195361. lajstromszámú szabadalom • Eljárás előírt adalékprofilú epitaxiális rétegek előállítására
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG (19) HU SZABADALMI LEÍRÁS 195 361 B ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL (41) (42) A közzététel napja: 1986.09. 29. (45) A leírás megjelent: 1988. 09.30. Nemzetközi osztályjelzet: (51)nszo4 H 01 L 21/205 (72) Feltalálóik): KOSZA Géza, 16 2/3 %, dx. VALKÓ Péter, 16 2/3 %, Budapest, HU dr. RICHTER Frank, 16 2/3 %, dr. SPERLING Rolf, 10 %, MORGENSTERN TÈomas, 10 %, PFAU Wolfgang, 10 %, MALZE Wilfried, 10 %, dr. KRÖNERT Peter, 10 %, Frankfurt/Oder, DD -----’ -- • -(73) Szabadalmas: Távközlési Kutatóintézet, Budapest, HU (54) ELJÁRÁS ELŐÍRT ADALÉKPROFILÚ EPITAXIÁLIS RÉTEGEK ELŐÁLLÍTÁSÁRA (57) KIVONAT A találmány eljárás előírt adalékprofilú epitaxiális rétegek előállítására, hordozószelet felületén vagy a már meglévő epitaxiális rétegrendszerek felületén epitaxia reaktorban végrehajtott kémiai gőzfázisú leválasztás segítségével, melynél a reaktorba betáplált anyag vivőgázból, rétegforrás-anyagból és PDot betáplálási parciális nyomású adalékforrás-anyagból áll, és melynek során az adalékforrás-anyagot egy optimális irányítási függvény szerint, időben szabályozva vezetjük a reaktorba. A találmány szerint az adalékforrás-anyagot egymást követő impulzusokból álló impulzussorozat formájában keverjük be a vivőgázba. A találmány szerinti eljárás egyik előnyös megvalósításánál az adalékforrás-anyag parciális nyomásának a pDot 0 és/vagy pDo( u felső, illetve alsó amplitúdó értékeit egymást követően többféle parciális nyomásszinten betáplált impulzusokból álló impulzussorozat formájában alakítjuk.
