187693. lajstromszámú szabadalom • Eljárás p-tipusú tartományok kialakítása AL diffúzióval

(19) HU MAGYAR

NÉPKÖZTÁRSASÁG

SZABADALMI

LEÍRÁS

SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY B

A bejelentés napja: (22) 82. 05. 04. (21) 1387/82.

(A módosítás napja:) 83. 04. 26. '

<11> 187 693

Nemzetközi

osztályjelzet:

(51) NSZO,

H 01 L 21/225

ORSZÁGOS

találmányi

HIVATAL

A közzététel napja: (41) (42) 1984. 04. 30. Megjelent: (45) 88.01.30.

5^alálmányi^> Szabadalmi Tár. ’ Jt/LAJDONk,

Feltalálóik): (72) Szabadalmas: (73)

PUSKÁS László 30%, LÁZÁR Péter, 15%, vegyészek, dr. motál Mikroelektronikai Vállalat, Budapest György, 25%, SZENDRŐ István, 10% fizikusok, Budapest, VÁRHEGYI Tivadarné, 10%, MÁRTON Edit, 5%, félvezető mérnökök, ZALÁNYI István, üzemmérnök 5% Budapest

(54) ELJÁRÁS p TlPUSÜ TARTOMÁNYOK KIALAKÍTÁSÁRA A1 DIFFÚZIÓJÁVAL

(57) KIVONAT

A találmány tárgya olyan eljárás, mely a szilícium-dioxid és/vagy szilíciumnitrid maszkoló réteggel ellátott Si egykristály szeletben A1 diffúzióval kialakított p típusú tartományok előállítására szolgál.

A kitűzött feladatot olyan eljárással oldják meg, hogy a kialakított ablakok felületét 5-20 nm vastagságú Si02 réteggel fedik le, majd az egész Si egykristályszelet felületére az eredeti maszkoló rétegnél legalább kétszer vastagabb, de min. 500 nm vastagságú poliszilícium és/vagy amorf Si réteget választanak le, és az Al-ot az így kialakított poliszilícium és/vagy amorf Sí rétegen keresztül diffundáltatják a Si egykristály szeletbe, majd sorrendben ismert eljárással lemarják először a poliszilícium és/vagy amorf Si réteget, majd utána a Si02 és/vagy Si3N4 maszkoló réteget.