Aba Iván: Műszaki tudományos kutatás Magyarországon (Budapest, 1965)
A Kohó- és Gépipari Minisztérium intézetei
Az egyenirányító- és adócsőkutatás szervezetének nélkülözhetetlen eleme a mérés- és alkalmazástechnika. A gázkisülési csövek, diódák, thyratronok helyes működésének egyértelmű elbírálására mérési eljárásokat és mérőberendezéseket dolgoztak ki. így pl. mérési módszereket és berendezéseket készítettek a csövek emissziós, valamint sztatikus karakterisztikájának, élettartamának, erősítésének és szekunder rácsemissziójának vizsgálata céljából. Különösen hézagpótló kutatási szintű munka volt az URH rádióadás és a TV-adás céljaira szolgáló ultranagy frekvenciás adócsővizsgáló berendezések kidolgozása. Készültek berendezések a 60—180 MHz tartományban 1 kW anóddisszipációig terhelhető csövek és a 175—900 MHz frekvenciatartományban 500 W anóddisszipációig terhelhető csövek dinamikus vizsgálatára. A fejlesztés alatt álló további URH adócsövek dinamikus vizsgálatához a berendezések ledolgozása folyamatban van. Következik a Félvezető Laboratórium, amelyet Szép Iván Kossuth-díjas vezet. Itt a félvezető eszközök előállításával kapcsolatos kutatás 1953-ban indult meg. A munkát germánium kristályok előállításával és ezek vizsgálatára a megfelelő mérőberendezések építésével kezdték. Irodalmi utalások alapján rövid idő alatt sikerült a germánium-dioxid hidrogénes redukciója. A nyert fémgermánium klóros tisztítása után ismételt redukcióval kapott germánium zónás tisztítását is elvégezték. A munkálatok lényeges része volt a megfelelően tiszta grafit előállítása, mivel ez készen nem beszerezhető. A következő években a zónás tisztítási eljárást sikerült olyan mértékben javítani. hogy a germánium kristályok tisztasága elérte az irodalomban közölt értékeket. Vizsgálatokat végeztek a tűs tranzisztorokhoz használandó tűk anyagának megválasztásával kapcsolatban. Ennek során világviszonylatban is elismerésre méltó új eredményeket értek el. Még 1954-ben sikerült a hangfrekvenciás kisteljesítményű tűs tranzisztorokat előállítani. Nyitott kérdés maradt a tokozással kapcsolatos felületvédelem. Ezzel egy időben megkezdték a rétegtranzisztorok irodalmának tanulmányozását. Az 1955—56 években tervezett és épített germánium egykristálynövesztő berendezéssel először antimonnal szennyezett egykristályokat állítottak elő. Ezt az egykristálygyártási technológiát az Egyesült Izzóban bevezették. A későbbiekben indiummal szennyezett, kisebb fajlagos ellenállású kristályok készítésével is foglalkoztak. Az egykristályok előállításával párhuzamosan fejlesztették a kristályok mérésére szolgáló berendezéseket, s a diffúziós úthosszt és a szennyező anyag koncentrációit mérő módszereket. Ezenkívül germánium öntecsek fajlagos ellenállásá-RHT-85 drift tranzisztor állványra szerelve sapka nélkül Az Intézetben készült kísérleti drift kapcsoló tranzisztor oszcilloszkópos mérése kapcsolási idők meghatározásához 184
