188974. lajstromszámú szabadalom • Plazmakémiai eljárás porkohászati keverék előállítására

188974 2 szinterezett anyagok vagy keményfémek mechanikai tulajdonságaira.. A fent említett késleltetés emellett azt biztosítja, hogy a kötőfémek kiindulási anyagai alacsonyabb hőmérsékletű plazmatartományba kerülnek, olyan tartományba, amelyben a karbonitridek, ületve nit­­ridek képződéséhez vezető reakciók már részben lezajlottak, így a kötőfémek szénnel és nitrogénnel történő szennyeződésének veszélye csökken. Amennyiben a kötőfémek kiindulási anyagait 10"1 mp-nél nagyobb késleltetéssel adagolnánk a "plazmába, olyan plazmatartományba kerülnének, amelynek hőmérséklete a komponensek bomlás^, il­letve forráspontja alatt van. Ennek következménye a szemcseméret növekedése és a por tisztaságának csök­kenése. Amennyiben a kötőfémek kiindulási anyagait 1CT7 mp-nél kisebb késleltetéssel juttatnánk a plaz­mába, a kötőfém nem kondenzálódna a magas olva­dáspontú fémvegyületek felületén, emellett példá­­. ul az olyan kötőfémek, mint a wolfram és a molib­­dén részben karbiddá vagy nitriddé alakulna, ugyan­is az ilyen rövid időn belül a karbonitrideket és nít­­rideket képező anyagok elpárolgása és hőbomlása még nem ment végbe teljesen. A találmány szerint az alacsony hőmérsékletű nitrogénplazmában karbonitrideket képező átmene­ti fémként előnyösen az alábbi fémek közül: titán, cirkónium, háfnium, niobium, tantál, vanádium, leg­alább egyet, vagy a felsoroltak oxidjait, illetve lclo­­ridjait alkalmazzuk szénhidrogénekkel együtt, a szén­­hidrogén biztosítja a karbonitrid képződéséhez szük­séges szenet. A karbonitridek agresszív közegekkel szemben ellenállók, ugyanakkor plaszticitásuk na­gyobb, mint ugyanannak a fémnek a karbidjáé. Szénhidrogénként előnyösen metánt, butánt, propánt stb., továbbá benzint alkalmazhatunk. Ezekkel a vcgyüíetekkel magas karbonitridhozam érhető el. Gyakorlatilag tetszőleges, folyékony vagy gázhalmazállapotú, telített, telítetlen vagy aromás szénhidrogéneket alkalmazhatunk. Az alacsony hőmérsékletű nitrogénplazmában nitri­­deket képező átmenő fémként előnyösen az alábbia­kat alkalmazunk: titán, cirkónium, háfnium, nióbium, tantál, vanádium. illetve kloridjaik. A felsorolt fémek nitridjei, illetve azok szilárd oldatai keménysége a kar­­bidekénél és karbonitridekénél kisebb, plaszticitásuk azonban nagyobb, bomlási hőmérsékletük magasabb, agresszív közeggel szembeni ellenállóságuk jó, így sok­féleképpen használhatók fel. Az alacsony hőmérsékletű nitrogénplazmában nitri­­deket és karbonitrideket nem képező fémek kiindulá­si anyagaként előnyösen wolframot, moíibdént, vasat, nikkelt, kobaltot, rezet vagy azok kloridjait, oxidjait vagy karboniljait alkalmazzuk, A fenti fémeket, illetve fémvegyületeket azért vá­lasztottuk, mert belőlük a plazmaáramban olyan fi­nomdiszperz por keletkezik, amelynek fizikai-ké­miai tulajdonságai jó kötést biztosítanak a fázis-ha­tárok mentén. Ez elengedhetetlenül szükséges ahhoz, hogy a porból sajtolt termékeknek, illetve a kemény­fémeknek jó használati tulajdonságai legyenek. A fel­sorolt fémeket és vegyületeket különböző kombiná­ciókban is alkalmazhatjuk. Amennyiben kündulási komponensként kloridokat 1 alkalmazunk, az alacsony hőmérsékletű nitrogénplaz­ma áramába célszerűen járulékosan hidrogént is ada­golunk. A hidrogén a fémkloridok teljes redukcióját segíti elő. A fémkloridok csak nagy feleslegben alkal­mazott hidrogén jelenlétében redukálódnak teljesen, tehát csak így érhető el a karbonitridek, nitridek és kötőfémek nagy hozama. A találmány szerinti eljárással egyebek között há­­romkomponenses porkeveréket készíthetünk, amely az átmeneti fémek karbonitridjeit és nitridjeit, va­lamint kötőfémeket tartalmaz. A karbonitridek és nitridek egyidejű kéződésének fontos feltétele bizo­nyos mennyiségű szénhidrogén adagolása a plazma­áramba. A szénhidrogén adagolási módjától és kon­centrációjától függően a karbonitrideket és nitrideket különböző részarányban tartalmazó porkeverékeket ka­­' punk. A háromkomponenses porokból előállított szerkezeti anyagok egyesítik magukban a nitridek és karbonitridek jó tulajdonságait: kopásállóság és ke­ménység plaszticitás mellett. A találmány szerinti eljárás részleteit és egyéb elő­nyeit az alábbiakban részletesen ismertetjük. Az eljárás kiindulási anyagaiként előnyösen a meg­felelő elemi fémek 20—50 pm szemcseméretű porait, illetve oxidjaik 10-40 pm szemcseméretű porait al­kalmsuk, a megadott szemcseméretek a kiindulási porok teljes elpárolgását biztosítják. Különösen elő­nyösen olyan porokat alkalmazunk, amelyek szemcséi között a méretkülönbség lOpnvnél kisebb. Amennyiben kündulási anyagként kloridokat alkal­mazunk, ezeket célszerűen előzetesen elgőzöljük, mert a kloridok gőzét egyszerűbben és egyenleteseb­ben adagolhatjuk a plazmaáramba. A finomdiszperz port a találmány szerint alacsony hőmérsékletű nitrogénplazmában állítjuk elő. A m+ro­­génplazma előállítása céljából különleges berendezés­ben , mégpedig fényíves, magas frekvenciájú vagy ultra­magas frelcvencájú plazmatronban nitrogént hevítünk 3000 f-7000 K hőmérsékletre. A gáz hevítésének mód­ját lényegében a kiindulási anyagokból és a kész por tisztaságával szemben támasztott követelményektől függően választjuk meg. A fényíves plazmatron nagy hatásiokú, a plazma­áram áramlási sebessége is nagy, a plazmába bejutta-. to.tt anyagok és a plazma között az érintkezési idő azoban rövid. A magas frekvenciájú, illetve ultramagas frekvenciájú plazmatron segítségével előállított plazma nagy plaz­matérfogattal és alacsony áramlási sebességgel rendel­kezik. Ennek megfelelően a bejuttatott anyagok és a plazma között hosszabb időn át van érintkezés, így az anyagok hőbomlásának, illetve elpárolgásának fel­tételei javulnak. A magas frekvenciájú plazmatronban nincs elektróda, így a plazma igen nagy tisztaságú. Az ilyen plazmatron hatásfoka azonban alacsonyabb a fényíves plazmatronénál. A fentieknek megfelelően tehát fényíves plazmat­­ront azokban az esetekben alkalmazunk, amelyekben a kiindulási anyagok ' illékonyak, forráspontjuk, ület­ve bomlási hőmérsékletük alacsony, fényíves plazmat­­ront álékor is használhatunk, ha a por tisztaságáve szemben nem támasztanak különösen magas követel­ményeket. A magas frekvenciájú, illetve ultramagás. frekvenciájú plazmatron alkalmazása akkor előnyös,] ha nagytisztaságú finomdiszperz porkeveréket akarunk 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 .4

Next

/
Oldalképek
Tartalom