195036. lajstromszámú szabadalom • Bipoláris integrált áramkörben alkalmazható RNP tranzisztor és eljárás ennek előállítására
7 195036 8 ziszónában (7/a) P vezetési típusú emitterzónája (4/d) és N vezetési típusú báziskontaktus-zónája (5/c) van, azzal jellemezve, hogy a tranzisztornak az alaplemezbe (1) és az epitaxiális rétegbe (3) benyúló, a kollektorzóna (6/a)alatt elhelyezkedő, N vezetési típusú eltemetett zónája (2) van, valamint, hogy a kollektorzóna (6/a) rétegellenállása 500— 1500 ohm/D, a báziszóna (7/a) rétegellenállása 100—150 ohm/D, az emitterzóna (4/d) és a kol leklorkontaktus-zóna (4/e) rétegellenállása pedig 60—120 ohm/D, továbbá a bázis-kollektor átmenetnél (Je») a bázisadalék koncentrációgradiense legalább egy nagyságrenddel nagyobb, mint a kollektoradalék koncentrációgradiense. 2.) Az 1. igénypont szerinti PNP tranzisztor, azzal jellemezve, hogy vezetési típust meghatározó adalékként az emitterzóna (4/d) , kollektorzóna (6/a) és a kollektorkontaktuszóna (4/e) a Mendelejev-féle periódusos rendszer 111. oszlopába tartozó elemet, a kollektorzóna (6/a) esetében előnyösen alumíniumot, a báziszóna (7/a) és a báziskontaktus-zóna (5/c) a periódusos rendszer V. oszlopáig tartozó elemet, előnyösen foszfort tartalmaz, 3. Eljárás a 2. igénypont szerinti tranzisztor előállítására, amelynek során a szilícium alaplemez (1) felületére növesztjük az epitaxialis réteget (3) és az epitaxiális rétegben (3) diffúzióval vagy ionimplantációval alakítjuk ki a kollektorzónát (6/a), a kollektorzónában (6/a) a báziszónát (7/a) és a kollektorkontak'us-zónát (4/a), a báziszónában (7/a) pedig az emitterzónát (4/d) és a báziskontaktuszónát (5/c), azzal jellemezve, hogy az epiíaxiális réteg (3) növesztését megelőzően önmagában ismert módon, diffúzióval vagy ionimplantációval alakítjuk ki az eltemetett zónát (2), és a koilektorzónát (6/a) az eltemo■ett zóna (2) fölött alakítjuk ki, előnyösen aiuníniumdiffúzióval. 5 10 15 20
