182506. lajstromszámú szabadalom • Emitter elrendezés MOSFET számára
15 182506 A 15. ábrán látható 150 emitter elektróda előnyösen egy alumíniumérintkező. Megjegyezzük, hogy a 150 emitter elektróda érintkezési tartománya teljesen a P-típusú 122 tartomány mélyebb része felett, azzal egyvonalban helyezkedik el. Ezért alakítjuk ki így ezt, mert a 150 emitter elektródaként használt alumínium áthatolhatatlan a P-típusú anyag igen vékony rétegén. így a találmány egyik jellemzője biztosítja, hogy a 150 emitter elektróda alapvetően a P-típusú tartomány mélyebb része felett, mégpedig a P-típusú 122 és 123 tartományok felett helyezkedik el. Ez lehetővé teszi, hogy az aktív csatornatartományokat a gyűrű alakú 124 és 125 peremrészek úgy határozzák meg, hogy a kívánt vékonyságúak legyenek annak érdekében, hogy lényegesen csökkenjen az eszköz kapacitása. All. ábra egy komplett eszközt mutat, amelynél a 15. ábra szerinti sokszögletű emitter mintát alkalmaztuk. A 11. ábra szerinti komplett készülék a 180, 181 és 183 bemetszések között helyezkedik el, ami lehetővé teszi nagyszámú egyforma eszköz kitörését az alaplemezből, amelyek mérete 2,5 x 2,5 x 3,6 mm. A sokszög alakú tartományok, amelyeket itt leírtunk, nagyszámú oszlopot és sort alkotnak. Például az A méret 65 oszlopot tartalmaz, amelyeket a sokszögletű tartományok alkotnak, és ez az A méret kb. 2,1 mm lehet. A kb. 3,8 mm nagyságú B méret 100 sort tartalmazhat a sokszög alakú tartományokból. A C méret, amely a 190 emitter csatlakozó és a 191 vezérlő elektróda csatlakozó között helyezkedik el, 87 sor sokszög alakú elemet tartalmaz. A 190 emitter csatlakozó egy viszonylag nehéz fémrész, amely közvetlenül csatlakozik az alumíniumból készült 150 emitter elektródához, és kényelmes csatlakozást biztosít az emitter számára. A 191 vezérlő elektróda csatlakozó elektromosan több 192, 193, 194 és 195 nyúlvánnyal van összekötve, amelyek szimmetrikusan helyezkednek el a sokszögletű tartományokat tartalmazó rész külső felületén és villamos érintkezést hoznak létre a poliszilícium vezérlő elektródával, ahogy azt a 12. ábra kapcsán leírjuk. Végül az eszköz külső kerületén a P(+) típusú mély, diffúziós 171 tartomány van kialakítva, amely all. ábra szerinti 201 felülethez csatlakoztatható. A 12. ábra a 191 vezérlő elektróda csatlakozó, valamint a 194 és 195 nyúlványok egy részét mutatja. Kívánatos, hogy több érintkezőt alakítsunk ki a poliszilícium vezérlő elektróda számára, annak érdekében, hogy csökkenjen az eszköz RC-időállandója. A poliszilícium vezérlő elektróda több tartománnyal, így a 210, 211,212 tartományokkal rendelkezik, amelyek kifelé helyezkednek el és érintkeznek a vezérlő elektróda 194 és 195 nyúlványaival. A poliszilícium vezérlő elektróda tartományokat az oxidrétegek kialakítása folyamán, amelyeket a 15. ábrán a 145, 146, 147 fedőrétegek jelölnék, szabadon hagyhatjuk, és nem vonjuk be a 150 emitter elektródájával. Megjegyezzük, hogy a 12. ábrán látható 220 tengely megegyezik a 11. ábrán feltüntetett 220 szimmetriatengellyel. A találmányt egy előnyös kiviteli alak kapcsán írtuk le, de számos változat és módosítás is lehetsé-8 16 ges, amint az nyilvánvaló az ezen a szakterületen jártas szakember számára. Szabadalmi igénypontok: 1. Emitter elrendezés MOSFET számára, amely MOSFET alacsony áteresztőirányú ellenállással és viszonylag nagy letörési feszültséggel rendelkezik, és félvezetőanyagból készült lemezt tartalmaz, amelynek egy első felülete és egy ezzel párhuzamos második felülete van, az első felület egy első és egy második egymástól elkülönített emitter elektródával van ellátva, egy szigetelő réteg az első felületen van kialakítva az első és a második emitter elektróda között, és egy vezérlő elektróda ezen a szigetelő rétegen van kialakítva; egy kollektor elektróda a második felületen van kiképezve; egy első vezetőképesség-típusú anyagból álló eiső és második csatorna elválasztva közvetlenül a vezérlő elektróda szigetelőrétege alatt van elhelyezve; az első és a második csatorna átellenes végei elektromosan az első és a második emitter elektródához vannak kapcsolva; az első és a második csatorna szomszédos végei egy közös tartományhoz csatlakoznak, amely központosán van elhelyezve az említett szigetelő réteg alatt és egy második vezetőképesség-típusú anyagból készült; a második vezetőképesség-típusú anyag egy tartománya az első és a második csatorna és a közös tartomány alatt helyezkedik el, valamint az említett közös tartomány folytatását képezi, azzal jellemezve, hogy a közös tartomány (40) lényegesen nagyobb vezetőképességű, mint az alatta levő tartomány, továbbá a közös tartomány (40) és az alatta levő tartomány sorosan helyezkedik el az áram útjában az első és a második emitter elektródától (22, 23) a kollektor elektróda (26) felé. (Elsőbbsége: 1978. X. 13.) 2. Az 1. igénypont szerinti elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy két további tartomány (32, 33) van kialakítva a félvezető alaplemezben, amelyek a második vezetőképesség-típusú anyagból vannak, és az első és a második emitter elektródák (22, 23) alatt helyezkednek el, és a vezérlő elektróda (24) szigetelő oxidrétege (25) alá nyúlva érintkeznek az eiső, illetve a második csatorna (34, 35) szélével. (Elsőbbsége: 1978. X. 13.) 3. Az 1. igénypont szerinti elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a vezérlő elektróda (24) szigetelő rétege szilíciumdioxid. (Elsőbbsége: 1978. X. 13.) 4. Az 1. igénypont szerinti elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első és a második emitter elektróda (22, 23) és a vezérlő elektróda (24) hosszanti alakban az első felületen van kiképezve. (Elsőbbsége: 1978. X. 13.) 5. Az 1. igénypont szerinti elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első és a második csatorna (34, 35) az első vezetőképesség-típusú anyagból álló tartományok (30, 31) felső részeit képezi, továbbá az említett tartományok (30, 31) lekerekített profillal rendelkeznek, az emitter tartomány (32, 33) külső széle alatt és attól oldalirányban. (Elsőbbsége: 1978. X. 13.) 6. Emitter elrendezés MOSFET számára, amely MOSFET adott vezetőképesség típusú anyagból álló 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
