201628. lajstromszámú szabadalom • Eljárás egymástól kis távolságban lévő fém alakzatok hordozón, különösen félvezető hordozón történő kialakítására
7 HU 201628 B 8 4. példa A 3. példával azonos módon járunk el, kivéve, hogy a 2 szigetelőrétegben a rajzolatokat anizotrop maratással alakítjuk ki. Így nem szükséges az e) lépés. A 12 fémréteg árammentes leválasztásánál a laterális növekedés miatt kialakul a szükséges 6 perem. 5. példa A 3. vagy 4. példa szerint járunk el a rajzolatok kialakításában, kivéve, hogy az i) lépést normál elektrolízissel történő fémezéssel helyettesítjük. 6. példa (4. ábra) a) A félvezető 1 hordozó felületén a fémkontaktusok tervezett távolságának megfelelő kombinációban két egymáson lévő 2 és 2A szigetelőréteget alakítunk ki. b) A 2A szigetelőrétegen 3 fotoreziszt réteget hozunk létre és litográfiái módszerrel kialakítjuk a rajzolatokat. c) A 2A szigetelőréteget izotróp maratással a reziszt ábráknak megfelelően szelektív módon kinyitjuk (a 2 szigetelőréteget nem marjuk). d) Anizotrop maratással kinyitjuk a 2 szigetelőrétegben a rajzolatokat (ugyanakkor a 2A szigetelőréteget nem maratjuk). Ezt a műveletet többféle módon is elvégezhetjük: 1. Amennyiben a 2 szigetelőréteg maratása nem teljesen szelektív, azaz a maratásnál a 3 fotoreziszt réteg is maródik mind vastagságban, mind lateriálisan, akkor az eredeti maszkméretek kiszélesednek, látszólagosan csökken a 2A szigetelőréteg alámarásra jellemző profilmélysége. 2. Ha a szigetelőréteg maratása teljesen szelektív, azaz sem a 3 fotoreziszt rétegre, sem a 2A szigetelőrétegre nem hat, ebben az esetben maratás után hőkezeljük a 3 fotoreziszt réteget azaz összehúzatjuk, igy az alámarás látszólagos mélysége csökken. 3. Szelektíven és anizotrop módon kimaratjuk a 2 szigetelőréteget. Az 1. és 2. módozat szerinti kivitelezésnek az a célja, hogy a fotoreziszt litográfiái úton előállított részszélességét megnöveljük, így rálátást biztosítunk az alámarási profilra. Ez a nagyon kisméretű 5B fémréteg felső méretének kiszélesedését eredményezi a látszólag csökkent alámarás következtében. e) Az alakzatra 5A, 5B fémréteget viszünk fel az 1 hordozóra merőleges és/vagy ferde párologtatással olyan vastagságban, hogy az 5B fémréteg a 2A szigetelőréteget annak részleges vagy teljes vastagságában elérje. A ferde párologtatással ugyanazt a hatást érjük el, mint a 3 fotoreziszt réteg méretének az 1. és 2. módozat szerinti csökkentésével. f) A felesleges 5A fémréteget és 3 fotoreziszt réteget eltávolítjuk lift-off technikával. g) Szükség szerint az 5B fémrétegeket beötvözzük. h) A műveleteket a továbbiakban ismét különböző utakon és módokon végezhetjük: 1. Izotróp módon az 5B fémréteggel nem fedett területeken teljesen kimaratjuk a 2 és 2A szigetelőrétegeket, ez elérhető anizotrop módon is, ha túlmarást alkalmazunk a végpont elérése után. 2. A 2A szigetelőréteget anizotrop, a 2 szigetelőréteget izotróp módon maratjuk ki. 3. Mindkét 2 és 2A szigetelőréteget anizotrop módon maratjuk. i) Bármelyik h) műveletet is alkalmaztuk, a 9A, 9B fémréteget visszük fel. j) Szükség szerint elvégezzük a 9A fémréteg beötvözését. 7. példa (5. ábra) a) A félvezető 1 hordozó felületén 2 szigetelőréteget, pl. SÍO2 réteget alakítunk ki, pl. 1 um vastagságban. b) A 2 szigetelőréteget 3 fotoreziszt réteggel fedjük. c) Fo toli tog rá fiás módszerrel a kívánt rajzolatot előállítjuk a 3 fotoreziszt rétegben úgy, hogy a lift-off eljárás alkalmazható legyen, pl. klór-benzolos-kezelést alkalmazunk, aminek hatására az ábrán látható módon .cakkos' lesz a 4 oldalfelület az ábra előhívása után. d) Izotróp kémiai maratással úgy oldjuk ki a reziszt ablakban lévő 2 szigetelőréteget, hogy 0,1-0,2 /um vastagságú 14 szigetelőréteg maradjon az ablakokban. e) Szabályozott, kismértékű 3 fotoreziszt réteg visszaoldással vagy hőkezeléssel kiszélesítjük a fotoreziszt ábra méretét. Ezt követően a 14 szigetelőréteget teljesen kioldjuk, amellyel egyidejűleg lesimítjuk a 4A oldalfelület szögeit. f) Felpárologtatjuk az 5A, 5B fémréteget maximum a 3 fotoreziszt réteg fele vastagságáig. g) Lift-off technikával eltávolítjuk az 5A fémréteget és a 3 fotoreziszt réteget. h) Szükség szerint beötvözzük az 5B fémrétegeket. Esetleg árammentes Au leválasztással a kialakított fém vastagságot és a perem-méretet növelhetjük. i) Anizotrop maratással kimaratjuk a 2 szigetelőréteget az első megnövelt méretű 5B fémrétegek által szabadon hagyott területekről, amely 5B fémrétegek ennél a műveletnél maszkként szolgálnak. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 6
