200035. lajstromszámú szabadalom • Eljárás dielektrikum vékonyrétegek utókezelésére

3 HU 200035 B 4 Különösen jó eredményt értünk el az alábbi paraméterekkel: a. ) SiOz vékonyréteg besugárzása 1,7-10-ls J energiájú Ar* ionokkal, 3-1014 ion/cm2 dózissal. b. ) TÚO3 vékonyréteg besugárzása 1,9'10~15 J energiájú N* ionokkal, 2,5-1014 ion/­­cm2 dózissal. c. ) SÍO2+TÍ2O3 vékonyréteg besugárzása 1,9-10‘15 J energiájú OMonokkal, 2,5-1014 ion/cm2 dózissal. A fenti esetekben azt tapasztaltuk, hogy a rétegek kezdeti, 1000-1500 N/cm2 tapadó­szilárdsága olyannyira megnőtt a besugárzás hatására, hogy azokat a hordozóról letépni nem tudtuk, esetenként még 3000 N/cm2 hú­zónyomással sem. Közelítő méréseket végez­tünk a rétegek mikrokeraénységére is, amely szerint a besugárzás hatására 20-30%-os ja­vulást tapasztaltunk. A 6-1012 - 3-1014 ion/cm2 határok kö­zötti dózis az optikai tulajdonságokat válto­zatlanul hagyja, mivel magában a rétegben az ionnyaláb számottevő roncsolást nem okoz, viszont a tapadást és a keménységet már je­lentősen megnöveli. Kimértük azt is, hogy a besugárzás hatására interferenciaszűrők és lézertükrök transzmissziós spektruma meg­változott, egyes csúcsok intenzitása válto­zott, más hullámhosszak felé tolódott el a he­lye, és bizonyos esetekben a transzmittanciá­­ja (miközben a többi hullámhosszon lényegé­ben nem változott), ami lehetővé teszi, hogy a szűrők szelektivitása növekedjen. Ezek a változások a besugárzás paramétereinek meg­választáséval bizonyos határokon belül sza- 5 bályozhatók. Összefoglalva, találmányunk az optikai vékonyréteg előállítási technológia utolsó, ki­egészítő lépéseként alkalmazva jelentősen ja­vítja a vékonyrétegek hordozón való tapadá- 10 sát és technikai tulajdonságait, valamint le­hetővé teszi az optikai tulajdonságok trimme­­lését. 15 SZABADALMI IGÉNYPONT Eljárás dielektrikum vékonyrétegek utó­kezelésére, a főként SiO, SÍO2 és/vagy TÍ2O3 tartalmú vékonyrétegek, előnyösen üveghor- 20 dozón való tapadásának és mechanikai szi­lárdságának megnövelésére, valamint optikai tulajdonságainak trimmelésére, azzal jellemez­ve, hogy a hordozóra felvitt dielektrikum vékonyrétegeket targetként alkalmazzuk, és 25 felületüket a vékonyréteg anyagára kémiailag közömbös, célszerűen 7-20 rendszámú elemek valamelyikének, elsősorban nitrogénnek, oxi­génnek vagy argonnak 1,510'15 - 2-10’15 J energiára felgyorsított ionjaival, 64012 30 - 3-1014 ion/cm2 dózissal homogén módon, közvetlenül besugározzuk. Kiadja az Országos Találmányi Hivatal, Budapest - A kiadásért felel: Himer Zoltán osztályvezető R 4920 - KJK 90.2765.66-13-2 Alföldi Nyomda Debrecen - Felelős vezető: Szabó Viktor vezérigazgató 4

Next

/
Oldalképek
Tartalom