201628. lajstromszámú szabadalom • Eljárás egymástól kis távolságban lévő fém alakzatok hordozón, különösen félvezető hordozón történő kialakítására
3 HU 201628 B 4 Ez pl. MESFET struktúráknál kisebb gate-hossz elérését teszi lehetővé. A találmány egy előnyös kivitelezésénél a fotoreziszt réteg és a felette lévő első fémréteg eltávolítása után a legalább egy szigetelőréteget anizotrop kémiai marással úgy távolítjuk el, hogy az első fémréteg kinyúló pereme alatt lévő szigetelörész legalább részben megmaradjon. Ez a szigetelőrész a kis távolság ellenére is biztonságos villamos szigetelést biztosít a két fém alakzat szomszédos elemei között. Eme szigetelörész mérete növelhető, ha a legalább egy szigetelőréteget két lépésben úgy távolítjuk el, hogy az első lépésben anizotrop kémiai marást, a második lépésben pedig izotróp kémiai marást végzünk. A legalább egy szigetelőréteg ferde oldalfelületét előnyösen izotróp kémiai marással állíthatjuk elő. Ezután célszerű lehet, ha a kívánatos oldalfelület és perem beállítása végett a megmaradó fotoreziszt réteg laterális méretét kémiai marással csökkentjük és/vagy a fotoreziszt réteget hőkezeléssel összehúzatjuk. Eljárhatunk úgy is, hogy a fotoreziszt réteg és a felette lévő első fémréteg eltávolítása után a megmaradó első fémréteget árammentes eljárással felvitt további fémréteggel megvastagítjuk és egyben laterálisán kiszélesítjük, majd az így kialakított struktúrára visszük fel a második fémréteget. Ezzel a második fém alakzat elemeinek mérete még tovább csökkenthető. A találmány szerinti eljárás előnyösen úgy foganatosítható, hogy a legalább egy szigetelőréteget és a rajta lévő fotoreziszt réteget az első fém alakzatnak megfelelő helyeken oly módon távolítjuk el, hogy a megmaradó szigetelőréteg oldalfelülete egyenes vagy ferde, a fotoreziszt réteg oldalfelülete pedig ferde legyen, és az így kialakított struktúrára az első fémréteget a legalább egy szigetelőréteg teljes vastagságánál nagyobb, de a legalább egy szigetelőréteg és a fotoreziszt réteg együttes vastagságánál kisebb vastagságban viszünk fel. Ekkor az első fém alakzat peremét a beállítástól függően vagy a fotoreziszt réteg ferde oldalfelülete, vagy a szigetelőréteg ferde oldalfelülete szabja meg. Ha a peremet a fotoreziszt réteg ferde oldalfelülete alakítja ki, a tökéletesebb szigetelés végett célszerű, ha a fotoreziszt réteg és a felette lévő első fémréteg eltávolítása után a struktúrára további szigetelőréteget viszünk fel, majd a legalább egy szigetelőréteget és a további szigetelőréteget a második fém alakzatnak megfelelő helyeken együtt távolitjuk el. Kivitelezhető azonban a találmány szerinti eljárás úgy is, hogy a legalább egy szigetelőréteget és a rajta lévő fotoreziszt réteget az első fém alakzatnak megfelelő helyeken izotróp kémiai marással oly módon távolitjuk el, hogy a megmaradó legalább egy szigetelőréteg oldalfelülete ferde legyen, és az így kialakított struktúrára az első fémréteget a legalább egy szigetelőréteg teljes vastagságánál kisebb vastagságban visszük fel. A találmány szerinti eljárásnál előnyös, ha az első fémréteget a hordozóra merőleges vagy ahhoz képest ferde irányban, a második fémréteget pedig a hordozóra merőleges irányban visszük fel. A második fémréteg felvitele irányának a merőlegeshez képest kis mértékű, ±20 °C-on belüli változtatásával aszimmetrikus struktúra hozható létre. A találmány szerinti eljárásban előnyös lehet, ha a fotoreziszt réteget az első fém alakzatnak megfelelő szelektív eltávolítás előtt klór-benzollal kezeljük. Ez a kezelés azt ereedményezi, hogy a fotoreziszt réteg felső tartománya kevésbé lesz oldékony mint az alsó tartománya, így a szelektív eltávolítás után cakkos oldalfelület jön létre. Ez azért kedvező, mert az ezután felvitt első fémrétegnek a fotoreziszt rétegen lévő részei a hordozón lévő részektől biztosan el vannak választva, igy a fotoreziszt rétegen lévő részek jól eltávolithatók (lift-off). A méretek beállítása és a kialakuló perem szilárdsága szempontjából előnyös, ha a legalább egy szigetelőréteget az első fém alakzatnak megfelelő helyeken izotróp kémiai marással két lépésben távolítjuk el, és e két lépés között a fotoreziszt réteg laterális méretét kémiai marással csökkentjük és/vagy a fotoreziszt réteget hőkezeléssel összehúzatjuk. A találmányt a továbbiakban a rajzokon szemléltetett - elsősorban MESFET tranzisztor előállítását célzó - kiviteli példák alapján ismertetjük, ahol az 1-5. ábrák a találmány szerinti eljárás egy-egy foganatositási módjánál az egyes műveleteket szemléltető vázlatos metszeti rajzokat mutatnak. Az azonos ill. azonos funkciójú elemeket a rajzokon azonos hivatkozási számmal láttuk el. 1. példa (1. ábra) a) Félvezető 1 hordozó felületén 2 szigetelőréteget (Si02, SíOxNy, SÍ3N4 vagy egyéb réteget) alakítunk ki valamely önmagában ismert rétegnövesztési eljárás (pl. CVD, LPCVD, PECVD, porlasztásos, stb.) segítségével. b) A 2 szigetelőrétegre fényérzékeny 3 fotoreziszt réteget viszünk fel. c) Fotolitográfiás módszerrel a 3 fotoreziszt rétegben kialakítjuk a kívánt alakzatot, pl. egymástól d = 2-5 pm-re lévő réseket. Az ábra csak a 10 szimmetriatengely egyik oldalán lévő alakzatot mutatja. A 3 fotoreziszt réteget az alakzatnak megfelelő szelektív kioldás előtt klór-benzollal kezeljük, ez a 4 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 4
