182812. lajstromszámú szabadalom • Eljárás mikroáramköri maszkok számítógéppel segített tervezésére, ellenőrzésére és előállítására

7 182 812 2 kamerával történő összeillesztés során mindazok a területek világosak lesznek, amelyekre legalább az egyik fragmentumból világos terület képezödik le. Nyilvánvaló, hogy az ábrázolt példában az illesz­kedési 34 hiba nem befolyásolja a 31 elemek alakját és méreteit, de megváltoztathatja (tágíthatja vagy szűkítheti) az elemek közötti rés szélességét. A 21 határábrák találmány szerinti kialakításának és összeillesztésének egy további példakénti kiviteli alakját a 4. ábra alapján ismertetjük ugyanazon buborékmemória-maszk esetén. Itt a fragmentumok elvi 32 határvonalát és technológiai 33 határvonalát a 31 elemek ábráinak átmetszésével alakítottuk ki. Ekkor a 15c és 15d rajzolatokban az átmetszett 31 elemek összeillesztendő darabjai az átfedési sávokkal megfelelően kiegészítve alkotják a 21 határábrákat, a mellettük levő ép elemek pedig belső 22 ábrák. A technológiai illeszkedési 34 hiba most az elemek közötti rések méretét nem befolyásolja, de eltorzít­hatja az átmetszett 31 elemek alakját és méreteit. A találmány szerinti eljárásban a funkcionálisan összefüggő rajzolatrészletek fragmentumokra bon­tása során a mikroáramköri eszköz működési fel­tételeinek figyelembevételével célszerű eldönteni, hogy melyek azok az ábravonalak és/vagy rések, amelyeken a határvonalakat átvezetve ä technológiai illesztésből adódó, a 3. és a 4. ábrán bemutatott torzulások együttes hatása a legkevésbé befolyásolja az eszköz megbízható működését. Két egymást ki­egészítő átmetszést módot ismertettünk, ezeket együttesen felhasználva a találmány szerinti hierar­chikus maszkkészítési és ellenőrzési eljárás minden olyan nagy integráltsági fokú eszköz maszkjainak elkészítésére alkalmazható, amelyben az ábrák vo­nalai és rései a rendelkezésre álló eszközökkel le­­képezhetők. A mikroáramköri eszköz egymás fölötti réteg­­szintjeinek maszkjait, vagyis a maszkkészletet a talál­mány szerint célszerű azonos módon hierarchia­­szintekre és fragmentumokra felosztani — a frag­mentumhatárok kialakítása természetesen az egyes rajzolatokra jellemző, nem szükségképpen azonos — abból a célból, hogy az egymás fölé illeszkedő raj­zolatok előzetes ellenőrzésének és a fragmentum­­lemezek technológiaközi ellenőrzésének műveleteit egyszerűsítve, rövidebb idő alatt és biztonságosan tudjuk elvégezni. A legalacsonyabb technológiai hierarchiaszintű fragmentumok ábrája lényegesen kisebb területű lehet, mint egy maszklemez hasznosítható felülete. Ebben az esetben a találmány szerint célszerű egy maszklemezre több fragmentum ábráit elkészíteni és a technológiai folyamat során az éppen használni kívánt fragmentum kivételével a maszklemez többi felületét optikailag átlátszatlan anyaggal időlegesen lefedni, a felhasznált maszklemezek gazdaságos ki­használása céljából. A fragmentumokat a találmány szerint úgy cél­szerű a maszklemezeken elhelyezni, hogy a követ­kező hierarchiaszint összeállítása során az optikai rendszer az egymáshoz illeszkedő határábrákat és határvonalakat vagy közel azonos, vagy az optikai tengelyre szimmetrikus sugármenettel képezze le. így az optikai rendszer leképezési hibájának hatását csökkenthetjük. A fentiek alapján belátható, hogy a találmány szerinti hierarchikus maszkellenőrzési és maszk­készítési eljárás a leírt kiegészítő megoldásokkal lényegesen előnyösebben, megbízhatóbban és rövi­debb idő alatt teszi lehetővé a nagy integráltsági fokú mikroáramköri maszkok'előállítását, mint az ismert, alapvetően kis bonyolultságú maszkok készítésére alkalmas eljárás. Egyszerű illusztratív példaként tételezzük fel, hogy egy 105 ismétlődő áramköri elemet, összesen például 106 téglalapot tartalmazó tízszeres nagyítású közbenső maszkot szeretnénk elkészíteni, és a végső méretű maszkra 102 ilyen csipet sokszorozva lekicsinyíteni. Az ismert eljárással a közbenső maszk elkészítéséhez optikai ábragene­rátorral 106 leképezési időegység (néhány száz óra), 0. végső méretű sokszorozáshoz 102 időegység (né­hány perc) szükséges. Ha egy technológiai hierarchia­szintet közbeiktatva először 100 áramköri elemet, összesen 103 téglalapot tartalmazó 100-szoros nagyí­tású fragmentumot készítünk, ezt 103-szor egymás mellé léptetjük, a leírt ábrakialakítási szempontokat figyelembe véve 10-szeres nagyításúra lekicsinyítve, majd az így kapott közbenső maszkból állítjuk elő a végső méretű maszkot, akkor együttesen 2xl03 időegység (kb. 1 óra) szükséges a közbenső maszk és további 102 időegység a végső maszk előállításá­hoz. A maszkkészítési idő több mint két nagyság­rendnyit csökken és a folyamatos üzem közben elő­forduló hiba valószínűsége elhanyagolhatóvá válik. Nagyon lényeges előnye az eljárásnak az ellenőr­zési folyamat leírt egyszerűsítése a belső ábrák leíró adatai elhagyásával. Ezzel a módszerrel az egy lépés­ben kezelendő adatok számát, vagyis a számítógép és az ábramegjelenítő berendezés memóriaigényét és az ellenőrzéshez szükséges időtartamot nagyság­rendekkel csökkenthetjük, és egyben a vizsgálandó rajzolatrészletek mennyiségének csökkentésével a szubjektív emberi hibák lehetősége is lecsökken. Szabadalmi igénypontok l. Eljárás mikroáramköri maszkok számítógéppel segített tervezésére, ellenőrzésére és előállítására, melynek során a maszkábra tervezése során és adat­­előkészítése után közbenső rajzolatot állítunk elő, azt ellenőrizzük és hiba esetén javítjuk, majd ezután ábragenerátorral elkészítjük a közbenső maszkot, végül lépkedő-ismétlő kamera segítségével elkészít­jük a közbenső maszkból a végleges maszkot, azzal jellemezve, hogy az adat-előkészítés után vagy azzal egy időben a maszk teljes rajzolatát több lépcsőben, célszerűen megválasztott számú ellenőrzési és ennél nem nagyobb számú technológiai hierarchiaszintű, lehetőség szerint azonos felépítésű fragmentumokra osztjuk fel, ezután a legalacsonyabb szintű fragmen­tum-rajzolatokat (13c—13e) elkészítjük, az így el­készített fragmentum-rajzolatok (13c—13e) áram­köri elemeket (31) magukba foglaló belső ábrákból (22) és határábrákból (21) állnak, az így elkészített fragmentum-rajzolatokat (13c—13e) ellenőrizzük, hiba esetén javítjuk, majd a legalacsonyabb hierar­chiaszintű fragmentum-rajzolatokat (13c—13e) mint elemi ábrákat felhasználjuk a következő hierarchia­­szintű fragmentum-rajzolatok (14c, d) elkészítésé-5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 6

Next

/
Oldalképek
Tartalom