182278. lajstromszámú szabadalom • Eljárás pn átmenetek leginkább sekély pn átmenetek kontaktálására
5 182278 6 à vezetőhálózat és a kontaktusok alatt az adalékolt — jól vezető — poliszilícium réteg, mint az a 6. ábrán látható, megmarad, és a szerkezeti lépcsőknél többnyire elkerülhetetlenül beálló elvékonyodásból vagy esetleg szakadásból származó ellenállásnövekedést söntöli. Utolsó műveleti lépésként a kialakított vezetőhálózatot és kontaktusfelületeket a poliszilícium rétegbe a szokásos módon beötvözzük. A vezetőhálózat, ill. kontaktusok alatt lévő vastag 5 poliszilícium réteg a túlötvöződést, s így a pn átmeneti zárlat kialakulását meggátolja. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás pn átmenetek, leginkább sekély pn átmenetek 15 kontaktálására félvezető eszközök, leginkább integrált áramkörök előállításához, amely során a pn átmenetet magába foglaló félvezető eszköz (1) felületét borító szigetelőrétegben (2) a pn átmenet fölött a kontaktálni kívánt rétegre nyílóan kontaktus ablakot (4) nyitunk, a kontaktus ablakba 20 (4) és a szigetelőrétegre (2) egybefüggő poliszilícium réteget viszünk fel, amelyet létrehozandó struktúrának megfelelően vagy a felvitellel egyidejűleg adalékolunk, vagy utólagosan adalékoljuk, a kapott adalékolt poliszilícium rétegre (5) kontaktus fémréteget (6) viszünk fel, majd a fémréteget (6) a poliszilicium réteg (5) felületének egyes részeiről kívánt topo- 5 lógiájú vezetőhálózat és kontaktus felületek kialakítása végett lokálisan eltávolítjuk, és a visszamaradó fémréteget (6) ötvözzük, azzal jellemezve, hogy a fémréteg (6) lokális eltávolítását követően a visszamaradó fémréteg (6) maszkként való felhasználásával az adalékolt poliszilícium réteget (5) 10 önmagában ismert módon plazmás, vagy ion marással távolítjuk el. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a poliszilícium réteget kémiai gőzfázisból lecsapalássál (CVD eljárással) alakítjuk ki. t 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a poliszilícium réteg kialakítását oxidtöltést beállító hőkezeléssel egy lépésben végezzük. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy 100—3000 nm előnyösen 200—500 nm vastagságú poliszilícium réteget alakítunk ki. 2 rajz, 6 ábra _____A kiadásért felel a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 85.5600.66-4 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató 3
