194646. lajstromszámú szabadalom • Eljárás elektronemissziós izzókatód előállítására

1 194 646 2 ségére. Az alkalmazott szubsztrátum általában egy szokványos katód, amelyre CVD eljárással még egy polikristályos réteget párologtatnak rá, illetve csapnak le. Ez a réteg lehet valamely tiszta, magas olvadáspontú fém, úgymint W, Mo, Ta, Nb, Re, 5 Hf, Ir, Os, Pt, Eh, Ru, Th, Ti, V, Yb, Zr, vagy szén és pontosan az előnyös orientációjúnak kell lennie, vagy pedig valamely nagy emisszióképességű anyag, előnyösen a ritka földfémek egy oxidja, illet­ve ZrC, ThC, UC2, UN, Laß« vagy NdBg. 10 A megvalósítható típusok között különösen elő­nyös az olyan, amelyen ^110 (kristálylap) orientá­ciójú volfrám van a felületen. Az egyatomos emit­­táló réteg kialakítására még Th-t, Ba-t vagy Cs-t is alkalmaznak, amelyek vagy a katód belsejéből dif- 15 fundálnak a felületre vagy gőzfázisból abszorbeá­­lódnak rá, és a kérdéses tiszta anyagokból álló egy­atomos rétegekhez, illetve a nem-orientált volfrám­­hoz képest alacsonyabb kilépési munkájú katódot eredményeznek. 20 Az ilyen módon készített katódoknak azonban ugyancsak van egy sor előnytelen tulajdonsága. Egy fontos hátrány például, hogy először el kell készíteni a szokásos porkohászati eljárásokkal a hagyományos katódokat, majd azokat előnyösen 2 orientált CVD-réteggel kell bevonni, miközben a felületkezelési lépések egész sorát keíí járulékosan elvégezni ahhoz, hogy az előnyös orientációt meg­kapják. Az ilyen katódok gyártása ezért drága. 30 A katódok tervezését erősen korlátok közé szorítja továbbá az, hogy a hordozókat porkohászati úton gyártják. Jóllehet a 14 39 890. számú német szövet­ségi köztársaságbeli nyilvánosságrahozatali irat szerint eljárva a tóriumos huzalok bevonhatók 35 <(l 11)> orientációjú volfrámmal, amelyekből azután hálókatód készíthető, de ez az eljárás nem teszi lehetővé hengeres ekvipotenciális katód készítését, mivel ha a megfelelő alakú szubsztrátum katódot közvetlenül és hatásosan akarjuk fűteni a csőben, 40 akkor azok nem készíthetők el porkohászati eljá­rással. Egy további nehézséget jelent az, hogy a normális üzemi hőmérsékleten (tóriumos volfrám katódoknál 2000 K) és a hosszabb üzemidő után bekövetkező rekrisztallizáció, illetve kristálynöve- 45 kedés az előnyös orientációt megszünteti, ami az emisszió leromlását eredményezi. Sajnálatos mó­don ez sokkal rövidebb idő alatt bekövetkezik, mint az UHF elektroncsövek katódjai élettartamá­ra előírt 10,000 - óra (lásd: I. Weissman, „Rese- 50 arch on Thermionic Electron Emitting Systems” Varian Ass. Final Report (1966.), Navy Depart­ment Bureau of Ships (SA)). Az előnyös orientáció az esetek nagy hányadánál már a katód aktiválási fázisában tönkremegy. Ha a ritkaföldfém-oxid 55 vagy ZrC, ThC, UC2 illetve UN réteget CVD mód­szerrel állítjuk elő, akkor további hátrányt jelent, hogy az egyatomos rétegű katódok specifikus elő­nyei, különösképpen a nagyobb emisszió, kihasz- Rn nálatlanul maradnak. Ehelyett az oxidkatódok jó­val kisebb egyenáram-emisszióját kapjuk, továbbá a félvezető oxidkatódok szokásos problémái jelent­keznek, úgymint a töltéshordozóhiány és az alacso­nyabb terhelhetőség. Boridok lecsapása esetén is- 65 mét problémát okoz, hogy az érintkezési réteg (ha­tár régió) a fém hordozón rendszerint elporlad. Az említett nyilvánosságrahozatali iratban közölt eljá­rások nem tesznek javaslatot az UHF elektroncsö­vekhez alkalmasabb katódok előállítására. A 10 29 943. és a 10 37 599. számú német szövet­ségi köztársaságbeli közzétételi iratokból ismerete­sek olyan porózus szintertestű kéSzletkatódok, amelyek réteges szerkezetűek olyanképpen, hogy egy magas olvadáspontú fém, mint például volfrám vagy molibdén rétegei és az emissziót serkentő anyagot, úgymint tóriumot vagy tórium-vegyülete­­ket vagy bárium-aluminátot tartalmazó rétegek váltják egymást. Az emittáló felület alatti volfrám vagy molibdén bevonóréteget kissé vastagabban készítik, és a rétegezett rendszer hordozója volf­rám, molibdén vagy szén. A szóban forgó katódok működésére nézve fon­tos, hogy azok porózusak legyenek, és hogy az emittáló anyag könnyen el tudja érni a felületet. A rétegek elkészítésének egyedüli célja az emittáló anyag egyenletes eloszlásának biztosítása a készle­tező térségben. A rétegeknek a durvaszemcsézetű szerkezet folytán szorosan egymáshoz kall kötődni­ük. Az ilyen katódok előállítására a porrétegeket a hordozóra szinterelik, a réteget (fizikai úton) gőzle­csapással viszik a hordozókra. Ezek a katódok azonban különféle szembetűnő ! fogyatékosságot mutatnak. Mindenekelőtt a poro­­zitás az emittáló anyag túl erős párolgásához és így rossz vákuum viszonyokhoz vezet, ami ezeknek az UHF elektroncsövekben való használatát kétséges­sé teszi. Másodszor, a gyártás miatt szükséges teljes anyagvastagság túl nagy fűtőteljesítményt kíván. Harmadszor, bár a fizikai gőzlecsapás mint alterna­tív eljárás csak nagyon vékony rétegeket eredmé­nyez, a katódgyártás maga azonban a porkohászati eljárások segítségével történik, ami együtt jár a porkohászati katódgyártás minden hátrányával. Ezek az említett hátrányok különösen a rétegen­­kénti gyártásból és préselés-szinterelésből eredő ge­ometriai korlátozottságból fakadnak. Ráadásul a porózus struktúrának csekély a mechanikai szilárd­sága s ezért nem lehet arra gondolni, hogy a rétege­ket préseljék egy-egy különlegesebb alak esetén, továbbá a szinterelési hőmérsékletet is olyan ala­csonyan kell tartani, hogy az emittáló anyag ne párologjon erősen. A gyártás sok műveletből áll. Végül, a réteges struktúrának az egyedüli feladata az, hogy biztosítsa az emittáló anyag egyenletes eloszlását a készletező övezetben, ami más, kevésbé költséges eljárásokkal, úgymint impregnálással vagy porkeveréssel is elérhető. Azonkívül a réteges struktúra nem marad fenn a katód élete során. Ezek a katódok mindenekelőtt fémkapilláris (MK­­) katódok és nem tömör, készletező katódok, ame­lyeket a találmány szerinti eljárással kívánunk elő­állítani. Ezzel ellentétben a jelen találmánynak az a célja, hogy UHF- és mikrohullámú elektroncsövekhez használható olyan ekvipotenciális izzókatódot biz­tosítson, amelynek szabadon választható az alakja, nagy a felülete, nagy az emissziós áramsűrűsége és 3

Next

/
Oldalképek
Tartalom