184647. lajstromszámú szabadalom • Háromrétegű felvezető eszközök
1 184,647 2 érdekébeira találmány szerinti tranzisztor vezetési irányú zsilipfeszültségének, és a Zener dióda névleges feszültségének arányban kell állni a bemeneő feszültség értékével. A 4a. 4b. és 4c. ábrákon a találmány szerinti háromrétegű félvezető eszközök váltakozóáramú tranzisztor alakjainak felépítését és javasolt szimbólum jelölését tüntettük fel. A 4a. ábrán látható összetett kristályszerkezetű félvezető eszköz tulajdonképpen nem más mint két'ellenpárhuzamosan kapcsolt npn rétegsorrendű egyenáramú la, lb tranzisztor, ahol az egymással összekapcsolt injektorés receptor 5a, 6b és 6a, 5b elektródák a W1 és Wl jelű úgynevezett munkaelektródákhoz 10, 11, a középső 4a, 4b rétegek pedig a Cl és C2 jelű egymástól független compensor 7a, 7b elektródákhoz csaltakoznak. A 4b. ábrán látható félvezető eszköz csak az egyenáramú tranzisztorok rétegsorrendjében különbözik a 4a. ábrán feltüntetett változattól. A 4c. ábrán látható félvezető eszköz komplementer kialakításával tér el az előbbi két változattól. Ebben az esetben az összetett kristályszerkezetet párhuzamosan kapcsolt npn és pnp rétegsorrendű egyenáramú la, lb tranzisztorok alkotják, ahol az egymással összekapcsolt injektorés receptor 5a, 5b és 6a, 6b elektródák az I és R jelű közös injektor és receptor elektródákhoz, a középső 4a, 4b rétegek pedig a Cn és Cp jelű egymástól független compensor 7a, 7b elektródákhoz csatlakoznak. A találmány szerinti háromrétegű félvezető eszközök váltakozóáramú tranzisztor alakjai funkciójukat olymódon látják el, hogy a váltakozóáram pozitív és negatív félperiódusait külön-külön szabályozzák, az összegeződés pedig a közös munkaelektródákban jön létre. Az ekvivalens kivitelű változatokkal szemben a komplementer változat előnye, hogy mindkét szabályozó Cn és Cp elektródja ugyanarról az R munkaelek' ródáról vezérelhető. További előnye még ennek a változatnak, hogy vezérlése nemcsak a közös receptor elektródáról, hanem a két szabályzó elektróda közé kötött egyszerű szabályzó áramkörrel is megoldható. Ennek a vezérlési módnak az egyszerűségen kívül nagy előnye még, hogy a W1-W2 és R munkaelektródákról történő szabályozással szemben jóval kisebb a vezériő energia igénye. A találmány szerinti háromrétegű félvezető eszközöket a backward dióda, valamint a jelenleg általánosan ismert és használt többrétegű félvezetőelemek technológiájával állíthatjuk elő, amely nem része a találmánynak. A találmány szerinti háromrétegű félvezető eszközök fenti működése alapján beláthatjuk, hogy azok alkalmazása széles körű, a modem elektronika bármely területén felhasználhatók ahol szabályozási, egyeniiányítási, valamint különböző összetett áramköri feladatok egyszerű, olcsó és megbízható ellátására van szükség Szabadalmi igénypontok 1. Háromrétegű félvezető eszközök, amelyeknek a backward dióda töltéshordozó áramlásán alapuló működési mechanizmusuk van, azzal jellemezve hogy a félvezető testet (1) két azonos vezetési típusú és egy ellentétes vezetési típusú félvezető réteg (4) a két azonos vezetési típusú félvezető iéteg(2,3) között helyezkedik el, és dotáció szintje nem haladja meg az azonos vezetési típusú félvezető rétegek (2, 3) dotáció szintjét 2. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a két azonos vezetési típusú félvezető réteget (2, 3) eltérő dotáció szintű n-típusú rétegek alkotják, ahol a gyengébben dotált réteg (2) az injektor elektródához (5), az erősebben dől tilt réteg (3) pedig a receptor elektródához (6) csatlakozik. 3. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a két azonos vezetőn típusú félvezető réteget (2, 3) eltérő dotáció szintű p-típusú rétegek alkotják, ahol a gyengébben dotált réteg (2) az injektor elektródához (5), az erősebben dotált réteg (3) pedig a receptor elektródához (6) csatlakozik. 4. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a két azonos vezetés típusú félvezető réteget (2, 3) megegyező dotáció szintű n-típusú szimmetrikus rétegek alkotják, ahol a szimmetrikus Tétegek (2, 3) két egymással felcserélhető külső elektródához (5, 6) csatlakoznak. 5. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a két azonos vezetési típusú félvezető réteget (2, 3) megegyző dotáció szintű n-típusú szimmetrikus rétegek alkotják, ahol a szimmetrikus rétegek (2, 3) tót egymással felcserélhető külső elektródához (5,6) csatlakoznak. 6. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök-kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a tót azonos vezetési típusú félvezető réteget (2, 3) eltérő dotáció szintű n-típusú rétegek alkotják, ahol a gyengébben dotált réteg (2) az injektor elektródához (5), az erősebben dotált réteg (3) a receptor elektródához (6), az ellentétes vezetési típusú közép ső réteg (4) pedig a compensor elektródához (7) csatlakozik. 7. Az 1. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakj, azzal jellemezve, hogy a tót azonos vezetési típusú félvezető réteget (2, 3) eltérő dotáció szintű n-típusú rétegek alkotják, ahol a gyengébben dotált réteg (2) az injektor elektródához (5), az erősebben dotât réteg (3) a receptor elektródához (6) az ellentétes vezetés típusú középső réteg (4) pedig a compensor elektródához (7) csatlakozik. 8. A 6. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy összetett rétegszerkezetű félvezető teste van, a félvezető testet egyenáramú npn félépítésű első és második tianziszotorok (la, lb)képezik, ahol az első tranzisztor (la) injektor és receptor elektródái (5a, 6a) a második tranzisztor (lb) injektor és receptor elektródáival (5b, 6b) ellenpárhuzamosan kapcsolódnak, az összekapcsolt elektródák közös munkaelektródákhoz (10, 11), a középső rétegek (4a, 4b) pedig egymástól független compensor elektródákhoz (7a, 7b) csatlakoznak. __ 9. A 7. igénypont szerinti háromrétegű félvezető eszközök kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy összetett rétegszerkezetű félvezető teste van, á félvezető testet egyenáramú npn félépítésű első és második tianziszotorok (la, lb) képezik, ahol az első tranzisztor (la) injektor és receptor elektródái (5a, 6a) a második tranzisztor (lb) Injektor és receptor elektródáival (5b, 6b) ellenpárhuzamosan kapcsolódnak, az összekapcsolt elektródák közös munka-5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 5
