160951. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazóintegrált félvezető elrendezések előállítására

160951 ban ismert módon, passzívált réteg (12) kialakí­tása, majd ezt követő szelektív marás útján — mellyel kontaktusablakot (13) alakítunk ki —: kontaktusokat csatlakoztatunk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosí­tási módja, azzal jellemezve, hogy ellenállások­hoz (4) szükséges további rétegeket (21) alakí­tunk ki a lapos bázistartományokkal (3) együt­tesen. 3. Az 1. vagy 2. igénypontok szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a 10 hordozóelemet (11) a hordozóelem anyagának lerakása révén közvetlenül a passzívált rétegen (7) alakítjuk ki. 4. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás fo­ganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy hor­dozóelemként (11) egy olyan tárcsát (22) alkal­mazunk, amelynek egy vagy több síkban elren­dezett áramköri elemeket tartalmazó rétegei vannak, melyeket a félvezetőtárcsa (1) alkatele­meivel galvanikusan és/vagy optikai úton kap­csoljuk össze. 2 rajz, 5 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 73.7804/4 zrínyi Nyomda, Budapest — Felelős vésető: Bolgár Imre

Next

/
Thumbnails
Contents