184167. lajstromszámú szabadalom • Eljárás ionimplantáció berendezések víszintes és függőleges eltérítő feszültségei frekvenciáinak előállítására
184 167 1 2 A találmány alapja az a felismerés, hogy a kitűzött feladat egyszerűen megoldódik, ha az elektromos eltérítésnél a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek frekvenciáinak viszonyát végtelen nem szakaszos tizedes törtnek választjuk és az így megválasztott frekvenciaviszonyt állandó értéken tartjuk. A frekvenciaviszony állandó értéken való tartását úgy tudjuk biztosítani, hogy a vízszintes és függőleges eltérítő lemezpárok eltérítő feszültségei frekvenciáinak vezérlését egyetlen közös oszcillátor jeléből leosztva állítjuk elő. A találmány lényege az, hogy a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek vezérlésére szolgáló jeleket egy közös oszcillátorral előállítjuk és egy frekvenciaosztó áramkör segítségével a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek frekvenciája viszonyát két végtelen nem szakaszos tizedes törtet alkotó prímszám hányadosaként képezzük. A találmány tárgyát rajz alapján ismertetjük részletesebben. A rajzon az Lábra egy ismert ionimplantáló berendezés eltérítő egységének blokkvázlatát, a 2. ábra a találmány szerinti eljárást hasznosító berendezés eltérítő egységének blokkvázlatát mutatja. Az 1. ábrán látható ismert ionimplantáló berendezés eltérítő egységénél az eltérítő 13 vízszintes, illetve 16 függőleges lemezpárok az ionnyaláb eltérítéséhez szükséges nagyszintű szimmetrikus eltérítő feszültségeket, a 12 vízszintes, illetve 15 függőleges nagy feszültségű erősítők megfelelő kimenetéiről b első, c második vízszintes eltérítő, illetve d első, e második függőleges eltérítő vezetéken keresztül kapják. Ezeket a nagyszintű szimmetrikus eltérítő feszültségeket all vízszintes, illetve 14 függőleges nagyfeszültségű tápegységek kimeneteiről f vízszintes, illetve g függőleges nagyfeszültségű tápvezetékeken, valamint a 17 vízszintes, illetve 18 függőleges vezérlő oszcillátorok kimeneteiről h vízszintes, illetve j függőleges vezérlő jelvezetékeken keresztül érkező jelek felerősítésével állítjuk elő. A 2. ábrán látható találmány szerinti eljárást hasznosító berendezés eltérítő egységénél a 23 vízszintes, illetve 26 függőleges eltérítő lemezpárok az ionnyaláb eltérítéséhez szükséges nagyszintű szimmetrikus eltérítő feszültségeket a 22 vízszintes, illetve a 25 függőleges nagyfeszültségű erősítők megfelelő kimeneteiről k első, m második vízszintes, illetve n első, o második függőleges eltérítő vezetéken keresztül kapják. Ezeket a nagyfeszültségű szimmetrikus eltérítő feszültségeket a 22 vízszintes, 25 függőleges nagyfeszültségű erősítők bemenetelre a 21 vízszintes, 24 függőleges nagyfeszültségű tápegységek kimeneteiről p vízszintes, t függőleges nagyfeszültségű tápvezetékeken, valamint egy 27 frekvenciaosztó egység egy-egy kimenetéről egy r vízszintes és egy s függőleges vezérlő jelvezetéken keresztül érkező jelek felerősítéséből állítjuk elő. A 27 frekvenciaosztó egység a vízszintes és függőleges vezérlő jeleit a 27 frekvenciaosztó egység bemenetével u oszcillátor jelvezetéken keresztül kapcsolt 28 oszcillátor kimenetijeiéből két különböző frekvenciájú jelre történő osztással állítjuk elő. A két különböző frekvenciájú vezérlő jel alapja a 28 oszcillátor u oszcillátor jelvezetékén megjelenő jelsorozat. Ezt a jelsorozatot a 27 frekvenciaosztó egységen belül kialakított vízszintes osztóra vezetve a 27 frekvenciaosztó egység kimenetén megjelenik egy egész számmal elosztott vezérlőjelsorozat. A 28 oszcillátor jelsorozatát ugyancsak a 27 frekvenciaosztó egységen belül kialakított függőleges osztóra vezetve a 27 frekvenciaosztó egység kimenetén megjelenik egy másik egész számmal elosztott vezérlő jelsorozat. A vízszintes és függőleges vezérlő jelek osztással történő előállításánál olyan egész szám párt alkalmazunk, amelyek hányadosa végtelen nem szakaszos tizedes törtet alkot. A találmány szerinti eljárás előnyeit a következők szerint foglalhatjuk össze: Az ionimplantáló berendezésekben a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek frekvenciáinak viszonyát a találmány szerint megválasztva elérhető, hogy az ionnyaláb minden átfutáskor az implantálandó szelet más-más helyén megy át és ezzel biztosítjuk, hogy viszonylag alacsony eltérítő frekvenciák esetén is az adalékanyag eloszlása a szelet felületén homogén. A találmány szerinti eljárás alkalmazásával biztosítani tudjuk a tápfeszültség, hőmérséklet stb. változásától függetlenül a megválasztott frekvenciaviszony szigorúan állandó értéken való tartását, amivel elérhető a különböző időpontokban végzett implantálás homogenitásának azonossága. A találmány szerinti eljárás előnyösen alkalmazható ionimplantáló berendezésekben, például integrált áramköri eszközök előállításánál. Szabadalmi igénypont Eljárás ionimplantáló berendezések vízszintes és függőleges eltérítő feszültségei frekvenciáinak előállítására, amelynél a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek vezérlésére szolgáló jeleket egy közös oszcillátorral előállítjuk és egy frekvenciaosztó egység segítségével leosztjuk, azzal jellemezve, hogy a frekvenciaosztó egységben (27) a vízszintes és függőleges eltérítő feszültségek frekvenciaviszonyát két végtelen nem szakaszos tizedes törtet alkotó prímszám hányadosaként képezzük. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 (2. ábra) Kiadja az Országos Találmányi Hivatal A kiadásért felel: Himer Zoltán osztály vezető Megjelent a Műszaki Könyvkiadó gondozásában COPYLUX Nyomdaipari és Sokszorosító Kisszövetkezet 3
