185450. lajstromszámú szabadalom • Eljárás n- és/vagy p-típúsú adalékolt területeket tartalmazó félvezető eszközök, előnyösen MOS vagy bipoláris integrált áramkörök kialakítására

í19) HU MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS 11>185 450 SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL A bejelentés napja: (22) 81. 08. 18. (21) 2405/81 A közzététel napja: (41 ) (42) 84. 02. 28. Megjelent: (45) 87.07. 30. Nemzetközi osztályjelzet: (51)NSZ04 H 01 L 21/34: 27/10 Feltaláló(k): (72) Bányai Ferenc, fizikus, 5 %, Gyimesi Jenő, fizikus, 9 %, Gyulai József, fizikus, 5 %, Heksch Ferenc, villamosmérnök, 12 %, Kó­sza Gézáné, vegyészmérnök, 6%, Lénárt Márta, vegyészmér­nök, 12 %, Mohácsi Tibor, vegyészmérnök, 14 %, Podmaniczky István, vegyészmérnök, II %, Sándor Szvetlána, vegyészmér­nök, 5 %, Schiller Róbertné, vegyészmérnök, 9 %, Tímár József, vegyészmérnök, 12%, Budapest Szabadalmas: (73) MTA Központi Fizikai Kutató Intézete, Budapest, Mikroelektronikai V. Budapest (54) ELJÁRÁS n- ÉS/VAGY p-TÍPUSÜ ADALÉKOLT TERÜLETEKET TARTALMAZÓ FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK, ELŐNYÖSEN MOS VAGY BIPOLÁRIS INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK KIALAKÍTÁSÁRA (57) KIVONAT A találmány tárgya eljárás n- és/vagy p-típusú adalékolt területeket tartalmazó félvezető eszkö­zök, előnyösen MOS vagy bipoláris integrált áram­körök kialakítására. A találmány abban van, hogy a termikus szilí­­ciumdioxid-réteget az ismert eljárásoknál alkalma­zott oxidrétegnél vékonyabbra, pl. felére vagy har­madára választjuk. Ezt a vékonyabb szilíciumdi­­oxid-réteget szelektíven eltávolítjuk. Ezután a szilí­cium egykristály-szeletbe az eltávolított helyeken ismert módon megfelelő adalékanyagot, pl. bőrt vagy foszfort implantálunk, és az egykristály-szele­tet megfelelő közegben hőkezeljük. Ezt követően pirolitikus vagy más alacsony hőmérsékletű oxid leválasztást végzünk úgy, hogy a vékonyabbra vá­lasztott szilíciumdioxid-réteg és a pirolitikus vagy alacsony hőmérsékletű oxidréteg együttes vastagsá­ga éppen a szükséges környezeti oxidréteg vastag­ságával legyen egyenlő. Végül további ismert műve­letek elvégzésével a félvezető eszközt kialakítjuk.

Next

/
Oldalképek
Tartalom