184877. lajstromszámú szabadalom • Eljárás gallium tisztítására
7 184877 8 centrálisán vagy mag-egykristályt helyezünk vagy magegykristályt képezünk és a kristályosítást külső hűtéssel végezzük, amelynek szabályozásával a mag-egykristály tömegnövekedésének sebességét 10—80 g/óra értéken tartjuk, a folyékony fázis 40—60%-ának kristályosodása után a nagyméretű egykristályt, amely a folyamat irányítottságának eredménye, elkülönítjük a folyékony fázistól és kívánt esetben az eredeti mag-egykristályt olvasztással elválasztjuk a nagyméretű egykristálytól. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a mag-egykristályt magában az olvadékban, annak lokális hűtésével képezzük. 5 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a gallium olvadékba annak tömegére számítva 1—5% tömegű mag-egykristályt merítünk vagy képezünk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 87.2031.66-4 Alföldi Nyomda, Debrecen Felelős vezető: Benkő István vezérigazgató
