182506. lajstromszámú szabadalom • Emitter elrendezés MOSFET számára

MAGTAB

NÉPKÖZTÁRSASÁG

SZABADALMI

LEÍRÁS

182506

Bejelentés napja: 1979. X. 11. (IE-891)

Amerikai Egyesült Államok-beli elsőbbsége:

1978. X. 13. (951,310)

1979. V. 01.(38,662)

Nemzetközi otztályozá*:

NSZO3 :

H 01 L 29/78

OKSZAGOS

TALÁLMÁNYI

HIVATAL

Közzététel napja: 1983. IV. 28.

Megjelent: 1985. VI. 28.

Feltalálók: Szabadalmas:

lidow Alexander fizikus, Manhattan Beach, Herman Thomas fizikus, Redondo International Rectifier Corporation,

Beach, Rumennik Vladimir fizikus El Segundo, California, Amerikai Egyesült Los Angeles, California,

Államok Amerikai Egyesült Államok

Emitter elrendezés MOSFET számára

1

2

Kivonat

A találmány szerinti nagyteljesítményű MOSFET nagyszámú, szorosan egymás mellett elhelyezett, sokszög alakú emitter! (source) tartalmaz egy félvezetőtest egyik felületén. Egy hosszúkás vezérlő elektróda (gate) van elhelyezve a sokszög alakú emitterek között. A vezérlő elektróda két csatornával működik együtt, amelyek a szomszédos emitterekhez tartoznak és vezérük az emitter elektródáról a csatornán át történő vezetést a fílvezctőkristály átellenes felületén levő kollektor (drain) elektródához. A csatorna melletti és a szomszédos emitterek közötti vezetőtartomány viszonylag nagy vezetőképességű a csatornának az emittereket tartalmazó felszíne közelében. A sokszög alakú emitterek előnyösen hatszögjetűek, úgyhogy a szomszédos emitterek közötti távolságok viszonylag állandóak az eszköz egész felületén. Mindegyik sokszög alakú tartomány egy viszonylag mély központi résszel és egy sekély külső résszel rendelkezik. A sekély külső rész általában egy gyűrű alakú emitter tartomány alatt helyezkedik el. A mély központi rész egy alumínium elektróda alatt van kialakítva, és elegendően mély ahhoz, hogy az alumíniumrészecskék ne hatoljanak át rajta teljesen.-£-_r ca-, 3_ jy ff Je

ft+

10

Léi.

15

20

%

M 02

i_

\pj. r^7 » w

u

»**•

182506