199039. lajstromszámú szabadalom • Rétegszerkezet MOS és CMOS févezető eszközök előállítására és eljárás az előállítás megvalósítására
6 HU 199039 B a sekély diffúzió vagy Schottky átmenetek kontaktálásához. Kedvező az is, hogy a szilícium alapszelet felülete az aktiv tartományok környezetében változatlan sik marad, nem befolyásolja a realizált méreteket, a poliszilíciumból keletkező oxidréteg pedig az ugyancsak a poliszilíciumból kialakított kontaktus és gate elektródákat úgy foglalja be, hogy azok oxidáció közben fellépő méretváltozása a kritikus, felületközi tartományokban lesz a legkisebb. Ugyancsak előnyös az is, hogy az erősen adalékolt polisziliciumot egyidejűleg forrásként felhasználva a tranzisztorok drain és source tartományainak diffúziós előállításához a felépítés önillesztővé teszi az aktív tartományokat a hozzájuk csatlakozó kontaktusokkal, kiküszöbölve ezzel a kontaktusok illesztéséhez szükséges biztonsági sávot, vagy területet. A találmányt kiviteli példák kapcsán 5 rajzok alapján ismertetjük részletesebben. A mellékelt rajzon i az 1. ábra a találmány szerinti rétegszerkezet egy lehetséges kiviteli alakjának kiinduló szilícium alapszelete, a 2. ábra a maszkolt alapszelet, a 3. ábra a maszkolt alapszelet helyi megnyitása, a 4. ábra az alapszelet implantáció után, az 5. ábra a drain és source ablakok megnyitása, a 6. ábra a poliszilicium réteg leválasztása, a 7. ábra az oxid és nitrid rétegek leválasztása, a 8. ábra a rétegek visszamarása, a 9. ábra a környezeti oxidréteg kialakítása, a 10. ábra a poliszilicium réteg visszamarósa, a 11. ábra a poliszilicium réteg átoxidálása, a 12. ábra a végleges rétegszerkezet metszete, a 13. ábra a találmány szerinti rétegszerkezet egy másik kiviteli alakjának kiinduló szilícium alapszelete, a 14. ábra az implantált alapszelet, a 15. ábra a tranzisztor ablakok megnyitása, a 16. ábra a poliszilicium réteg kialakítása, a 17. ábra az oxid és nitrid rétegek leválasztása, a 18. ábra a poliszilicium réteg visszamarasa, a 19. ábra a poliszilicium réteg átoxidálása, a 20. ábra a gate és source elektródák helyének kijelölése, a 21. ábra a poliszilicium réteg átoxidálása, a 22. ábra a második poliszilicium réteg kialakítása, a 5 23. ábra az összekötő hálózat felvitele, 24. ábra a a végleges rétegszerkezet metszete. A 12. ábra a találmány szerinti réteg- 10 szerkezet egy lehetséges kiviteli alakját szemlélteti N-MOS integrált áramköri tranzisztor esetén. Az 1 szilícium alapszeletbe készített 12a drain tartományhoz a 15 drain elektróda, a 12b source tartományhoz pedig 15 a 16 source elektróda csatlakozik. A 15 drain elektródát és a 16 source elektródát a 11 környezeti oxidréteg veszi körül. A 15 drain elektróda és a 16 source elektróda között a 13 gate elektróda helyez- 20 kedik el, amelyet a 15 drain elektródától a 11a szigetelő oxidréteg, a 16 source elektródától pedig a 11b szigetelő oxidréteg választja el. A 12a drain tartomány és a 12b source 25 tartomány a 14 gate illesztő tartomány • útján csatlakozik a 11a, 11b szigetelő oxidrétegekhez. A 15 drain elektródához, a 16 source elektródához, valamint a 13 gate elektródához a 17 kontaktus ablakon keresztül a 18 óssze- 30 kötő fémezés kapcsolódik, amelyet a 18 paszsziváló fedőréteg választ el egymástól és zár le. A 15 drain elektróda a 16 source elektróda és a 13 gate elektróda az alábbiakban 35 ismertetett módon nagy koncentrációban adalékolt poliszilíciumból, a 11 környezeti oxidráteg és a 11a, 11b szigetelő oxidréteg pedig amorf- vagy poliszilíciumból, annak teljes mélységű átoxidálásával van kialakítva. • 40 A fenti rétegszerkezet létrehozása során az 1. ábrán látható 1 szilícium alapszeletből indulunk ki, amely p típusú, 100 orientációjú és 5-50 Ohmcm tartományba eső fajlagos ellenállású egykristály. Az 1 szilícium álapsze- 45 let felületére a 2 oxidréteget növesztjük, a-nelynek vastagsága 50-200 nm tartományban, célszerűen 80-120 nm, majd erre a 3 szilíciumnitrid réteget választjuk le 40- -120 nm vastagságban. 50 Az 1 szilícium alapszelet felületét a 2. ábrán látható módon az aktív tartományok helyén a 4 fotoreziszt lakk maszkkal önmagában ismert módon lefedjük, és a szabadon maradó felületen pl. bór implanciójával beál- 55 Htjuk a környezeti tartomány inverziós küszöbfeszültséget. Amennyiben az áramkör felépítésénél a poliszilicium vezető lehetőségét is kihasználja a konstrukció, akkor az oxidréteget a terve- 60 zett vezeték alatt meg kell vastagítani. Ez a 3. ábra szerint az ISOPLANAR technikában ismert eljárással, azaz a 3 szilícium-nitrid réteg fotoreziszt eljárással történő helyi megnyitása - 5 ablak - majd ezt követően 65 egy oxidációs művelet beiktatása útján törté5
