagy hosszabb) energiaimpulzusokból állhat, amelyek visszaalakítják a részeket kisellenállású állapotukba és lehetővé teszik ebben az állapotban a befagyasztást. 20 Az emlékező félvezető anyagból levő réteg vagy film diszkrét részeinek reverzibilis változtatása nagyellenállású vagy szigetelő állapotuk és kisellenállású vagy vezető állapotuk között magában foglalhatja a félvezető anyag atom-25 struktúrájának — amely előnyösen polimer típusú struktúra -±- térszerkezeti, ún. konfigurációs és téralkati, ún. konformációs változásait, vagy pedig a félvezető anyag áramhordozókkal való töltését és kisütését, vagy a kettő kombiná-30 cióját és ilyen esetben az atomstruktúra ezen 161 065