157760. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz, és eljárás annak előállítására

157760 S 6 hetővé teszi azt, hogy az ellentétes vezetési tí-r pusú második takart rétegre olyan potenciált adjunk, amely csökkenti a pnp (npn)-tranzisztor kollektortíairtománya és az alaplemez közötti pa^-5 razita izranzisztor-hiaitások lehetőségét. A kontakt-tartományt előnyösen a szigetek képzésére szolgáló diffúziós kezelés alatt alakítjuk ki, így a kontakt-tartomány kialakítása nem követel járulékos eljárási lépésit. A találmány szerinti eljárás egy másik fontos föganatosítási módjánál olyan struktúrát kapunk, amélyi>en & kollektartartoímányra adott potenciál más lehet, minit az alaplemezre adott, és amelyben továbbá, a pnp (npn)-4ranaisztQr kollektortartománya vastagabb és jotob villamos vezetőképességű, és az jellemezi, hogy olyan mintázatot alkalmazunk, melyben a mintázat említett tartománya el Van választva a mintázat többi részétől azáltal, hogy az epitaxiális réteg kialakítását megelőzően az alaplemez egy felületi tartományaiba ellentétes — második — vezetési típust eredményező szennyezést diffundáltatunk, amely felületi tartomány — ha az alaplemez felülétét nézzük, — a mintázat említett tartományát mindegyik oldalon átfedi, és az itt alkalmazott szennyezés koncentrációja nagyobb, mint az alaplemez vezetési típusát meghatározó szenynyezésé, de kisebb, mint a .mintázat kialakítására szolgáló szennyezés koncentrációja, míg az eljárás szerinti diffúziós kezelések alatt az ellentétes — második — vezetési típust eredményező szennyezést mélyebben diffundáltatjuk az alaplemezbe, mint azt, amellyel a mintázatot alakítottuk ki és ezáltal első vezetési típusú takart rőteget kapunk, amely a minta említett tartományát magába foglalja, és amelyet az álaplemezben teljesen körülvesz egy ellentétes — második — vezetési típusú második takart réteg, míg az első vezetési típusú takart -réteg felett az emittertartományon kívül még égy első vezetési típusú második felületi tartományt is kialakítunk, nevezetesen a kontaktJtartományt, amely az első vezetési típusú takart rétegig terjed. Az így kapott struktúrában a pnp (npn)-tranzisztor kollefctortartományához tartozó takart réteg vastagságának egy részévél az alaplemezbe nyúlik. Az ellentétes — második — vezetési típust eredményező szennyezés diffúziós együtthatója előnyösen nagyobb, mint a mintázat kialakításánál használt szennyezésé, úgyhogy az ellentétes vezetési típust eredményező szennyezést könynyen lehet mélyebbre diffundáltatni az alaplemezbe, mint az első vezetési típust eredményező szennyezést. Továbbá az epi'taxiális réteg kialakítását megelőzően az ellentétes — második — vezetési típust eredményező szennyezés mélyebbre diffundáltatható áz alaplemezbe, mint a mintázat kialakítására használt szennyezés, így szükségtelenné válik, hogy az ellentétes Vezetési típust eredményező szennyeződés diffúziós együtthatója nagyobb legyen a mintázat kialakítására használt szennyezés diffúziós együtthatójánál. A kontakt-tartomány, amely az első vezetési típusú takart tartományig terjed, előnyösen körülveszi az első vezetési típusú emittertartományit, így az ellentétes — második — vezetési típusú második takart réteg el van választva a pnp (npn)-tranzisztor bázistartományától. Ez le-Élőnyösen ellentétes — második — vezetési típusú takart réteget alakítunk ki az alaplemez és a sziget között, amely utóbbiban van áz npn (pnp)-tranziszitor kialakítva, ezáltal az npn (pnp)-tranzisz)tOir soros kollektor ellenállását csökkentjük. Az ellentétes — második — vezetési típusú takart rétegek, amelyeket a pnp (npn)-!

tranzisztor és az npn (pnp)-trarizisztör számára alakítunk ki, célszerűen egyidejűleg készülnék, ezáltal elkerüljük járulékos eljárási lépések alkalmazását. A találmány szerinti eljárás így lehetővé teszi olyan npn (pnp)- és pnp (npn)-tranzisztarok előállítását, amelyeknek a kolldktortartományhoz tartozó takart rétegük van és amelyeknél nincs szükség járulékos lépésre á pnp (npn)-tranzisztoir élőállításához. Célszerűen p-típúsú szilícium alaplemezt haszr nálunk, amelyen h-<típu;sú epitaxiális szilícium réteget alakítunk ki, mivel a félvezető technológia jelenlegi állása szerint ez technikai szempontból előnyökkel jár, ezenkívül olyan végterméket kapunk, amely jobb minőségű, különösképpen pedig stabilabb, mint abban az esetben, ha «-típusú szilícium alaplemezt és p-típusú epitaxiális réteget használunk. A találmány tárgya olyan félvezető eszköz is, amely közös félvezető tesítre épülő npn (pnp)-és pnp (mpn)-tranzisztoirt tartalmaz és amelynek előállítása a találmány szerinti eljárással történik. A találmány tárgyának könnyebb megvalósítása érdekében az alábbiakban részletes leírást adunk, amelyben példa segítségével rajz alapján ismertetjük a találmány részleteit. AZ 1. ábra a találmány szerinti félvezető eszköz egy első kiviteli alakjánlak a 2, ábra I—I vonala mentén vett keresztmetszete; a 2. ábra ezen eszköz alaprajzi nézete; a 3. ábra alaprajzi nézet az eszköznek a találmány szerinti eljárás segítségével történő előállítása alaltt az egyik gyártási fokozatban; a 4. ábra ezen gyártási fokozatnak a 3. ábra IV—IV vonala mentén vett keresztmetszete; az 5. ábra a találmány szerinti félvezető eszköz egy másik kiviteli alakjáníak a 6. ábra V—V vonala mentén vett keresztmetszette; a 6. ábra a második kiviteli alak alaprajzi nézete, ámély a 3. és 4. ábrán látható gyártási fokozatnak felel meg; a 7. ábra a találmány szerinti félvezető eszköz harmadik kiviteli alakjának keresztmetszete, amelynek alaprajzi nézete hasonló a 6. ábrán 15 20 25 30 35 40 •45 50 55 60 3