191204. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és elrendezés félvezető analóf kapcsoló kialakítására
11 191204 12 dáltatni (ilyenkor természetesen rejtett 28 réteg és hordozó 29 kivezetés nincs), ilyenkor azonban a tiltó 24 réteg záróirányú előfeszítéséről a 11 alapanyaghoz képest gondoskodni kell egy további kontaktusablakon 19 és kivezetésen (ami lényegében megfelel a hordozó kivezetésének) keresztül. Integrált áramköri alkalmazás esetén a tiltó 24 réteg, a rejtett 28 réteg vagy ezen két réteg kombinációja alkalmas az egyes eszközök elszigetelésére is. A két vagy több vezérlési lehetőség pedig biztosítja, hogy az eszközök megfelelő összekapcsolásával két vagy akár több dimenziós kapcsolómátrixot hozzunk létre. A találmány szerinti eljárás és elrendezés előnyeit az alábbiakban foglaljuk össze: — segítségével félvezető analóg kapcsoló hozható létre, — a kapcsolt áramkör statikusan függetleníthető a kapcsoló áramkörtől, — nagy áramok és feszültségek gyors be és kikapcsolása válik lehetővé, — a vezérlés nagy bemenő ellenálláson keresztül történik, és statikus állapotban gyakorlatilag nem igényel meghajtó áramot, — a kapcsoló be- és kikapcsolása több egymással ÉS (AND) logokai kapcsolatban álló vezérlő elektródával is történhet, így segítségével két- vagy többdimenziós kapcsolómátrixok is előállíthatok, — előállításához a felvezető technológiából jól ismert technológiai műveletek kombinációjára van szükség, — a bipoláris vagy MOS gyártástechnológia módosításával elkészíthető, így könnyen tömeggyártásba vezethető, jó kihozatallal előállítható, és így gazdaságosan gyártható. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás félvezető analóg kapcsoló kialakítására, melynek során egy félvezető alapanyagban két, egy első és egy második, az alapanyaggal ellentétes vezetési típusú réteget hozunk létre, majd az így létrejött első rétegben a félvezető alapanyaggal megegyező típusú harmadik réteget alakítunk ki,- majd az alapanyag felületén szigetelőréteget hozunk létre, melyen kontaktus ablakokat nyitunk, ezután a második és harmadik réteget kivezetésekkel látjuk el, azzal jellemezve, hogy az első és a harmadik réteg, valamint az alapanyag, valamint az első és második réteg által létrejött tranzisztor földelt bázisú áramerősítési tényezőinek összegét az alkalmazási áramtartományban egynél kisebbre állítjuk be, továbbá az első réteg felülettel határos része fölött szigetelt réteget hozunk létre, majd a szigetelő rétegen egy elektródát alakítunk ki, melyet kivezetéssel látunk el. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a második rétegben egy negyedik, az alapanyaggal azonos típusú réteget hozunk létre, és az első és harmadik, valamint a második és negyedik réteget közös kivezetésekkel látjuk el, valamint a második réteg felülettel határos része fölött szigetelő réteget hozunk létre, majd a szigetelő rétegen egy elektródát alakítunk ki, melyet kivezetéssel látunk el, továbbá a második és negyedik réteg, illetve az alapanyag által létrejött bipoláris tranzisztort, valamint az alapanyag az első és második réteg által létrejött tranzisztor földelt bázisú áramerősítési tényezőineK összegét az alkalmazási áramtartományban egynél kisebbre állítjuk be. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezre, hogy az első és második réteg fölött kialakított elektródákat közös kivezetéssel látjuk el. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető alapanyagot egy nem félvezető típusú horodzón epitaxiális rétegnövesztéssel hozzuk létre. 5. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető alapanyagot egy az alapanyaggal ellentétes típusú félvezető hordozón epitaxiális rétegnövesztéssel hozzuk létre. 6. Az 1—5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az első és második réteg között legalább egy tiltó réteget alakítunk ki, mely az alapanyaggal ellentétes típusú, továbbá a tiltó réteg felülettel határos része fölött szigetelő rétegeket, majd azoko/n elektródo/ka/t alakítunk ki, melye/ke/t kivezetése/kke/1 látunk el, továbbá a tiltó rétege/ke/t is ellátjuk kivezetésekkel. 7. A 6. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a tiltó réteg alatt azzal megegyező vagy azt részben átfedő rejtett réteget hozunk létre. 8. Elrendezés félvezető analóg kapcsoló kialakítására, előnyösen az 1—7. igénypontok szerinti eljárás foganatosítására, melyek szigetelőréteggel bevont és kontaktus ablakkal ellátott félevezető alapanyagában , azzal ellentétes vezetési típusú első és második rétege, továbbá az első rétegben az alapanyaggal megegyező típusú harmadik rétege, valamint a második rétegnek és harmadik rétegnek kivezetése van, azzal jellemezve, hogy az első réteg (12) felülettel határos része fölött szigetelő rétege (18), a szigetelő rétegen (18) gyújtó elektródája (20) , továbbá a félvezető alapanyagban (11) lévő rétegek közül a szigetelő rétegen át a kontaktus ablakon keresztül a harmadik rétegnek (14) első kivezetése (16), a második rétegnek (13) második kivezetése (17), valamint a gyújtó elektródának (20) harmadik kivezetése (21) van. (4—5. ábra) 9. A 8. igénypont szerinti elrendezés azzal jellemezve, hogy az elrendezés alapanyaggal (11) ellentétes típusú második rétegében (13) az alapanyaggal (11) megegyező típusú negyedik rétege (23) van, valamint a második réteg (13) felett szigetelő rétege (18), a szigetelő réteg (18) felett további gyújtó elektródája (20Xés a további gyújtó elektródának (2) negyedik kivezetése (22) van, továbbá az első kivezetés (16) az első réteggel (12), a második kivezetés (17) pedig a negyedik réteggel (23) is össze van kötve. (7—8. ábra) 10. A 9. igénypont szerinti elrendezés azzal jellemezve, hogy a harmadik és a negyedik kivezetés (21, 22) össze van kötve. 11. A 8—10. igénypont bármelyike szerinti elrendezés azzal jellemezve, hogy a félvezető alapanyag (11) hordozón (27) van elhelyezve. (10-11. ábra) 7 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
