160951. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazóintegrált félvezető elrendezések előállítására

3 munkáljuk, végül az ezen lemunkálás útján keletkező szigetelt kollektrotartományt a tranzisztor bázistartományán belül, továbbá a bázisrétegtartományt és a réteghordozótartományt a már ismert passziválás és szelektív módszerű marás után egy második fényösszeköttetés felületével, fémrétegrágőzölögtetés és maratás után, kialakítjuk. Ezen a módon természetesen egy félvezetőtárcsában vagy rétegen egyidejűleg nemcsak állandószámú tranzisztor, hanem egyéb, meghatározott kapcsolások céljából összeállítható szerkezeti elemek, példának okáért ellenállások is előállíthatók. A szerkezeti elemek elszigetelése a bázistartomány és ellenállástartomány közötti kiindulóréteg maradék tartományában megmaradt pnátmenetek útján biztosítva van. Kötőréteg útján hordozó tárcsának egy fél vezetőtárcsával való összekapcsolása helyett lehetséges vastag hordozóréteg előállítása is hordozóanyagnak lerakása útján. Az eddig ismert eljárásokkal szemben ennek az eljárásnak előnye az, hogy bipoláris tranzisztorok ellenállásokkal és kondenzátorokkal kialakított integrált félvezető elrendezéseket már három diffúziós lépés segítségével is ki lehet alakítani. A bázistartományonbelüli kollektortartomány révén a tranzisztorból kialakított szerkezeteket nagyobb tömítési rétegvastagsággal kell ellátni, mint az eddig ismert integrált tranzisztorokból álló elrendezéseket. Két oldalról történő kontaktírozás és a fémösszeköttetések vezetése révén kis kollektor és bázispálya-ellenállásokat és rövid fémes összeköttetést lehet elérni. A találmányt közelebbről egy kiviteli példa kapcsán magyarázzuk. A leíráshoz tartozó rajzokon az 1. ábra a diffúziós-tartományokkal együtt kialakított kiindulótárcsa metszetét mutatja, a 2. ábra ugyanezen tárcsának felülnézete a diffúzióstartományok helyi kialakításával együtt, a 3. ábra a félvezető tárcsa lemunkálás utáni struktúrájának metszete, a 4. ábra a készremunkált belső szerkezet metszete. Az 5. ábra két elemből kialakított félvezető elrendezés metszete. Az 1. és 2. ábra szerint egy egykristályból álló n-típusú 1 félvezető rétegben, amely egy ugyancsak egykristályból álló 1' réteghordozón van, ismert fotolitografikus, lakkozási és maratási eljárás révén magas szennyezéskoncentrációjú ptípusú mély 2 bázisréteg-tartományt, a 4 ellenállás számára a 21 rétegeket, a lapos p-típusú 3 bázistartományt, valamint a p-típusú 4 ellenállástartományt lehet előállítani. A 4 ellenállásokon a 21 rétegek diffúzióját a kontaktusok tartományában alakítjuk ki. Az 5 emittertartományt ismert módon a 3 bázisfelületeken hozzuk létre. Ezután a 7 passzívált rétegbe a 6 érintkezőablakokat, a 3 bázis- és emittertartományok ré-4 t szere, továbbá a 3 emitter- és bázistartományokon kívül a 9 fémösszeköttetések vezetésére az 5 árkokat belemarjuk. A 9 fémösszeköttetéseket a szokásos gőzölög•5

tetéses és maratásos technológia segítségével, nagy hőfoknak ellenálló fémből, pl. molibdénből állítjuk elő. Ennek megtörténte után egy vékony, üvegből álló 10 kötőréteget viszünk fel a tárcsára katódporlasztással és ennek révén az 1 10 tárcsát all hordozóval, pl. egy oxidált szilíciumtárcsával termokompressziós úton kötjük össze. Csiszolás és szelektív maróeszközök útján az 1' réteghordozótárcsát és az egyéb alkatelemeket tartalmazó 1 szilíciumréteget a 2; 21 réte-15 gek szabaddátétele érdekében lemunkáljuk. Ezzel a 3. ábra szerinti struktúrát létrehozzuk. Az 1 félvezető-réteg szabaddátett alsó oldalát a 12 passzívált réteggel, pl. SiCVvel befedjük, ebbe a 4. ábra szerinti 13 kontaktus ablakokat a 20 14 kollektortartományhoz, továbbá a 3 bázistartományokhoz és a 4 ellenállástartományhoz kimaratjuk, amelyeket ezután egy második 15 fémösszeköttetés pl. Au—Sb ötvözet útján, amelyet a 12 passzívált rétegbe belemart 12 árokban 25 vezetünk, galvanikus úton csatlakoztatunk Az 5. ábrán a találmány szerinti olyan eljárást mutatunk be, amelynél villamos-funkció nélküli 11 hordozó tárcsa helyett egy olyan 22 tárcsát helyezünk bele, amely már rendelkezik olyan in-30 tegrált félvezetőeszközökkel, amelyek az 1 félvezetőtárcsával galvanikus úton össze vannak kapcsolva. Ennél az eljárásnál a 22 tárcsa félvezető-elemeit a találmány szerinti eljárással már előbb ki 35 lehet alakítani. Szabadalmi igénypontok 40 1. Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására, azzal jellemezve, hogy egy egykristályból álló félvezetőtárcsa (1) felső oldalára, vagy egy ugyancsak egykristályból álló, másfajta félvezető ré-45 teghordozón (1') levő egykristályos félvezető-rétegbe először egy, a tárcsa, illetve egykristályos réteg szennyezés koncentrációjánál nagyobb szennyezés koncentrációjú gyűrűalakú bázisréteget (2) azután e réteg-tartományon (2) belül 50 fekvő, ennél kisebb mélységű lapos bázisréteget (3) diffundáltatunk, ezután kialakítjuk a szokásos módon az emitter-tartományt (5) ugyancsak diffúziós módszerrel a lapos bázistartományban —, ezután a bázis- és emittertartományhoz (3,5) 55 ismert módon, passzívált rétegbe (7) belemart árkok (8) útján vezetett fémösszeköttetéseket (9) csatlakoztatunk, ezt követően a félvezetőtárcsán (1) kötőanyag réteget választunk le és hőkomprimálással erre hordozóelemet (11) erősí-60 tünk, majd a félvezetőtárcsa (1) alsó oldalát csiszolás és/vagy marás útján a gyűrűalakú bázisréteg-tartományig lemunkáljuk és a tranzisztor gyűrűalakú bázistartományán (3) belül kapott kollektortartományhoz (14), a bázisrétegtarto-65 mányhoz (2) és a réteghordozóhoz (1) önmagá•2