187713. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető amorf vékonyrétegek előállítására különösen félvezető eszközökhöz
1 .187 713 2 kotja. A 711 amorf szilíciumrétegek a 754 második dópolt vékonyréteg alsó felületén levő 758 harmadik dópolt vékonyréteget is felölelnek, amelyben a 754 második dópolt vékonyréteghez viszonyítva nagyobb a dópoló anyagok koncentrációja. Az adott esetben a 758 harmadik dópolt vékonyréteg is n-típusú vezetést biztosító anyagból készült. A 758 harmadik dópolt vékonyréteg feladata a 714 testben ohmos kapcsolat létrehozása. Bár az 5., 6. és 7. ábrán bemutatott félvezető eszközöket napelemként ismertettük, a szakember számára nyilvánvaló, hogy ezek az eszközök, amelyek kialakításakor a találmány szerinti eljárást hasznosítják, nagyfrekvenciás fotodetektorokként is használhatók, tehát olyan eszközökként, amelyek a sugárzási energiára érzékenyek. A 8. ábra a találmány szerinti eljárással előállítható félvezető eszközök egy másik példájaként 810 heteroátmenetes fotoelektromos félvezető eszközt mutat be. Ez is a találmány szerinti eljárással állítható elő. A 810 heteroátmenetes fotoelektromos félvezető eszköz 814 testre épül fel, amely poliszilánokból höbontással készült és anyaga amorf szilícium. A 814 test jellemzői ugyanolyanok, mintajelen találmány szerinti eljárással megvalósított 400 heteroátmenetes félvezető eszköz, amely a 402 i-típusú vékonyrétegből áll. A 810 heteroátmenetes fotoelektromos félvezető eszköz az előzőekben leírt módon állítható elő. Ebben beeső napsugárzást felfogó 854 belső felülettel ellátott 860 félvezető réteg amorf szilíciumból álló 814 test számára ugyanolyan hordozó elemként szerepelhet, mint a 4. és 5. ábrával kapcsolatban leírt félvezető eszközök szubsztrátumai. A 814 testet diszilán hőbontásával állítjuk elő, míg a 860 félvezető réteget a 814 testen utólag akár porlasztással is elkészíthetjük. Ebben az eszközben 866 elektród mellett 868 átmeneti réteg és 870 második elektród van kialakítva maszktechnikával és porlasztással, az irodalomból jól ismert eljárásokkal. A 810 heteroátmenetes fotoelektromos félvezető eszköz nemcsak fotoelektromos elrendezésekben, hanem mint ez a szakember számára nyilvánvaló, egyenirányítóként is használható. Ebben az esetben nincs szükség olyan 860 félvezető rétegre, mint hordozóra, amely a napsugárzást félig vagy teljesen átengedő anyagból készülne. Ugyanakkor szükségtelenné válik a 854 belső felület is, amely a beeső napsugárzás befogadására alkalmas. Bár a találmány szerinti eljárás ismertetése során, a csatolt rajzra való hivatkozással számos különböző tényt és útmutatást leírtunk, az előző részletes ismertetésből, amely csak példakénti bemutatás célját szolgálja, nyilvánvaló, hogy számos olyan változtatás és ekvivalens megoldás dolgozható ki, amelyek a találmány szerinti megoldás igénypontokba foglalt oltalmi körébe esnek. A találmány szerinti eljárás segítségével olyan amorf szilícium rétegek állíthatók elő, amelyek alapján az ismerteknél hatékonyabban alkalmazható félvezető eszközök készíthetők. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás félvezető amorf vékonyrétegek előállítására, különösen félvezető eszközökhöz, amikor is szubszt rátumon félvezető-fém legalább egy gáz halmazállapotú polivegyületét tartalmazó gázkeverékből félvezető amorf vékonyréteget választunk le, azzal jellemezve, hogy a vékonyréteg(ek) leválasztásához idott esetben közömbös gáz jelenlétében félvezető-fém 1-nél több fémet tartalmazó gáz halmazállapotú polivegyületét és adott esetben még legalább egy dópoló anyagot legalább 10 Pa nyomáson boltunk meg. (Elsőbbsége: 1984. 09. 21.) 2. A/ 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a polivegyületét 150 és 500 °C közötti hőmérsékleten bontjuk meg. (Elsőbbsége: 1981.03. 11.) 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a gáz halmazállapotú polivegyületet parazsfénykisüléssel bontjuk meg. (Elsőbbsége: 1984. 09. 21.) 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a félvezető amorf vékonyréteget leválasztásához félvezető-fém legalább két 1-nél nagyobb polimerizációs fokú gáz halmazállapot) polivegyületét bontjuk meg. (Elsőbbsége: 1981.03.11. ) 5. Ai 1-4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a vékonyréteg leválasztásához a félvezető-fém polivegyülete mellett legalább egy dópoló anyagot tartalmazó gázkeveréket bontunk meg. (Elsőbbsége: 1981. 03. 11.) 6. Ai 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy dópoló anyagként gáz halmazállapotú bórvegyületet, előnyösen diboránt és/vagy foszforvegyületet, előnyösen foszfint használunk. (Elsőbbsége: 1081. 03. 11.) 7. A/ 1-6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy közömbös hordozó gázt, előnyösen argont és/vagy héliumot tartalmazó gázkeverék bői választjuk le a vékonyréteget. (Elsőbbsége: 1081. 03. 11.) 8. Az 1-7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a vékonyréteget melegített sz ibsztrátumra választjuk le. (Elsőbbsége: 1981.03.11. ) 9. Ai 1-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egymást követően több különböző tulajdonságú és/vagy összetételű vékonyré*eget választunk le. (Elsőbbsége: 1981. 03. II.) 10. Az 5-9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy dópoló anyagokat tartalmazó gázkeverékekből különböző vezetési típusú vékonyrétegeket választunk le hőbontással. (Elsőbbsége: 1981. 03. 11.) 11. Az 1-10. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy gázkeverékből hőbontással több vékonyréteget választunk le. (Elsőbbsége: 1981. 03. 11.) 12. Az 1-11. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a félvezető-fém polivegyületeként legfeljebb hat szilícium atomos poliszilán(oka)t bontunk meg. (Elsőbbsége: 1981. 03. 11.) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 7
