199039. lajstromszámú szabadalom • Rétegszerkezet MOS és CMOS févezető eszközök előállítására és eljárás az előállítás megvalósítására
19 ábrákkal kapcsolatban leírtakkal azonos módon (23. ábra). A fentiek szerint kialakított 20a összekötő hálózatot a 20 második poliszilicium réteg étoxidálásával létrehozott 20b környezeti oxidréteg veszi körül és ágyazza be. Ezáltal kettős poliszilicium szerkezetet hoztunk létre, amelyben a polisziliciumból kialakított elemeket a poliszilicium lokális átoxidálásával létrehozott 11, 20b környezeti oxidrétegek veszik körül. Amennyiben az áramkörben a 20a összekötő hálózatot felhasználni nem kívánjuk, nincs szükség a kettős • poliszilicium felépítésre, miáltal a 22, 23 ábrák szerinti lépések elhagyhatók, a tranzisztorok polisziliciumból lévő 13, 13a gate elektródáihoz, 15, 15a drain elektródáihoz és a 16, 16a source elektródáihoz Ohmos kontaktust adó fémezéssel, igy alumíniumból, vagy aluminium ötvözeteiből kialakított fémezó réteggel közvetlenül csatlakozhatunk. A fentiek szerint létrehozott szerkezetet a félvezető technológiából ismert lépésekkel és műveletekkel, így a 17 kontaktus ablakok nyitásával, a 18 összekötő fémezés létrehozásával és a 19 passziváló fedőréteg elkészítésével komplettirozzuk a 24. ábrán látható szelettechnológiailag befejezett eszközzé. A találmány szerinti felépítés nem szorítkozik a példákban leirt változatokra, hanem a MOS éramköx'ök minden változatánál alkalmazható és létrehozható, így pl. a csatornás MOS, n zsebes, vagy ikerzsebes CMOS áramköröknél is. SZABADALMI IGÉNYPONTOK 1. Rétegszerkezet MOS és/vagy CMOS félvezető eszközök előállításéra, elsősorban monolitikus integrált áramkörökben történő alkalmazáshoz, amely félvezető eszköz tranzisztorai szilícium alapszeletben lévő source és drain tartományokat, továbbá ezen tartományokhoz fizikailag és elektromosan kapcsolódó, egymástól viszont elszigetelt source elektródát és drain elektródét, valamint ezektől gate-dielektrikummal elválasztott gate elektródét tartalmaznak, a gate elektróda illesztő tartományok közbeiktatáséval illeszkedik a source és a drain tartományhoz, ezenkívül a félvezető eszköz a source, drain és a gate elektródákhoz csatlakozó összekötő fémezésekkel és adott esetben vezetékekkel van ellátva, azzal jellemezve, hogy a source elektródák (16, 16a), a drain elektródák (15, 15a), és a gate elektródák (13, 13a) célszerűen Nä5-1018 atom/cm3 koncentrációban adalékolt poliszilicium rétegből (7) vannak előállítva, amelyeket amorf- vagy polisziliciumból annak teljes mélységű átoxidálásával létrehozott szigetelő oxidréteg (11a, 11b) és/vagy környezeti oxidréteg (11) vesz körül és ágyaz be. 2. Az 1. igénypont szerinti rétegszerkezet, azzal jellemezve, hogy a source tartományokat (12b, 12d) és a drain tartományokat (12a, 12c) a legalább N - S-IO18 atom/cms koncentrációjú adalékolt polisziliciumból lévő source elektródák (16, 16a) és drain elektródák (15, 15a) anyagából az elektródák (16, 16a, 15, 15a) és a szilícium alapszelet (1) érintkező felületei mentén diffúzió útján létrehozott diffúziós rétegek alkotják. 3. Az 1. vagy 2. igénypontok szerinti rétegszerkezet, azzal jellemezve, hogy a source elektródák (16, 16a), a drain elektródák (15, 15a) és a gate elektródák (13, 13a), valamint az összekötő fémezés (18) közé közbenső fémréteg (151, 151a, 161, 161a) útján csatlakozó második poliszilicium rétegből (20) lévő összekötő hálózat (20a) van beiktatva, amelyet környezeti oxidréteg (20b) vesz körül és ágyaz be. 4. Eljárás MOS és/vagy CMOS félvezető eszközök rétegszerkezetének előállítására, elsősorban monolitikus integrált áramkörökben való alkalmazáshoz, amelynek során szilícium alapszeleten source, drain és gate elektródákat, valamint azokat körülvevő és befoglaló szigetelő oxidréteget és/vagy környezeti oxidréteget, továbbá ezeket összekapcsoló összekötő fémezést és adott esetben vezetékeket hozunk létre, azzal jellemezve, hogy az előzetesen egyenletesen oxidált szilícium alapszelet (I) felületére poliszilicium réteget (7) viszünk fel, majd a source elektródákat (16, 16a), a drain elektródákat (15, 15a) és a gate elektródákat (13, 13a) körülvevő, leendő szigetelő oxidréteg (11a, 11b) és/vagy környezeti oxidréteg (11) helyén a poliszilicium réteget (7) elvékonyitjuk, végül pedig teljes mélységében átoxidáljuk. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a szilícium alapszeleten (1) lévő oxidrétegben (2) és Bzilíciumnitrid rétegben (3) ablakokat (6a, 6b, 6c, 6d) nyitunk, majd az egész felületen 200-800 nm, célszerűen 400-600 nm vastag poliszilicium réteget (7) alakítunk ki, ezt követően vagy a szilícium alapszelet (1) teljes felületét, vagy - CMOS sruktúráknál az n - és a p csatornás tranzisztorokhoz külön - a leendő source tartományok (12b, 12d) és drain tartományok (12a, 12c) helyét ionimplantációval diffúzióval Niö-lO18 atom/cm3 koncentrációig n vagy p típusra adalékoljuk, majd a teljes felületére 50-200 nm, célszerűen 80-120 nm vastag szilícium-dioxid réteget (8) és 40-120 nm vastag szilícium-nitrid réteget (9) növesztünk, ezt követően a szilicium-dioxid (8) és a szilicíumnitrid réteget (9) a source elektródák (16, 16a), a drain elektródák (15, 15a) és a gate elektródák (13, 13a) környezetéből eltávolítjuk, miközben a source elektródák (16, 16a), a drain elektródák (15, 15a) és a gate elektródák (13, 13a) helyén a poliszilicium réteg (7) szilícium-oxid réteg (8) és a szilicium-nitrid réteg (9) által fedve marad, ezután a 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
