190959. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés szilárd anyagok ionokkal történő besugárzására

1 190959 2 A találmány tárgya eljárás és berendezés szilárd anyagok ionokkal történő besugárzására. Ionokkal való besugárzás (implantáció és/vagy hőkezelés) általánosan használt eljárás mind a fél­vezetők, mind a fémek kezelése céljából. A felada­tot általában implantáló berendezésekkel, ún. imp­­lanterekkel szokták végezni. Ezek lényegi tulajdon­sága, hogy rendkívül jól kézben tartott energiájú ionok időben állandó áramával sugározzák be a céltárgy felületét. Nagyobb területek egyenletes be­sugárzása céljából a nyalábot és/vagy a tárgyat elektromosan és/vagy mechanikusan mozgatják egymáshoz képest. Az implantáció legtöbb alkal­mazásánál magasszintű követelményeknek kell ele­get tenni a kialakítandó réteg tulajdonságai érdeké­ben. Ennek következtében a mai implanterek költ­séges, precíziós nagyfeszültségű tépegységeket, tö­megszeparációt, költséges ionoptikát tartalmaz­nak. A nemzetközi piacon kínált berendezések ezeknek a követelményeknek igyekszenek maximá­lis mértékben megfelelni. Ez a tény tükröződik a berendezések árában is. Az utóbbi évek technológiai kutatásai sok olyan alkalmazási területet tártak fel, ahol a fenti szigorú követelmények enyhíthetők lennének (pl. nincs szükség monoenergetikus ionnyalábra). A felhasználók ilyen alkalmazások esetén is a meglévő berendezéseik segítségével végzik a besugár­zás, implantáció műveletét és emiatt túlhatározott paraméterekkel dolgoznak. Ez a drága berendezé­sek miatt a műveletekre vetített költségek arányta­lan növekedését eredményezi. Ez természetszerűen gátolja az ilyen eljárások széleskörű elterjedését. A precíziós követelmények kielégítésének költ­ségvonzata következtében a mai iparban használt implanterek maximális gyorsítófeszültsége 200-250 kV, és a konkrét felhasználói területtől függően mintegy 100 pA, illetve mintegy 10 mA ionáramot szolgáltatnak. Az implantációnak kétféle hatását használják ki, egyrészt a belőtt ionok segítségével kézben tartott adalékolást, ötvözést lehet végezni, másrészt az io­nok energiája a céltárgy anyagszerkezetét változ­tatja meg a fékeződés során. Ez utóbbi hatást, amennyiben károsnak minősítik, utólagos hőkeze­lésekkel korrigálják Ez a korrekció végbemehet egyensúlyi folyamatok eredményeképpen (pl. ke­mencékben végzett hőkezelés) vagy nemegyensúlyi, impulzusszerű kezelés hatására (lézerek, elektron-, ill. ionimpulzusok). Ez utóbbi esetben ún. metasta­bil állapotok is előállhatnak. Az adalékoláson túlmenően a belőtt ionok ener­giája révén nem egyetlen elemből felépülő céltárgy esetén a felületi rétegek kémiai összetétele is meg­változhat. A találmány szempontjából meg kell említeni a gyorsítóberendezések egy további családját. Ezeket az egyedi ionimpulzusokat szolgáltató berendezé­seket főként a fúziós kutatás céljaira használják, de kísérletek történtek ezek szilárdtestfizikai hatásai­nak felderítésére, alkalmazhatóságuk kiderítésére. Ezek a berendezések Marx-generátor által táp­lált, mágnesesen szigetelt vákuumdiódákon alapul­nak. A kívánt ionokat a dióda anódjának bevona­taként alkalmazott szigetelő anyag megválasztásá­val biztosítják. Egy ilyen típusú ismert berendezés felépítését és működését később az 1. ábra alapján részletesebben ismertetjük. Az ilyen gyorsítók nem rendelkeznek tömegszeparálással és a keletkező io­nok nem monoenergetikusak. Az impulzusszerű üzem - elvben - lehetővé tenné az önkihevítő imp­lantáció elvégzését is, de az egyetlen (esetleg né­hány) impulzus számottevő adalék mennyiség bevi­telét gazdaságos idő alatt nem biztosítja, és az eljá­rás ily módon szilárdtest-technológiai szempontból csak hőkezelési célokra lehet alkalmas. Ilyen elven működő, szilárdtest technológiai beren­dezés kifejlesztését még nem publikálták. A találmánnyal a célunk olyan eljárás és beren­dezés létrehozása, amellyel a tömegszeparációt és monoenergetikus ionnyalábot nem igénylő felada­tok olcsó és gyors megoldása válik lehetővé. Egy­idejűleg a gyorsító energia növelésének gazdasági korlátái is feloldódnak. Az eljárás alkalmas lehet önkihevitő adalékolásra is, amennyiben egy impul­zus energiája meghaladja a target anyagra és a beeső ionokra jellemző küszöbértéket. A találmány alapja egyrészt az a felismerés, hogy sok ionbombázásos feladat a minőség rontása nél­kül megoldható nem tömegszeparált és nem mono­­energetikus ionok segítségével, másrészt a talál­mány szerinti berendezés egy önmagában ismert berendezés továbbfejlesztése szilárdtest-technoló­giai célokra. A találmány szerinti eljárás során az ionbesugár­zást repetitív impulzusokkal végezzük. A javasolt berendezésben egy töltőegység egyik kimenete lö­késgerjesztő egyik bemenetére, másik kimenete egy forrásmágnes energiatároló egyik bemenetére van kapcsolva. A forrásmágnes energiatároló másik be­meneté egy gyújtó tápegység kimenetével van ösz­­szekötve. A forrásmágnes energiatároló kimenete egy indító egység bemenetére csatlakozik, az indító egység egyik kimenete egy ionforrás egyik bemene­tére, másik kimenete pedig a lökésgerjesztő másik bemenetére van kapcsolva, és a lökésgerjesztő ki­menete az ionforrás másik bemenetével van össze­kötve. A berendezésnek egy vezérlő egysége van, amelynek egyik kimenete a gyújtó tápegység beme­netére, másik kimenete pedig a töltőegység beme­netére csatlakozik. A töltőegység áramgenerátoro­kat tartalmaz, és a töltőegység egy további kimene­te egy feszültségkorlátozó egység bemenetére, en­nek kimenete pedig a vezérlő egység egyik bemene­tére van kapcsolva. Az ionforrás kimenete egy tar­­get-egység bemenetével, ennek kimenete pedig egy implantálást ellenőrző egységen át a vezérlő egység másik bemenetével van összekötve, és a lökésger­­jesztő másik kimenete egy implantert ellenőrző egy­ség bemenetére csatlakozik. Ennek megfelelően több feladatra is jól használható, repetitív impulzu­sokkal működő besugárzó berendezés állt elő, lé­nyegesen kisebb költséggel, mint a hasonló célra használt, vagy elvben felhasználható berendezések. Ez a készülék gyárthatóságát is nagymértékben leegyszerűsíti. Az ismert és a találmány szerinti berendezést rajz alapján ismertetjük. A rajzon az 1. ábra : az ismert plazma gerjesztő egység blokk­vázlata, és a 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 2

Next

/
Oldalképek
Tartalom