194646. lajstromszámú szabadalom • Eljárás elektronemissziós izzókatód előállítására
1 194 646 2 ve, hogy szubsztrátumként olyan elektrografit testet alkalmazunk, amely pirolitikus grafitréteggel van bevonva. 5. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a hordozóréteg előállításakor alapanyagként volfrámot csapunk le, és a volfrám lecsapásával egyidejűleg vagy azzal váltakozva szerkezetstabilizáló adaléknyagként 0,5 - 21%, előnyösen 1 t% mennyiségű tórium-oidot, cirkóniumot, cirkónium-oxidot, szkandium-oxidot csapunk le CVD-eljárással. 6. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a tároló és készletező övezet előállitásakor az elektronemittáló anyagoknak és a magas olvadáspontú fémeknek a következő kombinációit választjuk ki és csapjuk le CVD-eljárással: tórium/tórium-oxid + volfrám vagy tóriumborid + rénium. 7. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a tórium-boridot az argon hordozógázzal bevitt tórium-[tetrahidrido-borát] pirolízisével, 300°C-os szubsztrátumhőmérséklet mellett egy olyan CVD rénium-rétegre csapjuk le, amely alatt stabilizált struktúrájú volfrám hordozóréteg van. 8. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a reaktív lecsapást, illetve a pirolízist 200 —600 °C, előnyösen 400-500 °C szubsztrátumhőmérséklet mellett végezzük. 9. A 7. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemez-, ve, hogy volfrám-fluorid + hidrogén és tóriumdiketonát, különösen tórium-acetil-acetonát, tórium-heptafluor-dimetil-oktán-dion vagy tóriumdipivaloil-metán összetételű gázfázisból, 400-650 °C hőmérsékleten reaktív lecsapással volfrámot és tóriumot, illetve tórium-oxidot növesztünk felváltva vagy egyidejűleg, és a poralakú organikus tórium-vegyületet tartalmazó közvetlenül az illető vegyület olvadáspontja alatti hőmérsékleten tartott telítőkészülékből inert hordozógázt, különösen argont vezetünk a reakciótérbe. 10. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a 30— 300 pm, különösen a 100 pm vastagságú, stabilizált struktúrájú, adalékolt hordozórétegen az emittáló anyag készletező övezeté-5 nek egy olyan rétegrendszerét állítjuk elő CVD- eljárással, hogy az egyes rétegek 5 t% emittálóanyag tartalomig 0,5— 10 pm és 5- 501% emittálóanyag tartalom esetén 0,1-2 pm vastagságúak, azemittálóanyag átlagos koncentrációja pedig 10 15 — 20 t%. 11. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy felületi bevonatként (111^ orientációjú volfrámot alkalmazunk, amelyeknek a felülete egyatomos tóriumréteggel van bevonva, és a 15 textúra stabilizálására egyidejűleg lecsapott 0,5-21% tórium-oxid. cirkónium-oxid vagy szkandium-oxid komponenst alkalmazunk. 12. Az 1., 2. vagy 11. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a bevonóréteg 2-20 pm 20 vastagságú és a szubsztrátum hőmérsékletét úgy állítjuk be, hogy az átlagos szemcseátmérő áí 1 pm legyen. 13. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezbe ve, hogy az emittálóanyag, a hordozóanyag strukö túrastabilizáló adaléka, illetve a bevonóréteg anyaga azonos. 14. Az 1 — 13. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátum, kü-30 lönösen a grafit szubsztrátum belül üres testnek, előnyösen csőnek van kiképezve és a gázfázisból történő reaktív lecsapást az üreges test belsejében hajtjuk végre, így a rétegek készítése fordított időrendben történik, vagyis elsőnek az előnyösen ori- 35 entált bevonóréteget és utolsóként a hordozóréteget csapjuk le. 15. A 14. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a belül üres test pirolitikus grafitból áll és szobahőmérsékletre történő hűtés után a kató-40 dot kihúzzuk a belül üres testből. 8 db ábra t 12
