Aba Iván: Műszaki tudományos kutatás Magyarországon (Budapest, 1965)
A Kohó- és Gépipari Minisztérium intézetei
nak mérésére építettek készülékeket. Fotovezetés lecsengésen alapuló mérőberendezést hoztak létre, hogy félvezetők kisebbségi töltéshordozóinak élettartamát meghatározhassák. Az egykristályok alaposabb vizsgálatára a //"//-effektus és fajlagos ellenállás méréseket hőmérsékletfüggésben is megvalósították. A gázkömyezet hatását a gennánium egykristály felületére először a foto-magneto-elektromos effektussal vizsgálták. Hőimpulzussal keltett temiofesziiltség tranziensek vizsgálatával igyekeztek fényt deríteni egykristálvszeletekben létrejött belső p-n átmenetek létezésére. A tranzisztorkutatásmellett félvezető diódák kidolgozásával is foglalkoztak. Az Egvesült Izzó számára tűs diódák, majd a Konverta Egyenirányító Gyár részére rétegdióda technológiáját dolgozták ki. Időközben a világpiacon annyira elterjedtek a rétegtranzisztorok, hogy a hazai tranzisztorigényeket a tűs tranzisztorok gyártása már nem elégítette volna ki, ezért sürgős feladatként jelentkezett a rétegtranzisztorok kidolgozása. Az Intézetben végzett kutatások, majd az 1957- ben a Szovjetunióban tett több tanulmányút tapasztalatai alapján kidolgozták a szükséges eljárásokat, és ezeket átadták íz Egyesült Izzónak. Az új eljárások tették lehetővé, hogy az Egyesült Izzó 1958-ban megkezdte a kis teljesítményű hangfrekvenciás rétegtranzisztorok sorozatgyártását. Ezután e»y korszerű, hangfrekvenciás, 3 \V-os teljesítményű rétegtranzisztor laboratóriumi technológiáját dolgozták ki és adták át a termelő üzemnek. A következő lépés a nagyfrekvenciás germánium rétegtranzisztorok családjának kifejlesztése volt, amelyet 30 MHz levágási frekvenciájú tranzisztorok kutatásával kezdtek meg. A kidolgozott RHT 30 jelű drift-tranzisztor megfelelt a hasonló rendeltetésű korszerű típusok előírásainak, dokumentációja alapul szolgált a nagyobb frekvenciájú tagokat is magában foglaló drift-tranzdsztorcsalád kidolgozására végzett kutatási munkáknak. Az egyre növekvő minőségi igények más paraméterekkel rendelkező, nagyobb frekvenciákon működő tranzisztorok fejlesztését írták elő. A nagyobb frekvenciájú tranzisztorok kutatási munkáit — így a tényleges technológiai fejlesztését — megelőzően alapos előkészítésre volt szükség. A következő kutatási feladat, az RHT 85 elnevezésű 85 MHz közepes levágási frekvenciáira ható legfőbb fizikai paraméterek tisztázását kívánta meg. Ennek érdekében a drift-tranzisztorok belső fizikai struktúrájának és levágási frekvenciájának összefüggését tanulmányozták. Ez a kutatási munka, mind a technológia, mind az ahhoz tartozó mérési eljárások tekintetében igen sok olyan berendezést igényelt, amelyet saját erőből kellett létrehozni. A drifttranzisztorok családjában a levágási frekvenciának az elért 85 MHz-en túli jelentős Ge mesa tranzisztor szerelvény tokozás e’őtt 10x-es nagyítás A fenti tranzisztor aktív része 100x-os nagyításban. A termokompresszióval felerősített emitter A báziskivezetések 12 am átmérőjű arany huzalból készültek 185
