157760. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz, és eljárás annak előállítására
157760 A pnp (npn)-tranzisztor gyártására javasolt másik módszer szerint egy szigetben két, egymáshoz szorosan illeszkedő, első vezetési típusú felületi tartományt alakítanak ki. Ezek a felületi tartományok képezik az emittert, ill. a kollektort, míg a bázistartomány vékony lehet azáltal, hogy a bét felületi tartomány közötti kis távolságot biztosítunk. Ezek a tartományok egyidejűleg képezhetők kd az npn (pnp)-4ranzis!ator bázisltartományával. Azonban az így kapott pnp (npn)-tranzisztorok geometriája rendkívül kedvezőtlen és az ilyen tranzisztoroknak például nagyon kicsiny az áramerősítési tényezőjük. A találmány tárgya az ismert eljárások hátrányait jelentősen csökkenti. Találmányunk alapját az a felismerés képezi, hogy lényegesen jobb pnp (npn)-tranzásztor állítható elő úgy, hogy a szennyezést mind az alaplemezből, mind pedig az epitaxiális réteg egy felületéről dif fundáltatjuk. A bevezetőben említett eljárást a találmány szerint az jellemzi, hogy egy mintázatot viszünk fel, amelynek egy része fölött az epitaxiális réteg felvitele után szigetet képezünk ki és míg a sziget előállítására az első fajta vezető típust előidéző szennyezés diffundáltaltását végezzük, az epitaxiális rétegnek a mintázat ezen zóna fölött fekvő felületi részét .diffúzióval szemben maszkoljuk és ezáltal első fajta vezető típusú takart rétegű szigetet kapunk, amely réteg a mmtázatrészből történt diffúzió útján keletkezett és hogy a takart réteg fölött ebben a szigetben első fajta vezető típusú felületi zónát állítunk elő szennyezés diffundáltatása útján, amivél komplementer pnp (npn)Jtranzisztart állítunk elő, amelynél ez a felületi zóna alkotja az emitter zónát, míg a sziget ezen zónát körülvevő része a báziszónát képezi és a takart réteg a kollektor zónához tartozik. Előnyösen az npn (pnp)-tranzisztor bázistartományát a pnp (npn)j tranzisztor emittertartományával egyidejűleg alakítjuk ki. Mivel a pnp (npn)-tranzisztor kollektortartományához tartozó takart réteget többek között azáltal kapjuk, hogy szennyezést diffundáltatunk az alaplemezből az epitaxiális rétegbe és az emitter-tartományt az epitaxiális réteg felületéről történő diffúzió útján alakítjuk ki, vékony közbenső bázistartományt tudunk biztosítani. Túlságosan mély diffúzió így nem szükséges, míg a pnp (np'n)-trianzisztoir előállításához semmiféle járulékos művelet nem szükséiges: Ezen túlmenően a fentebbiek szerinti hátrányos geometriai elrendezést, amelynél a kollektor- és emittertartományok egymás mellett helyezkednek el, mint felületi tartományok, elkerüljük. Bár a pnp (npn)^tranzisztor emittertartomámányát a szigetek képzésére szolgáló diffúziós kezelés után képezhetjük ki, célszerűbb, ha a szigetek képzésére szolgáló diffúziós kezelést megszakítjuk, majd a kezelést úgy folytatjuk, hogy egyidejűleg kialakítjuk a pnp (npn)-tranzisztor emittentartományát azáltal, hogy első vezetési típust eredményező szennyezést diffundáltatunk. Az utóbbi említett módszer időnyerést eredmé-5 nyez, továbbá, például, a pnp (npn)-tranzisztor emittertairtománya alatti bázistartomány vastagsága pontosabban és reprodukálhatóbb módon szabályozható, mivel az emittertartomány kialakítása nincs hatással az első vezetési típusú ta-10 kart réteg vastagságára. Ha az emittertartomány kialakítását a szigetképzásre szolgáló diffúziós kezelés után végezzük, az első vezetési típusú takart réteg vastagságát, és ezzel az emittertartomány alatt levő bázistartomány vastagságát 15 nemcsak a szigetképzésre szolgáló diffúziós kezelés határozza meg, hanem az emittertartomány képzésére szolgáló diffúziós kezelés is, ez pedig pontatlanságot eredményezhet. 20 A takart réteg és az alaplemez vezetési típusa egyező és együttesen első vezetési típusú tartományt képeznek. Ez azzal a következménnyel jár, áramköri alkalmazást tekintve, hogy a pnp (npn)-tranzisztor kollektortartományára adott 25 potenciál csak ugyanaz lehet, mint az alaplemezre adott potenciál. Ez sok esetben nem jelent semmi zavart. Viszont más esetekben kívánatos, hogy a pnp (npn)-tranzisztor kollektortartományára adott potenciál különbözzék az alaplemez SO potenciáljától. Következésképpen a találmány szerinti eljárás jelentősen javított foganatosítási módját az jellemzi, hogy olyan mintázatot alkalmazunk, 35 amelyben a mintázat említett részét a mintázat többi részeitől elválasztjuk azáltal, hogy az epitaxiális réteg kialakítását megelőzően az alaplemez felületi tartományába egy ellentétes — má. sodik — vezetési típust eredményező szennyező-40 dést diffundáltatunk, amely felületi tartomány ha az alaplemez felületét szemléljük — a mintázat említett tartományán minden oldalról túlnyúlik és ez utóbbi szennyezés diffúziós együtthatója kisebb, mint a mintázat kialakítására 45 használt szennyezés diffúziós együtthatója, koncentrációja szintén olyan, amellyel az epitaxiális réteg kialakítása és a szigetképzésre szolgáló diffúziós kezelés után egy második, de ellentétes — második fajta — vezetési típusú takart 50 réteget kapunk, amely magába foglalja az átfedő felületi tartományt és amely elválasztja az apitaxiális rétegben elhelyezkedő első vezetési típusú takart réteget az alatta fekvő azon első vezetési típusú résztől, amely az alaplemezhez tartozik, 55 míg az első vezetési típusú takart réteg felett az emittertartományón kívül egy első vezetési típusú második felületi tartományt alakítunk ki, a kontakt tartományt, amely az első vezetési típusú takart rétegig terjed. Az első vezetési típusú 60 takart tartomány, amely a koHektortartoniányhoz tartozik, most ellentétes — második — vezetési típusú tartományok útján el van választva az alapliemeztől, így olyan potenciál is adható rá, amely különbözik az alaplemezre fi5 adott potenciától.
