195035. lajstromszámú szabadalom • Széles áramtartományban alkalmazható PNP típusú laterális és szubsztrát tranzisztor, valamint eljárás ezek előállítására
(19) HU MAGYAR NÉPKÖZT ÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY (22) A bejelentés napja: 84.05.30. (21) 2082/84 (41) (42) A közzététel napja: 1987.04.28. (45) Megjelent: 1989.10.28. (II) <13> 195035 B (51) Int.CI4 HOL H Öl 21/72 29/72 (72) Feltalálók: dr. BALOGH Béláné, 20%,dr.MOTÄLGyörgy 20%, GYENES Gábor 16%, MÉHN Márton 16%, Budapest, BOZSIK Károly, 14%, Szentendre, Gergely István, 14%, Budapest (73) Szabadalmas: Mikroelektronikai Vállalat, Bp. (54) SZÉLES ÁRAMTARTOMÁNYBAN ALKALMAZHATÓ PNP TÍPUSÜ LATERÁLIS ÉS SZUBSZTRÁT TRANZISZTOR, VALAMINT ELJÁRÁS EZEK ELŐÁLLÍTÁSÁRA (57) KIVONAT A találmány tárgya bipoláris integrál! áramkörben, széles áramtartományban al kalmazható laterális és szubsztrát tranzisztor, valamint eljárás ezek előállítására. A találmány szerinti PNP laterális tranzisztor P típusú egykristályos szilícium alaplemezre (1) növesztett N típusú epitaxiális rétegben (3) van kialakítva, az epitaxiális rétegben (3) P típusú, 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású emitterzónája (4/a), az emitterzónához (4/a) képest oldalsó elrendezésben P típusú, 2—6 pm mélységű, 60—250 ohm/D rétegellenállású kollektorzónája (4/b) és N típusú báziskontaktus-zónája (5/a), továbbá az alaplemezbe (1) és az epitaxiális rétegbe (3) benyúló, az emitterzóna (4/a), a kollektorzóna (4/b) és a báziskontaktus-zóna (5/a) alatt elhelyezkedő, N típusú eltemetett zónája (2) van. Lényege, hogy az emitterzóna (4/a) közepén elhelyezkedő, az emitterzóna (4/a) felületének legalább 60%-át kitevő részén, legfeljebb az emitterzóna (4/a) mélységének felületközeli harmadára, célszerűen 0,5 pm -nyíre kiterjedő, P típusú, 20—120 ohm/D rétegellenállású dúsító zóna (6/a) van szuperponálva az emitterzónára (4/a). A találmány szerinti PNP szubsztrát tranzisztor emittertartományának szerkezete megegyezik a laterális tranzisztoréval.
