202647. lajstromszámú szabadalom • Eljárás háromdimenzióban strukturált szilicium egykristály membránok kialakítására, valamint háromdimenzióban struktúrált szilícium egykristály membrán

(19) Országkód:

HU

SZABADALMI

LEÍRÁS

SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY

(21) A bejelentés száma: 1881/87.

(22) A bejelentés napja: 1987. 04. 28.

(11) Lajstromszám:

202 647 B

(51) Int Cl5

G 01 L 1/18

H 01 L 21/306

MAGYAR

KÖZTÁRSASÁG

ORSZÁGOS

TALÁLMÁNYI

HIVATAL

(40) A közzététel napja: 1988. 11. 28.

(45) A megadás meghirdetésének dátuma a Szabadalmi Közlönyben: 1991.03. 28. SZKV 91/3.

(72) Feltalálók:

GYULAI József 20%,

KÁDÁR György 40%,

TÓTH András 40%, Budapest (HU)

(73) Szabadalmas:

MTA KÖZPONTI FIZIKAI KUTATÓ INTEZETE, Budapest (HU)

(54) Eljárás háromdimenzióban struktúráit szilícium egykristály membránok kialakítására, valamint háromdimenzióban struktúráit szilícium egykristály

membrán

(57) KIVONAT

Az eljárás során (100) vagy (110)-orientációjú szilícium egykristály szelet egyik oldalán adalékanyagok diffúziójával, ionimplantálásával vagy szennyezett szilícium epitaxiális növesztésével marást megállító réteget hozunk létre, és a másik oldalról koncentrációfüggő marási sebességű marószerrel maratjuk a szilícium szeletet mindaddig, amíg a marószer marási frontja eléri a korábban létrehozott marást megállító réteget. A marást megállító réteg kialakítása előtt fizikai, fizikokémiai vagy kémiai felületformálási eljárással struktúráljuk a szilícium felületét és a marást megállító réteget ezen az előzetesen formált felületen hozzuk létre.

A háromdimenzióban struktúráit szilícium egykristály membránnak egyetlen kristálytömbből kialakított összetartozó síkmembránja (14) és szilícium szeletből (11) kialakított tartóteste van, és a síkmembránnak (14) azzal kristálytanilag összefüggő, a síkmembránnal (14) 0-nál nagyobb és 180 foknál kisebb szöget bezáró térmembránja(i) (15) van(nak).

(8. ábra.)

A leírás terjedelme: 4 oldal, 2 rajz

HU 202 647 B