200855. lajstromszámú szabadalom • Folyékony bevonó kompozíció amorf anyag felületén, különösen üvegfelületen, fluorral doppolt ón-oxidos bevonórétegek előállításához
HU 200855 B 11 áramlási sebessége, dm3/min. 3,7 3,7 10 10 12 10 relatív nedvessége 18 °C hőmérsékleten, % 100 50 0 0 0 A fűtött lap hőmérséklete, °C 650 650 620 560 625 A leválasztás időtartama, s 4 7,5 18 41 33 A bevonat jellemzői: Rétegellenállás, R, ohm/m2 3,1 4,0 2,6 2,7 3,8 A vékonyréteg vastagsága, nm 1960 220 200 224,4 190 Vezetőképesség, (tűim. cm)'1 1759 1228 2083 1786 1540 Magyarázat a III. táblázathoz (1-9. példák) Az ebben a táblázatban ismertetett példák esetében üveg anyagú hordozóra gőzfázisból kémiai leválasztással készítettünk bevonatot. A folyékony bevonó kompozíció egyrészttrifluor-ecetsavat vagy trifluor-ecetsav-anhidridet, másrészt ón-monobutil-trikloridot tartalmazott az igénypontokban meghatározott tartományokba eső részarányban. A 6- 9. példákban bemutatott kompozícióknál az egyes fázisok alacsony hőmérsékletű stabilitásának biztosítására a keverékhez kis mennyiségben ecetsav-anhidridet, etil-acetátot vagy metil-izobutil-ketont adagoltunk. A fenti 1-9. példák szerinti kompozíciók alkalmazásával elért eredmények azt mutatják, hogy a trifluor-ecetsav és a trifluor-ecetsav-anhidrid (ebből a levegő nedvességtartalmának hatására is situ keletkezik a trifluor-ecetsav) lehetővé teszi olyan fluorral doppolt ón-oxidos rétegek előállítását, amelyekre kiváló alkalmazási paraméterek jellemzők. így a rétegellenállás 4,4 ohm/m2 alatt van, a réteg 220 nm-t nem túllépő vastagsága és 35 s alatti leválasztási idő mellett. A 6. és 7. példa szerint akár a 2,4 ohm/m2-es ellenállásérték is elérhető, amely rendkívül kedvező. Tipikusnak tekinthető a példák szerint előállított ón-oxidos rétegek esetében az, hogy az infravörös tartományban megfigyelhető reflektivitás 10 mikronos hullámhosszon 70%-náI nagyobb. Ezzel szemben a látható fény tartományban a bevonat transzparendája 80% volt, vagy több. A folyamat feltételeit tekintve nyilvánvaló, hogy az adott beadagolási sebesség mellett a relatív nedvesség egy meghatározott szintje előnyös, mivel ezzel a bevonórétegek leválasztási ideje lerövidül. A poláros szerves folyadék jelenléte az elegyben (amilyenekre a 6-9. példák vonatkoznak) egyértelműen előnyös a szétválásra hajlamos folyadékok esetében, mivel ekkor a bevonó kompozídó összetevői még -15 #C hőmérsékleten is homogén keverékben maradnak meg. Magyarázat a III. táblázathoz (10-18. példák) A III. táblázatnak ebben a részében trifluorecetsavból és különböző, az ón-butil-trikloridtól eltérő ón-organikus vegyületekből előállított bevonó kompozídók felhasználásával kapott, üveg anyagú hordozón elkészített vékonyrétegek esetében jellemző eredményeket mutatja, ahol szintén gőzfázisból kiindulva a kémiai leválasztás módszerét valósítottuk meg. Ezeknél az ón-organikus vegyületeknél általában a trifluor-ecetsavból viszonylag nagyobb mennyiségre és/vagy a beadagolás nagyobb sebességére van szükség, hogy ily módon a leválasztási idők lerövidüljenek. Ezekből a kompozídókból is a követelményeknek megfelelő minőségű, az előbbi 1-9. példák szerintiekkel összehasonlítható rétegellenállással jellemzett ón-oxidos bevonórétegeket lehet létrehozni. Magyarázat a IV. táblázathoz (19-23. példák) A IV. táblázatban trifluor-ecetsav és trifluorecetsav-anhidrid nélkül, más fluoros doppoló anyagokkal és ón-monobutil-trikloriddal vagy ón-metiltrifkloriddal kialakított bevonó rétegekkel kapott eredmények láthatók. Az eredmények art bizonyítják, hogy az etil-trifluor-aceto-acetát (ETFAA) kiváló jellemzőket mutató bevonó réteget biztosít a doppoló anyag kis koncentrádói esetén is. Az etiltrifluor-acetát és a trifluor-etanol, mint doppoló anyagok szintén megfelelőek, de nagyobb koncentrádóban kell őket alkalmazni, mint az előzőeket. Az ezekkel a doppoló anyagokkal kapcsolatos esetleges további problémák alapja, hogy az előzőeknél alkalmazottnál nagyobb beadagolási sebességet kell biztosítani, hogy az adott kompozídó mellett az ipar számára elfogadható rövid leválasztási időket lehessen elérni. A pentafluor-propionsav, mint doppoló anyag kis koncentrádóban is alkalmazható, de ekkor mind a réteg ellenállása, mind pedig a leválasztás ideje az elfogadhatónak tekintett értéktartomány felső határát közelíti. 24. példa A leválasztás sebességére, mint említettük, a levegő relatív nedvessége hatással van. Ezt a hatást a 7., 8., valamint a 11. és 14. példa szerinti összetételű kompozíciókkal végzett rétegkészítéssel vizsgáltuk meg. A leválasztott vékonyrétegekre kapott eredmények azt mutatják, hogy a relatív nedvesség növekedése általában növeli a leválasztás sebességét. Ez a növekedés azonban, tapasztalat szerint, más tényezőktől ugyancsak függ, amelyek között a beadagolás sebessége és a vivőgáz (levegő) térfo7
